TSMC habla de su proceso de 2 nm, hasta un 15 % más de rendimiento usando GAAFET
TSMC no había hablado hasta ahora demasiado de su nodo litográfico de 2 nm (N2) el cual será el primero que usará un nuevo tipo de transistores que dejará atrás los FinFET. En este caso usará los GAAFET (transistor de efecto de campo de puerta envolvente) en el que el canal pasa a ser nanoláminas apiladas y la puerta envuelve totalmente a estas nanoláminas. Tiene ventajas de reducción de energía necesaria para hacer funcionar los transistores o menos corriente de fuga, entre otros. Ahora la compañía ha dado datos de la mejora que aportará este nodo N2.
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