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Etiqueta: Memoria

Corsair anuncia la serie Vengeance RGB de DRR5 en formato CUDIMM

Corsair anuncia la serie Vengeance RGB de DRR5 en formato CUDIMM
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Corsair ha anunciado nuevos módulos de DDR5 en el formato CUDIMM, que es como el DIMM lo único que dentro del módulo se incluye el generador del reloj. Esto desactiva el del procesador o placa base con la idea de mejorar la estabilidad de funcionamiento a altas frecuencias. Por eso la serie Vengeance RGB CUDIMM va desde los 8000 MT/s hasta los 9200 MT/s, y no es de las series baratas.

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Solo Samsung habría finalizado la validación de su GDDR7 para las RTX 50

Solo Samsung habría finalizado la validación de su GDDR7 para las RTX 50
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Puede que Samsung no sea capaz de crear un proceso litográfico competitivo para crear chips lógicos, pero en el terreno de los chips de memoria la situación es distinta. Bueno, a medias. Con la cara HBM ha tenido algún problema con la generación más moderna que le ha llevado a retrasos en su validación por parte de NVIDIA, el gran comprador de este tipo de memoria, pero con la GDDR7 no tiene ninguno. De hecho, según los últimos rumores, ahora mismo NVIDIA solo habría validado la GDDR7 de Samsung para usarse con las RTX 50.

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Los fabricantes chinos de chips de DDR4 desplazan a los fabricantes surcoreanos por sus bajos precios

Los fabricantes chinos de chips de DDR4 desplazan a los fabricantes surcoreanos por sus bajos precios
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La industria de la DRAM ha experimentado cambios significativos debido a la guerra de los chips que se está librando entre China y EUA. Eso a llevado al país asiático a aumentar su producción para forzar el hundimiento de precios, lo cual podría llevar fuera del negocio a muchos fabricantes menores estadounidenses y de otros países. Así que no es de extrañar que empresas como Changxin Memory Technologies (CXMT) y Fujian Jinhua estén ofreciendo chips de DDR4 a precios hasta un 50 % más bajos que sus rivales surcoreanos, como Samsung y SK Hynix.

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Apacer anuncia la serie NOX RGB de memoria DDR5 de hasta 8000 MT/s

Apacer anuncia la serie NOX RGB de memoria DDR5 de hasta 8000 MT/s
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Apacer ha anunciado la serie NOX RGB de memoria DDR5. Tiene un diseño de 44 mm de altura, con dispersor de aluminio en color negro o blanco, y difusor de plástico en la parte superior con siete ledes de iluminación ARGB. Incluye las habituales características de este tipo de memoria, como el PMIC integrado y los chips con ECC integrado para la información que se mueve dentro de los propios chips.

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Desarrollan una versión de Python para el procesamiento en memoria que acelerará su adopción

Desarrollan una versión de Python para el procesamiento en memoria que acelerará su adopción
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En la búsqueda constante por optimizar el rendimiento de los sistemas informáticos, el procesamiento en memoria ha emergido como una solución prometedora para superar las limitaciones de la arquitectura tradicional de los PC. En ella se separa la CPU de la RAM, pero se enfrenta a desafíos significativos debido al creciente volumen de datos y la necesidad de mayores velocidades de procesamiento. El procesamiento en memoria (PIM) lleva a la RAM parte del procesamiento que realiza la CPU, pero faltaba alguna forma de simplificar el desarrollo de programas a ejecutar con PIM. Ahora existe PyPIM para que esta tecnología acelere su adopción.

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AMD mejora la memoria que pueden usar los Ryzen AI 300 a LPDDR5X-8000

AMD mejora la memoria que pueden usar los Ryzen AI 300 a LPDDR5X-8000
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AMD es bastante bien conocida por lanzar los procesadores y luego ir revisando el uso que hacen de la memoria. Es mucho más habitual en los procesadores de sobremesa a través de actualizaciones del BIOS que en portátiles, pero le ha tocado el turno a los Ryzen AI 300. Así que a partir de ahora el controlador de LPDDR5 que incluyen pueden usar chips de hasta 8000 MT/s en lugar de los 7500 MT/s anunciados inicialmente.

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SK Hynix anuncia su chip de HBM3E de 48 GB, la mayor capacidad del sector

SK Hynix anuncia su chip de HBM3E de 48 GB, la mayor capacidad del sector
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SK Hynix ha presentado sus chips de HBM3E de dieciséis capas con los cuales puede conseguir una capacidad de 48 GB por chip. Esto también le preoporciona un ancho de banda que alcanza los 1.28 TB/s, y está destinada a satisfacer la demanda de aplicaciones avanzadas de inteligencia artificial y computación de alto rendimiento. Aunque se espera que el mercado para memorias de 16 capas se amplíe con la próxima generación HBM4, SK Hynix planea ofrecer muestras a sus clientes de esta HBM3E a principios del próximo año.

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TeamGroup anuncia módulos de DDR5-7200 en formato CAMM2

TeamGroup anuncia módulos de DDR5-7200 en formato CAMM2
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TeamGroup ha presentado sus primeros módulos de memoria DDR5-7200 en formato CAMM2, diseñados para ofrecer velocidades de transferencia superiores a 100 GB/s. Estos módulos, parte de la línea T-Create, operan con unos subtiempos de 32-42-42-48, logrando velocidades de lectura, escritura y copia de 113 GB/s, 108 GB/s y 106 GB/s, respectivamente. Además, tras ajustes, la latencia se ha reducido a 55 ns desde 73,5 ns.

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La JEDEC publica el estándar del conector CAMM2 de LPDDR5

La JEDEC publica el estándar del conector CAMM2 de LPDDR5
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JEDEC ha publicado el estándar PS-007A para el conector CAMM2 de LPDDR5, conocido como LP5CAMM2, que establece una solución modular de memoria LPDDR5 pensada para dispositivos de bajo perfil que requieren bajo consumo y alto rendimiento. Este nuevo conector permite a los fabricantes integrar memoria de alto rendimiento en dispositivos compactos, mejorando la integridad de señal y reduciendo la interferencia de radiofrecuencia, problemas comunes en dispositivos de bajo perfil.

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