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Etiqueta: Memoria

Micron subirá el precio de la DRAM y NAND debido a la mayor demanda provocada por los centros de datos

Micron subirá el precio de la DRAM y NAND debido a la mayor demanda provocada por los centros de datos
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En los últimos meses los analistas han venido avisando de que el precio de los chips de NAND y DRAM iban a empezar a subir el precio a medida que se fuera acercando el ecuador del año. Micron ha venido a confirmar lo dicho por los analistas, porque ha avisado de que va a subir formalmente sus precios a lo largo del año a medida que aumenta la demanda de sus chips usados en SSD y módulos de RAM para centros de datos.

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Micron anuncia su DDR5 de 9200 MT/s creada con un nuevo proceso 1γ con luz UVE

Micron anuncia su DDR5 de 9200 MT/s creada con un nuevo proceso 1γ con luz UVE
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La producción de memoria se centra en procesos litográficos que den los menores problemas posibles, y como se basa mayormente en condensadores que en transistores, la forma de medir las litografías de chips lógicos es de poca utilidad. Las compañías de DRAM están en procesos litográficos del orden de 10 nm, pero siguen evolucionándolos con diversas tecnologías, sin perder de vista que necesitan extrema fiabilidad para el buen funcionamiento de la DRAM. Así que Micron ha anunciado un nuevo proceso del orden de 10 nm, el 1γ (nm), pero en el que ha usado en esta ocasión maquinaria de luz ultravioleta extrema (UVE).

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Samsung anuncia LPDDR5 de 12 700 MT/s

Samsung anuncia LPDDR5 de 12 700 MT/s
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Samsung ha estado presente en la Conferencia de Circuitos de Estado Sólido (ISSCC) que celebra el IEEE, y ha anunciado novedades en el terreno de su LPDDR5. Es un terreno en el que la compañía tiene mucha experiencia y alto nivel de producción, sobre todo porque se utilizan procesos litográficos poco punteros para ello. Así que ha añadido un nuevo tipo de memoria LPDDR5, llamada LPDDR5 Ultra Pro, que alcanza los 12 700 MT/s.

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Samsung, SK Hynix y Micron dejarían de producir DDR3 y DDR4 por la competencia en precios de China

Samsung, SK Hynix y Micron dejarían de producir DDR3 y DDR4 por la competencia en precios de China
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Las empresas chinas han estado aumentando la producción de memoria DDR3 DDR4 desde hace un par de años con la idea de abaratar su coste y atacar a las sanciones de EUA en el terreno de los semiconductores. También está produciendo DDR5, pero está lejos de poder hacer lo mismo. Así que el panorama internacional está inundado con chips chinos de DDR3 y DDR4 que cuestan la mitad que los de las principales compañías occidentales o prooccidentales, las cuales son Samsung, SK Hynix y Micron. Debido a ello, podrían dejarla de producir antes de final de año.

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G.Skill anuncia nueva DDR5 de 6400 y 6800 MT/s de baja latencia

G.Skill anuncia nueva DDR5 de 6400 y 6800 MT/s de baja latencia
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G.Skill ha expandido su catálogo de módulos de RAM con un par de modelos interesantes para los que buscan la menor latencia posible que pueda beneficiar el rendimiento de su equipo en juegos. El primero de ellos es un módulo de DDR5-6400 con unos subtiempos de 28-39-39 y que se venderá en kits de dos módulos de 16 GB dentro de la serie Trident Z5 RGB. Integra perfiles XMP 3.0, aunque su compatibilidad con la plataforma de AMD es total.

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MSI actualiza sus placas base B860 con optimizaciones para la DDR5 de la china CXMT

MSI actualiza sus placas base B860 con optimizaciones para la DDR5 de la china CXMT
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Las empresas chinas dedicadas a la producción de chips de memoria, tanto NAND como DRAM, están avanzando rápidamente en sus sectores debido a que los chips de memoria no necesitan litografías punteras, sino que se producen con litografías maduras para eliminar errores en el movimiento de información dentro de la misma. Eso es crítico en este tipo de chips. Así que CXMT ha puesto a la venta en China sus chips de DDR5 que ya están llegando en módulos de distintos fabricantes, y falta el paso de que se puedan usar en cualquier PC. Así que MSI es la primera que da el paso de optimizar su funcionamiento en sus placas base B860. Luego vendrán el resto.

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YMTC desarrolla chips de NAND 3D de tipo TLC y 294 capas

YMTC desarrolla chips de NAND 3D de tipo TLC y 294 capas
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YMTC es la empresa china más avanzada en el terreno de la NAND 3D y no tiene nada que envidiarle a las empresas occidentales y sus países satélite. Sus chips de memoria de almacenamiento son tan buenos que incluso Apple quiso incluirlos en sus dispositivos pero la administración Biden lo prohibió tajantemente. Así que, a pesar de oleadas y oleadas de sanciones al sector de los semiconductores chinos y de IA, el país sigue evolucionando porque, ¡oh, sorpresa!, las sanciones son un arma de doble filo y nunca funcionan con países enormes como China. Así que YMTC ya tiene en producción su NAND 3D de tipo TLC de 294 capas.

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G.Skill anuncia módulos de DDR5-6400 CL 30 de 48 GB

G.Skill anuncia módulos de DDR5-6400 CL 30 de 48 GB
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G.Skill ha expandido un poco más su catálogo de módulos de DDR5 con nuevos añadidos a las series Trident Z5 RGB y Trident Z5 Royal. Son módulos de DDR5-6400 con unos subtiempos más bajos que los actuales, los cuales se sitúan en 30-39-39-102, así que algo se ganará por ese lado en aplicaciones sensibles a la latencia como los juegos.

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G.Skill muestra sus CSO-DIMM de DDR5-8133 para los Core Ultra

G.Skill muestra sus CSO-DIMM de DDR5-8133 para los Core Ultra
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Los procesadores Core Ultra 200 de Intel de sobremesa pueden usar un tipo de módulo de memoria que puede funcionar a mayores frecuencias de manera más estable. Son los CU-DIMM, y la primera ce hace referencia a clock, porque estos módulos tienen un generador de reloj para el control de la frecuencia de funcionamiento en lugar de hacerlo el procesador. Así que la versión de estos módulos para los Core Ultra 200 de portátiles son los CSO-DIMM como el módulo presentado por G.Skill.

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PNY presenta nuevos kits de SO-DIMM de DDR5-5600

PNY presenta nuevos kits de SO-DIMM de DDR5-5600
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PNY ha presentado nuevos SO-DIMM de DDR5-5600 para aquellos que quieran expandir sus mini-PC y portátiles con más memoria. Es habitual que estos que usan DDR5 incluyan de serie versiones de DDR5-5600 y alta latencia CAS, por encima de 40, y estos módulos no mejoran en ello ya que tienen una CL de 46.

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