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Etiqueta: Memoria

AMD mejora la memoria que pueden usar los Ryzen AI 300 a LPDDR5X-8000

AMD mejora la memoria que pueden usar los Ryzen AI 300 a LPDDR5X-8000
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AMD es bastante bien conocida por lanzar los procesadores y luego ir revisando el uso que hacen de la memoria. Es mucho más habitual en los procesadores de sobremesa a través de actualizaciones del BIOS que en portátiles, pero le ha tocado el turno a los Ryzen AI 300. Así que a partir de ahora el controlador de LPDDR5 que incluyen pueden usar chips de hasta 8000 MT/s en lugar de los 7500 MT/s anunciados inicialmente.

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SK Hynix anuncia su chip de HBM3E de 48 GB, la mayor capacidad del sector

SK Hynix anuncia su chip de HBM3E de 48 GB, la mayor capacidad del sector
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SK Hynix ha presentado sus chips de HBM3E de dieciséis capas con los cuales puede conseguir una capacidad de 48 GB por chip. Esto también le preoporciona un ancho de banda que alcanza los 1.28 TB/s, y está destinada a satisfacer la demanda de aplicaciones avanzadas de inteligencia artificial y computación de alto rendimiento. Aunque se espera que el mercado para memorias de 16 capas se amplíe con la próxima generación HBM4, SK Hynix planea ofrecer muestras a sus clientes de esta HBM3E a principios del próximo año.

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TeamGroup anuncia módulos de DDR5-7200 en formato CAMM2

TeamGroup anuncia módulos de DDR5-7200 en formato CAMM2
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TeamGroup ha presentado sus primeros módulos de memoria DDR5-7200 en formato CAMM2, diseñados para ofrecer velocidades de transferencia superiores a 100 GB/s. Estos módulos, parte de la línea T-Create, operan con unos subtiempos de 32-42-42-48, logrando velocidades de lectura, escritura y copia de 113 GB/s, 108 GB/s y 106 GB/s, respectivamente. Además, tras ajustes, la latencia se ha reducido a 55 ns desde 73,5 ns.

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La JEDEC publica el estándar del conector CAMM2 de LPDDR5

La JEDEC publica el estándar del conector CAMM2 de LPDDR5
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JEDEC ha publicado el estándar PS-007A para el conector CAMM2 de LPDDR5, conocido como LP5CAMM2, que establece una solución modular de memoria LPDDR5 pensada para dispositivos de bajo perfil que requieren bajo consumo y alto rendimiento. Este nuevo conector permite a los fabricantes integrar memoria de alto rendimiento en dispositivos compactos, mejorando la integridad de señal y reduciendo la interferencia de radiofrecuencia, problemas comunes en dispositivos de bajo perfil.

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Un choque con Intel habría sacado a ADATA de su lista de proveedores preferentes

Un choque con Intel habría sacado a ADATA de su lista de proveedores preferentes
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Intel no está teniendo un buen año, por lo que sus socios tampoco. El lanzamiento de los CUDIMM de DDR5 para los Core Ultra 200S son una nueva fuente de choques entre ellos, llegando aparentemente en el caso de ADATA a su eliminación como uno de los proveedores preferentes de módulos de memoria, los que se denominan de primer y segundo nivel. Que no es que Intel está como para tener choques con nadie, pero esta es la Intel de Pat Gelsinger, capeando el temporal de la mejor forma posible caiga quien caiga.

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Kingston anuncia sus CUDIMM de DDR5-8400 para los Core Ultra 200S

Kingston anuncia sus CUDIMM de DDR5-8400 para los Core Ultra 200S
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Una de las novedad de los Core Ultra 200S es su compatibilidad con los CUDIMM, 'módulo de memoria en línea dual sin búfer y con reloj', los cuales tienen el generador de la señal del reloj integrada en el propio módulo de RAM. El generador de reloj actúa como búfer de la señal y no como sustituto del generador de reloj del anfitrión, lo cual mejora la integridad de la señal y permite alcanzar velocidades más altas más fácilmente. Kingston ha anunciado sus primeros módulos de este tipo que engrosarán la serie FURY Renegade.

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G.Skill anuncia módulos de DDR5 de hasta 9600 MT/s de tipo CUDIMM

G.Skill anuncia módulos de DDR5 de hasta 9600 MT/s de tipo CUDIMM
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G.Skill ha anunciado sus CUDIMM de DDR5, que son para los nuevos procesadores Core Ultra 200S de Intel que ya se han puesto a la venta. CUDIMM significa 'módulo de memoria en línea dual sin búfer y con reloj', que es un nombre un poco largo para decir que el generador de la señal del reloj está integrado en el módulo de RAM. Estos conforman la serie Trident Z5 CK, en versiones con y sin ARGB.

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Team Group anuncia nuevos módulos T-Force Xtreem

Team Group anuncia nuevos módulos T-Force Xtreem
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Team Group está diversificando en el aspecto de sus mejores módulos de DDR5 para abarcar más gustos de los consumidores. En esta ocasión adapta la estética de los módulos de la serie Xtreem orientada a sobrefrecuencia dándoles a unos un toque de rosa. Los otros son los de la Xtreem ARGB, que ahora los lanza con el dispersor en color blanco, manteniendo el difusor de luz y los ledes ARGB.

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Samsung anuncia el desarrollo de chips de 3 GB de GDDR7 y abre la puerta a una RTX 5060 de 12 GB

Samsung anuncia el desarrollo de chips de 3 GB de GDDR7 y abre la puerta a una RTX 5060 de 12 GB
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Algunas de las próximas tarjetas gráficas que están preparando AMD y NVIDIA van a llegar con GDDR7 para dotarlas de un mayor ancho de banda, pero la mirada está puesta en la gama media y baja. Debido a la arquitectura, se presupone que podrían llegar con 8 GB de VRAM debido a que eso son 128 bits de bus y que los chips de GDDR actuales son de 2 GB. Así que Samsung ha anunciado nuevos chips de memoria GDDR7 de 3 GB (24 Gb) que abre la puerta a que algunos modelos futuros de gama media lleguen con 12 GB.

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