Etiqueta: SK Hynix

La memoria GDDR6 de SK Hynix llegará inicialmente a los 14 Gbps

La memoria GDDR6 de SK Hynix llegará inicialmente a los 14 Gbps
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16 may 2017

Los fabricantes de memoria para tarjetas gráficas están ocupados preparándose para la producción de los chips que se usarán en los próximos modelos de gama alta. Eso incluye por un lado la memoria HBM2, utilizada en la tarjeta Tesla V100 de arquitectura Volta de Nvidia a 1.6 GHz, pero también la más común GDDR6 que llegará a finales de año o principios de 2018.

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SK Hynix muestra el primer chip y oblea de memoria GDDR6

SK Hynix muestra el primer chip y oblea de memoria GDDR6
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10 may 2017

Los fabricantes de chips de memoria están preparándose para tener lista la GDDR6 para finales de año o principios de 2018. En el caso de SK Hynix, la que está preparando funciona a 16 GHz, que es bastante más que la memoria GDDR5X a 12 GHz, y ahora ha mostrado los primeros chips de prueba durante el GTC 2017.

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SK Hynix anuncia la primera memoria NAND 3D de 72 capas, la de mayor densidad hasta ahora

SK Hynix anuncia la primera memoria NAND 3D de 72 capas, la de mayor densidad hasta ahora
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10 abr 2017

Los fabricantes de memoria están ampliando sus fábricas y construyendo nuevas a marchas forzadas para cubrir la fuerte demanda de memoria RAM y NAND. Pero eso no evita que sigan con su ritmo de investigación habitual, que indirectamente también ayuda a cubrir la demanda al aumentar la densidad de información por chip. SK Hynix acaba de anunciar su memoria NAND 3D de 72 capas.

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SK Hynix anuncia su chip de 8 GB de memoria LPDDR4X para los teléfonos insignia de 2017

SK Hynix anuncia su chip de 8 GB de memoria LPDDR4X para los teléfonos insignia de 2017
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09 ene 2017

Siguiendo la estela de Samsung, la también coreana SK Hynix ha anunciado que ya tiene listo un paquete de 8 GB de memoria LPDDR4X. La fabricación de este tipo de chips es fundamental ya que la memoria en teléfonos suele ir sobre el procesador creando un único paquete, o por debajo de él, para ahorrar espacio, consumo y acelerar la comunicación entre procesador y memoria.

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