Etiqueta: Memoria

JEDEC ha publicado el estándar PS-007A para el conector CAMM2 de LPDDR5, conocido como LP5CAMM2, que establece una solución modular de memoria LPDDR5 pensada para dispositivos de bajo perfil que requieren bajo consumo y alto rendimiento. Este nuevo conector permite a los fabricantes integrar memoria de alto rendimiento en dispositivos compactos, mejorando la integridad de señal y reduciendo la interferencia de radiofrecuencia, problemas comunes en dispositivos de bajo perfil.

Intel no está teniendo un buen año, por lo que sus socios tampoco. El lanzamiento de los CUDIMM de DDR5 para los Core Ultra 200S son una nueva fuente de choques entre ellos, llegando aparentemente en el caso de ADATA a su eliminación como uno de los proveedores preferentes de módulos de memoria, los que se denominan de primer y segundo nivel. Que no es que Intel está como para tener choques con nadie, pero esta es la Intel de Pat Gelsinger, capeando el temporal de la mejor forma posible caiga quien caiga.

Una de las novedad de los Core Ultra 200S es su compatibilidad con los CUDIMM, 'módulo de memoria en línea dual sin búfer y con reloj', los cuales tienen el generador de la señal del reloj integrada en el propio módulo de RAM. El generador de reloj actúa como búfer de la señal y no como sustituto del generador de reloj del anfitrión, lo cual mejora la integridad de la señal y permite alcanzar velocidades más altas más fácilmente. Kingston ha anunciado sus primeros módulos de este tipo que engrosarán la serie FURY Renegade.

G.Skill ha anunciado sus CUDIMM de DDR5, que son para los nuevos procesadores Core Ultra 200S de Intel que ya se han puesto a la venta. CUDIMM significa 'módulo de memoria en línea dual sin búfer y con reloj', que es un nombre un poco largo para decir que el generador de la señal del reloj está integrado en el módulo de RAM. Estos conforman la serie Trident Z5 CK, en versiones con y sin ARGB.

Team Group está diversificando en el aspecto de sus mejores módulos de DDR5 para abarcar más gustos de los consumidores. En esta ocasión adapta la estética de los módulos de la serie Xtreem orientada a sobrefrecuencia dándoles a unos un toque de rosa. Los otros son los de la Xtreem ARGB, que ahora los lanza con el dispersor en color blanco, manteniendo el difusor de luz y los ledes ARGB.

Algunas de las próximas tarjetas gráficas que están preparando AMD y NVIDIA van a llegar con GDDR7 para dotarlas de un mayor ancho de banda, pero la mirada está puesta en la gama media y baja. Debido a la arquitectura, se presupone que podrían llegar con 8 GB de VRAM debido a que eso son 128 bits de bus y que los chips de GDDR actuales son de 2 GB. Así que Samsung ha anunciado nuevos chips de memoria GDDR7 de 3 GB (24 Gb) que abre la puerta a que algunos modelos futuros de gama media lleguen con 12 GB.

G.Skill sigue expandiendo su serie Trident Z5 Royal Neo con módulos de mayores velocidades y capacidades. En esta ocasión le ha tocado el turno a un nuevo módulos de DDR5 a 9000 MT/s con una capacidad de 24 GB. Se venderá en un kit de dos módulos para un total de 48 GB, que empiece a ser una cantidad interesante por los juegos que van llegando y que piden 32 GB de RAM. Si se tienen diversas cosas en segundo plano mientras se juega a ellos, es interesante tener más de 32 GB.

Intel tiene que dar bastantes detalles específicos de los próximos Core Ultra 200 de sobremesa, más allá de los modelos que compondrán inicialmente la serie, aunque se espera que sean concretamente cinco desbloqueados para sobrefrecuencia. En el terreno de la memoria, el último rumor apunta a que podrían usar memoria DDR5 de hasta 10 000 MT/s, pero lo haría gracias a los nuevos CUDIMM que se están produciendo.

El sector de las aceleradoras necesita memoria superrápida, y eso implica que los fabricantes de chips de memoria evolucionen lo más rápido posible la HBM. Entre ellos está Micron, la cual ha anunciado ahora su chip de HBM3E que da una vuelta de tuerca al sector ya que se compone de doce capas apiladas de memoria, un 50 % más que el actual chip que tenía disponible. La capacidad total del chip es de 36 GB, y gracias a la mejora en su frecuencia de funcionamiento, 9.2 Gb/s, alcanza los 1.2 TB/s de ancho de banda.

SK Hynix sigue mejorando los nodos de producción de memoria, que por temas de fiabilidad no están tan evolucionados los de chips lógicos que los de memoria. Ahora la compañía ha anunciado el desarrollo de su primer chip de memoria usando un nodo de 1c nm, que es algo así como 10 nm si se tradujera al término en función del tamaño de los transistores.