Samsung e IBM desarrollan el VTFET para reducir hasta un 85 % el consumo respecto al FinFET

Los fabricantes de chips están teniendo que ingeniárselas para trascender a la actual estructura normalizada de los transistores, y sobre todo la muy utilizada estructura FinFET. Van a llegar al mercado los primeros chips en el que los transistores están apilados unos sobre otros, o más bien el canal en forma de nanoláminas o nanotubos (GAAFET), pero su estructura sigue siendo horizontal sobre el chip. IBM y Samsung han anunciado la implementación real de los VTFET (transistores de efecto de campo de transporte vertical) que trascienden a los GAAFET ya que las partes del transistor están creadas verticalmente.
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