Etiqueta: Memoria

La industria de la DRAM ha experimentado cambios significativos debido a la guerra de los chips que se está librando entre China y EUA. Eso a llevado al país asiático a aumentar su producción para forzar el hundimiento de precios, lo cual podría llevar fuera del negocio a muchos fabricantes menores estadounidenses y de otros países. Así que no es de extrañar que empresas como Changxin Memory Technologies (CXMT) y Fujian Jinhua estén ofreciendo chips de DDR4 a precios hasta un 50 % más bajos que sus rivales surcoreanos, como Samsung y SK Hynix.

Apacer ha anunciado la serie NOX RGB de memoria DDR5. Tiene un diseño de 44 mm de altura, con dispersor de aluminio en color negro o blanco, y difusor de plástico en la parte superior con siete ledes de iluminación ARGB. Incluye las habituales características de este tipo de memoria, como el PMIC integrado y los chips con ECC integrado para la información que se mueve dentro de los propios chips.

En la búsqueda constante por optimizar el rendimiento de los sistemas informáticos, el procesamiento en memoria ha emergido como una solución prometedora para superar las limitaciones de la arquitectura tradicional de los PC. En ella se separa la CPU de la RAM, pero se enfrenta a desafíos significativos debido al creciente volumen de datos y la necesidad de mayores velocidades de procesamiento. El procesamiento en memoria (PIM) lleva a la RAM parte del procesamiento que realiza la CPU, pero faltaba alguna forma de simplificar el desarrollo de programas a ejecutar con PIM. Ahora existe PyPIM para que esta tecnología acelere su adopción.

AMD es bastante bien conocida por lanzar los procesadores y luego ir revisando el uso que hacen de la memoria. Es mucho más habitual en los procesadores de sobremesa a través de actualizaciones del BIOS que en portátiles, pero le ha tocado el turno a los Ryzen AI 300. Así que a partir de ahora el controlador de LPDDR5 que incluyen pueden usar chips de hasta 8000 MT/s en lugar de los 7500 MT/s anunciados inicialmente.

Acer no es el habitual fabricante de módulos de RAM, al menos en Occidente, porque en Oriente sí que tiene más repercusión. Ahora está con ganas de llamar la atención con su módulo Predator Hera de DDR5-9466, porque cuenta con un acabado en oro real. Es compatible con las tecnologías XMP 3.0 y EXPO. Tampoco le falta la iluminación RGB personalizable.

SK Hynix ha presentado sus chips de HBM3E de dieciséis capas con los cuales puede conseguir una capacidad de 48 GB por chip. Esto también le preoporciona un ancho de banda que alcanza los 1.28 TB/s, y está destinada a satisfacer la demanda de aplicaciones avanzadas de inteligencia artificial y computación de alto rendimiento. Aunque se espera que el mercado para memorias de 16 capas se amplíe con la próxima generación HBM4, SK Hynix planea ofrecer muestras a sus clientes de esta HBM3E a principios del próximo año.

TeamGroup ha presentado sus primeros módulos de memoria DDR5-7200 en formato CAMM2, diseñados para ofrecer velocidades de transferencia superiores a 100 GB/s. Estos módulos, parte de la línea T-Create, operan con unos subtiempos de 32-42-42-48, logrando velocidades de lectura, escritura y copia de 113 GB/s, 108 GB/s y 106 GB/s, respectivamente. Además, tras ajustes, la latencia se ha reducido a 55 ns desde 73,5 ns.

JEDEC ha publicado el estándar PS-007A para el conector CAMM2 de LPDDR5, conocido como LP5CAMM2, que establece una solución modular de memoria LPDDR5 pensada para dispositivos de bajo perfil que requieren bajo consumo y alto rendimiento. Este nuevo conector permite a los fabricantes integrar memoria de alto rendimiento en dispositivos compactos, mejorando la integridad de señal y reduciendo la interferencia de radiofrecuencia, problemas comunes en dispositivos de bajo perfil.

Intel no está teniendo un buen año, por lo que sus socios tampoco. El lanzamiento de los CUDIMM de DDR5 para los Core Ultra 200S son una nueva fuente de choques entre ellos, llegando aparentemente en el caso de ADATA a su eliminación como uno de los proveedores preferentes de módulos de memoria, los que se denominan de primer y segundo nivel. Que no es que Intel está como para tener choques con nadie, pero esta es la Intel de Pat Gelsinger, capeando el temporal de la mejor forma posible caiga quien caiga.

Una de las novedad de los Core Ultra 200S es su compatibilidad con los CUDIMM, 'módulo de memoria en línea dual sin búfer y con reloj', los cuales tienen el generador de la señal del reloj integrada en el propio módulo de RAM. El generador de reloj actúa como búfer de la señal y no como sustituto del generador de reloj del anfitrión, lo cual mejora la integridad de la señal y permite alcanzar velocidades más altas más fácilmente. Kingston ha anunciado sus primeros módulos de este tipo que engrosarán la serie FURY Renegade.