Etiqueta: Memoria

Según lo previsto, Intel ha anunciado un «refuerzo de los 200S» para mejorar su rendimiento en juegos. Este refuerzo es una mejora a la capacidad de sobrefrecuencia de los Core Ultra 200S y que afecta solo a los modelos K (245K/KF, 265K/KF, y 285K). Esta mejora está cubierta por la garantía de Intel, en un intento de que sea lo más fácil y menos problemático de usar. No va a ganar a AMD y su Ryzen 7 9800X3D, pero al menos recortará la diferencia.

G.Skill sigue expandiendo su catálogo de módulos de 64 GB con un kit para aquellos que necesitan la máxima cantidad de RAM en sus equipos. Este kit incluye cuatro módulos de 64 GB para un total de 256 GB de RAM, pero además son de alta velocidad con 6000 MT/s. Normalmente los controladores de memoria de los procesadores con DDR5 alcanzan mayores velocidades con solo dos módulos puestos, y limitan bastante más con cuatro por el estrés que tiene que soportar el controlador.

El sector de la memoria no volátil ha tenido varios intentos por crear alternativas que al menos se acerquen a la baja latencia de la DRAM. Una de ellas es la memoria 3D XPoint de Intel y Micron, que está muerta después de que Intel abandonara su uso comercial como Optane en 2022, y Micron lo abandonara antes. Otra alternativa es la FRAM, o RAM ferroeléctrica, pero tiene el problema de que como se venía creando escala mal con los procesos litográficos más avanzados. Las soluciones comunes son de 4 MB u 8 MB. Ferroelectric Memory Co. (FMC) y Neumonda se han aliado para darle una vuelta de tuerca y que pueda competir con la DRAM.

G.Skill ha anunciado un atípico módulo de memoria DDR5 con una capacidad de 64 GB, dentro de la serie Trident Z5 Royal NEO. Lo atípico es que tiene una velocidad de 8000 MT/s, que suele ser más complicado de conseguir en módulos de alta capacidad y que en este caso tiene unos subtiempos altos pero dentro de lo razonable para su velocidad, 44-58-58. Se venderá en kits de dos módulos para un total de 128 GB.

En los últimos meses los analistas han venido avisando de que el precio de los chips de NAND y DRAM iban a empezar a subir el precio a medida que se fuera acercando el ecuador del año. Micron ha venido a confirmar lo dicho por los analistas, porque ha avisado de que va a subir formalmente sus precios a lo largo del año a medida que aumenta la demanda de sus chips usados en SSD y módulos de RAM para centros de datos.

La producción de memoria se centra en procesos litográficos que den los menores problemas posibles, y como se basa mayormente en condensadores que en transistores, la forma de medir las litografías de chips lógicos es de poca utilidad. Las compañías de DRAM están en procesos litográficos del orden de 10 nm, pero siguen evolucionándolos con diversas tecnologías, sin perder de vista que necesitan extrema fiabilidad para el buen funcionamiento de la DRAM. Así que Micron ha anunciado un nuevo proceso del orden de 10 nm, el 1γ (nm), pero en el que ha usado en esta ocasión maquinaria de luz ultravioleta extrema (UVE).

Samsung ha estado presente en la Conferencia de Circuitos de Estado Sólido (ISSCC) que celebra el IEEE, y ha anunciado novedades en el terreno de su LPDDR5. Es un terreno en el que la compañía tiene mucha experiencia y alto nivel de producción, sobre todo porque se utilizan procesos litográficos poco punteros para ello. Así que ha añadido un nuevo tipo de memoria LPDDR5, llamada LPDDR5 Ultra Pro, que alcanza los 12 700 MT/s.

Las empresas chinas han estado aumentando la producción de memoria DDR3 DDR4 desde hace un par de años con la idea de abaratar su coste y atacar a las sanciones de EUA en el terreno de los semiconductores. También está produciendo DDR5, pero está lejos de poder hacer lo mismo. Así que el panorama internacional está inundado con chips chinos de DDR3 y DDR4 que cuestan la mitad que los de las principales compañías occidentales o prooccidentales, las cuales son Samsung, SK Hynix y Micron. Debido a ello, podrían dejarla de producir antes de final de año.

G.Skill ha expandido su catálogo de módulos de RAM con un par de modelos interesantes para los que buscan la menor latencia posible que pueda beneficiar el rendimiento de su equipo en juegos. El primero de ellos es un módulo de DDR5-6400 con unos subtiempos de 28-39-39 y que se venderá en kits de dos módulos de 16 GB dentro de la serie Trident Z5 RGB. Integra perfiles XMP 3.0, aunque su compatibilidad con la plataforma de AMD es total.

Las empresas chinas dedicadas a la producción de chips de memoria, tanto NAND como DRAM, están avanzando rápidamente en sus sectores debido a que los chips de memoria no necesitan litografías punteras, sino que se producen con litografías maduras para eliminar errores en el movimiento de información dentro de la misma. Eso es crítico en este tipo de chips. Así que CXMT ha puesto a la venta en China sus chips de DDR5 que ya están llegando en módulos de distintos fabricantes, y falta el paso de que se puedan usar en cualquier PC. Así que MSI es la primera que da el paso de optimizar su funcionamiento en sus placas base B860. Luego vendrán el resto.