Micron usará la unión de obleas y la luz UVE de alta AN para sus futuros chips de DRAM
Micron ha descartado las celdas 4F² para producir su próxima generación de chips de DRAM, la cual es una tecnología que Samsung y SK Hynix sí tienen en sus planes —por ahora—, así que necesita otras formas de seguir haciendo más densa su DRAM. Scott DeBoer, el director de tecnología y productos de Micron, explicó en un acto de la compañía cómo lo hará en los próximos años. Confía en tener todavía varias generaciones de DRAM plana antes de pasar a la 3D, pero se precisarán cambios.
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