TSMC asegura que la litografía N2 estará lista en 2025, la N2P en 2026, y añade una N2X
TSMC está centrada en conseguir buenos niveles de productividad de su proceso litográfico de 3 nm, a la vez que capea el desplome de ventas que están teniendo las fundiciones de chips por la coyuntura económica. Pero poniendo la mirada en el futuro, ha dado más detalles sobre su itinerario para los procesos litográficos de 2 nm (N2), siendo este el primero que trascenderá los FinFET y pasará a usar los GAAFET (transistor de efecto de campo de puerta envolvente). Espera usarlo en producción en masa para algún momento de 2025.
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