El proceso N3E de TSMC llegaría en el T2 2023 con una alta productividad
TSMC ha aplazado un par de años más el inevitable paso a los transistores de efecto de campo de puerta amplia (GAAFET) que permitirá apilar los transistores para hacer los chips más eficientes. Su proceso de 3 nm —llama a este nodo «N3»— se mantiene con los FinFET y llegará en productos este mismo año, aunque de manera limitada. Mayormente, al próximo iPhone de Apple. El siguiente nodo litográfico en la lista de lanzamiento es el N3E en el cual TSMC estaría obteniendo ya una alta productividad.
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