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Solo dos empresas están manteniendo el tipo en la lucha por tener los procesos litográficos más avanzados de fabricación de chips, Samsung y TSMC. Si a esto le unimos que hay una altísima demanda de los procesos de producción a 7 nm, da como resultado crecientes tiempos de espera a la hora de asegurarse la producción de chips.

GlobalFoundries ha pasado a un tercer plano en el sector de la producción de chips tras fracasar estrepitosamente en el desarrollo de un proceso litográfico a 7 nm. Podría haber sido la primera en conseguirlo, pero el 28 de agosto del año pasado dijo que tiraba la toalla, dejando a AMD ligeramente tocada y forzada a retrasar ligeramente sus planes de producción de chips, aunque previó la situación a tiempo y el retraso no fue importante.

Hay una pequeña guerra abierta entre Samsung y TSMC para desarrollar los procesadores litográficos más avanzados y captar el máximo de clientes, y de momento TSMC está aportando nuevos nodos a una velocidad asombrosa. Aunque, como ocurre en este caso, sean optimizaciones de nodos existentes pero que tienen buena acogida en cierto tipo de clientes de la compañía.

TMSC está en una lucha con Samsung por ser la fundición de chips más avanzada del mundo, y ambas tienen la vista puesta en el proceso de 3 nm, ya que el de 5 nm está a la vuelta de la esquina. La compañía ha asegurado que el desarrollo de su proceso de 3 nm sigue viento en popa, y que han hablado con diversos clientes sobre la vía de desarrollo de esta tecnología.

TSMC sigue fortaleciendo su producción de chips con el anuncio de que los primeros con la litografía 7 nm+ (N7+) ya han entrado en producción para sus clientes. Aunque no lo ha indicado directamente, algunas fuentes apuntan a que sería los procesadores Kirin 985 de Huawei así como el A13 de Apple. Huawei de momento no ha tenido problemas para seguir trabajando con TSMC, a pesar del veto de ARM a la compañía; no afecta a los productos en los que ya estaba trabajando.

TSMC está manteniendo vivo el desarrollo de procesos litográficos de creación de chips con un único competidor en el mundo como es Samsung. El resto de compañías se han ido descolgando, y eso está beneficiando aún más a TSMC con nuevas inyecciones de dinero para seguir su investigación. Recientemente anunció su proceso litográfico de 6 nm y esta semana ha hablado más sobre él.

TSMC compite con Samsung en lo que a tecnologías de fabricación de chips se refiere, y uno de los métodos más interesantes que están preparando es el de oblea sobre oblea. Es un método de fabricación avanzado que permite apilar dos obleas de chips y unir los distintos chips mediante vías a través de silicio, creando así «chips 3D». No es que no tuvieran grosor antes, pero el concepto en este mundillo es que todo lo apilable es 3D, como la NAND 3D.

TSMC ha cosechado un gran éxito con su proceso litográfico de 7 nm (N7), y ahora ha presentado una mejora incremental con su proceso de 6 nm (N6), con mejoras en el rendimiento-coste de la producción de chips. La compañía ha indicado que el proceso de migración de proyectos del proceso N7 al N6 es directa, sin complicaciones, y por tanto se puede conseguir poner en el mercado rápidamente los nuevos diseños a 6 nm.

TSMC ha cogido distancia en el sector de la fabricación de chips con su proceso de fabricación a 7 nm, y no va a aflojar en su apuesta por el I+D. Teniendo en cuenta que solo Samsung y ella están manteniendo un ritmo de reducción litográfica de fabricación de chips, en 2020 van a llegar los primeros chips a una litografía de 5 nm de la mano de TSMC tras el anuncio de que ha finalizado el desarrollo de las herramientas necesarias para diseñar sistemas en chip (SoC) en esta litografía.

TSMC mantiene un buen ritmo de innovación en los procesos litográficos de fabricación de chips, y en marzo va a dar comienzo a la producción de masa con la segunda generación a 7 nm. La generación actual se basa en la producción de obleas usando patrones múltiples pero con luz ultravioleta más común en el sector, y en la siguiente generación se utilizará luz ultravioleta extrema (UVE) que disminuye la longitud de onda de luz que se usa para crear las distintas capas.