Etiqueta: Memoria

Intel no aumentará la producción de NAND, y llevará la de 3D XPoint a China

Intel no aumentará la producción de NAND, y llevará la de 3D XPoint a China
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13 may 2019

Intel está haciendo movimientos en el mundillo de la memoria no volátil, y ha anunciado varias acciones que va a tomar para mejorar la rentabilidad de esta división. La primera medida tiene que ver con la memoria NAND, cuya producción no va a expandir. Es lo que están haciendo todas las compañías productoras de NAND debido a motivos coyunturales, con una floja demanda y el constante aumento de la capacidad producida por oblea con las últimas tecnologías.

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Los Ryzen 3000 de sobremesa de AMD permitirían usar memoria DDR4 de hasta 5000 MHz

Los Ryzen 3000 de sobremesa de AMD permitirían usar memoria DDR4 de hasta 5000 MHz
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10 may 2019

El desarrollo de los procesadores Ryzen 3000 de sobremesa componiéndolos mediante un chip de control y un chíplet con los núcleos va a permitir a AMD eliminar ciertos problemas de su arquitectura Zen. Aparentemente la arquitectura Zen 2 de estos Ryzen 3000 permitiría usar por primera vez memoria DDR4 a altas frecuencias, y eso incluiría DDR4 a 5000 MHz. Al menos según información técnica descubierta en TechPowerUp.

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ADATA presenta los módulos de memoria XPG Spectrix D60G

ADATA presenta los módulos de memoria XPG Spectrix D60G
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18 abr 2019

ADATA, a través de su submarca de productos para jugones XPG, ha anunciado una nueva serie de módulos de memoria DDR4 con iluminación RGB integrada, la Spectrix D60G. La característica especial de estos módulos es el diseño de la cubierta que va sobre el módulo de RAM propiamente dicho, y eso incluye un difusor que hará mucho más visible esa iluminación.

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El módulo de 256 GB de memoria Optane persistente llega por 2668 dólares

El módulo de 256 GB de memoria Optane persistente llega por 2668 dólares
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08 abr 2019

Intel ha anunciado recientemente la segunda generación de los procesadores Xeon escalables y con ellos el poder usar memoria Optane como memoria principal del sistema. Con la importante ventaja, eso sí, de que es memoria persistente y por tanto ante pérdidas de corriente o reinicios la información se mantiene en esa memoria lista para usar, a diferencia de lo que ocurre con la DRAM normal.

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Análisis: DataTraveler Locker+ G3 de Kingston

Análisis: DataTraveler Locker+ G3 de Kingston
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06 abr 2019

Kingston es uno de los principales fabricantes de dispositivos que usan chips de memoria, tanto DRAM como NAND, y eso significa la creación de un muy variado catálogo de memorias USB. Entre ellos hay desde los más baratos hasta los no tan baratos como la DataTraveler Locker+ G3, que es una memoria USB que incluye encriptación de serie y una nueva característica de respaldo automático de la información en la nube que puede convertirlo en muy interesante.

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La RAM bajará otro 20 % este trimestre y seguirá así al menos hasta el tercero

La RAM bajará otro 20 % este trimestre y seguirá así al menos hasta el tercero
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03 abr 2019

Tras un par de duros años con precios alocados de los módulos de RAM, este 2019 será un buen momento para ampliar la memoria de los equipos. Aunque, eso sí, más de 16 GB en equipos destinados a jugar no aportan nada, y no lo aportan tampoco para un uso que no sea profesional. Otros indicadores están apuntando a que va a seguir bajando su precio hasta al menos el tercer trimestre del año.

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Samsung desarrolla nueva DRAM con un proceso de 1z nm para aplicaciones de alto rendimiento

Samsung desarrolla nueva DRAM con un proceso de 1z nm para aplicaciones de alto rendimiento
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21 mar 2019

El sector de los chips de DRAM evoluciona más lentamente en lo referente a los procesos litográficos de producción, y lo demuestra que en los tiempos de los procesadores a 7 nm la coreana Samsung anuncie su proceso a 1z nm como un gran logro. Y ciertamente lo es para el sector de la DRAM. «1z nm» se refiere a un proceso de producción entre los 12 y 14 nm, que no suele ser desvelado exactamente cuál es, como tampoco se desvela en el caso de la fabricación de chips de memoria NAND 3D.

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Samsung desarrolla la memoria HBM2E de hasta 3.2 GHz

Samsung desarrolla la memoria HBM2E de hasta 3.2 GHz
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20 mar 2019

Samsung es uno de los desarrolladores de la memoria de alto ancho de banda (HBM) junto con AMD y SK Hynix, y a pesar de la llegada de la memoria GDDR6 están evolucionando el estándar. Por eso ahora ha anunciado los chips HBM2E que mejoran sustancialmente su velocidad respecto a los últimos chips HBM2 desarrollados, que era de 2.4 GHz y fueron anunciado a principios de 2018.

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Los precios de la DRAM disminuirán su caída en el segundo trimestre

Los precios de la DRAM disminuirán su caída en el segundo trimestre
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05 mar 2019

Si bien el sector de la memoria NAND de las SSD ha tenido una continua caída de precios en 2018 y en este primer trimestre se ha detenido, el precio de la DRAM va a continuar su caída en el segundo trimestre. Pero, eso sí, según Nan Ya Technology Corporation prevén que la caída sea mucho menos pronunciada que en los últimos meses.

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