Etiqueta: Memoria

G.Skill ha anunciado sus CUDIMM de DDR5, que son para los nuevos procesadores Core Ultra 200S de Intel que ya se han puesto a la venta. CUDIMM significa 'módulo de memoria en línea dual sin búfer y con reloj', que es un nombre un poco largo para decir que el generador de la señal del reloj está integrado en el módulo de RAM. Estos conforman la serie Trident Z5 CK, en versiones con y sin ARGB.

Team Group está diversificando en el aspecto de sus mejores módulos de DDR5 para abarcar más gustos de los consumidores. En esta ocasión adapta la estética de los módulos de la serie Xtreem orientada a sobrefrecuencia dándoles a unos un toque de rosa. Los otros son los de la Xtreem ARGB, que ahora los lanza con el dispersor en color blanco, manteniendo el difusor de luz y los ledes ARGB.

Algunas de las próximas tarjetas gráficas que están preparando AMD y NVIDIA van a llegar con GDDR7 para dotarlas de un mayor ancho de banda, pero la mirada está puesta en la gama media y baja. Debido a la arquitectura, se presupone que podrían llegar con 8 GB de VRAM debido a que eso son 128 bits de bus y que los chips de GDDR actuales son de 2 GB. Así que Samsung ha anunciado nuevos chips de memoria GDDR7 de 3 GB (24 Gb) que abre la puerta a que algunos modelos futuros de gama media lleguen con 12 GB.

G.Skill sigue expandiendo su serie Trident Z5 Royal Neo con módulos de mayores velocidades y capacidades. En esta ocasión le ha tocado el turno a un nuevo módulos de DDR5 a 9000 MT/s con una capacidad de 24 GB. Se venderá en un kit de dos módulos para un total de 48 GB, que empiece a ser una cantidad interesante por los juegos que van llegando y que piden 32 GB de RAM. Si se tienen diversas cosas en segundo plano mientras se juega a ellos, es interesante tener más de 32 GB.

Intel tiene que dar bastantes detalles específicos de los próximos Core Ultra 200 de sobremesa, más allá de los modelos que compondrán inicialmente la serie, aunque se espera que sean concretamente cinco desbloqueados para sobrefrecuencia. En el terreno de la memoria, el último rumor apunta a que podrían usar memoria DDR5 de hasta 10 000 MT/s, pero lo haría gracias a los nuevos CUDIMM que se están produciendo.

El sector de las aceleradoras necesita memoria superrápida, y eso implica que los fabricantes de chips de memoria evolucionen lo más rápido posible la HBM. Entre ellos está Micron, la cual ha anunciado ahora su chip de HBM3E que da una vuelta de tuerca al sector ya que se compone de doce capas apiladas de memoria, un 50 % más que el actual chip que tenía disponible. La capacidad total del chip es de 36 GB, y gracias a la mejora en su frecuencia de funcionamiento, 9.2 Gb/s, alcanza los 1.2 TB/s de ancho de banda.

SK Hynix sigue mejorando los nodos de producción de memoria, que por temas de fiabilidad no están tan evolucionados los de chips lógicos que los de memoria. Ahora la compañía ha anunciado el desarrollo de su primer chip de memoria usando un nodo de 1c nm, que es algo así como 10 nm si se tradujera al término en función del tamaño de los transistores.

Aunque la DDR6, y su versión de bajo consumo LPDDR6, está de camino y llegará previsiblemente en algún momento de 2025, las compañías siguen mejorando la actual DDR5 y LPDDR5 en sus distintas versiones. Samsung ha hecho lo propio con su LPDDR5X, que es simplemente su LPDDR5 de mayor velocidad, en la que ahora le ha reducido su grosor un 9 % hasta dejarlo en 0.65 mm.

La memoria de alto ancho de banda (HBM) es de gran utilidad para los procesadores orientados a cómputo. Su producción se concentra en SK Hynix, Micron y Samsung, por lo que China tenía pendiente iniciar una producción propia. Se esperaba que la empresa que la estaba desarrollando, CXMT, iniciara su producción en masa de la HBM2 en algún momento de 2026, dentro de al menos año y medio, pero la compañía ha anunciado que la ha iniciado ya.

Las próximas generaciones de tarjetas gráficas de NVIDIA, AMD e Intel van a usar previsiblemente memoria GDDR7 para alguno de los modelos, empezando sobre todo por NVIDIA y su serie RTX 50. Es probable que no lleguen hasta principios de 2025, al menos según los últimos rumores, a lo cual apunta también los plazos de producción en masa de Samsung, Micron y SK Hynix. Esta última ha indicado que empezará con su producción en este tercer trimestre del año.