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Etiqueta: SK Hynix

SK Hynix pone a la venta su SSD externa Beetle X31

SK Hynix pone a la venta su SSD externa Beetle X31
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22 jun 2023

SK Hynix ha anunciado su primera SSD externa para el sector consumo. Se trata de la Beetle X31, un modelo que se venderá en capacidades de 512 GB y 1 TB, con un diseño externo en aluminio dorado bastante bonito, con buenas líneas, y que según la compañía recuerda a un escarabajo. Se vende junto a una funda de protección transparente de silicona.

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SK Hynix inicia la producción en masa de su NAND 3D de 238 capas

SK Hynix inicia la producción en masa de su NAND 3D de 238 capas
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08 jun 2023

Aunque el sector de la memoria NAND 3D está patas arriba por el hundimiento de precios, SK Hynix continúa con sus planes de desarrollo de nuevos chips. Ahora ha anunciado el inicio de la producción en masa de lo que llama «NAND 4D» con 238 capas, que supone un 35 % más de bits por chip frente a la anterior NAND de 176 capas. Los chips alcanzan una velocidad de 2.4 Gb/s, un 50 % más que la generación anterior, con un aumento de velocidades de lectura y escritura de en torno a un 20 %.

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SK Hynix prepara la memoria HBM3E que aumenta un 25 % el ancho de banda

SK Hynix prepara la memoria HBM3E que aumenta un 25 % el ancho de banda
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30 may 2023

SK Hynix es el principal productor de memoria de alto ancho de banda (HBM) y ahora ha dado un paso para mejorarla con unos nuevos chips que aumentarán la frecuencia de funcionamiento hasta los 8 Gb/s. Este tipo de memoria recibe el nombre por ahora de HBM3E, y va a ser producida utilizando el proceso litográfico de 1ß nm (o 1b nm) de la compañía, un proceso en torno a los 10 nm.

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SK Hynix cree que el sector de la DRAM y NAND ha tocado fondo, aunque sus ingresos se desplomaron un 58 %

SK Hynix cree que el sector de la DRAM y NAND ha tocado fondo, aunque sus ingresos se desplomaron un 58 %
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28 abr 2023

El desplome de ventas en el sector PC en los últimos meses, que se sitúa por encima del 30 %, ha afectado especialmente a los productores de chips de memoria, tanto NAND como DRAM, lo que les está llevando a un duro 2023. Los tres productores importantes se han afectado de manera similar, y en el caso de SK Hynix, ha indicado que en el primer trimestre del año sus ingresos se desplomaron un 58 % interanualmente, así como un 34 % intertrimestralmente.

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EUA pide a SK Hynix y Samsung que si China veta a Micron no cubran la demanda que se generaría

EUA pide a SK Hynix y Samsung que si China veta a Micron no cubran la demanda que se generaría
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24 abr 2023

China y EUA están en una guerra fría tecnológica que en el caso de los estadounidenses está arrastrando a terceros países sin nada a cambio. Ante las continuas prohibiciones de venta de tecnología a China o de compra de chips producidos en China, el gigante asiático está valorando prohibir la compra en el país de chips de la estadounidense Micron. Eso llevaría a las compañías chinas a tener que comprar los chips de SK Hynix y Samsung, los otros dos principales fabricantes. Para evitarlo, EUA las ha pedido que no cubran esa demanda en caso de que se genere.

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SK Hynix crea chips de HBM3 de 24 GB para cubrir la explosión de demanda que está por venir

SK Hynix crea chips de HBM3 de 24 GB para cubrir la explosión de demanda que está por venir
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20 abr 2023

La memoria de alto ancho de banda (HBM) llegó al mercado como un codesarrollo de SK Hynix y AMD, llegándola a usar en algunas Radeon. Pero las ventajas que tiene de latencia en ciertos escenarios no compensa respecto a usar una GDDR6 mucho más barata de producir y sobre todo de integrar en las tarjetas gráficas. Al menos en las orientadas a jugones, porque para el sector empresarial y centros de datos su demanda está en aumento gracias a las aceleradoras de NVIDIA. SK Hynix es la única que produce HBM3 actualmente, y ahora intenta hacer frente a la explosión de demanda que se avecina.

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SK Hynix habla de su NAND 3D de 300 capas para la próxima generación de SSD

SK Hynix habla de su NAND 3D de 300 capas para la próxima generación de SSD
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20 mar 2023

Los fabricantes de memoria NAND 3D, la usada en las unidades de estado sólido, han pegado un frenazo en el desarrollo y producción de los chips de mayor densidad de bits. Es un sector que ha visto desplomarse sus ingresos en los últimos meses y no se espera que vuelvan a un crecimiento en este terreno hasta la segunda mitad del año. Por eso aunque SK Hynix ha hablado de su memoria NAND 3D de 300 capas no se espera que esté en el mercado hasta 2025, o con suerte finales de 2024.

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SK Hynix anuncia la memoria LPDDR5T, la más rápida para dispositivos móviles

SK Hynix anuncia la memoria LPDDR5T, la más rápida para dispositivos móviles
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25 ene 2023

Se ha llegado a un punto en el que las compañías de chips de memoria desarrollan sus invenciones y luego ya llegará la JEDEC para validarlas. Un clásico dentro del sector. Pero ahora están surgiendo cada vez más estándares de memoria específicos de ciertas compañías, y la LPDDR5T de SK Hynix es uno de ellos. La te final del nombre significa 'turbo', y de ahí que asegura que es la más rápida del sector, usada principalmente por dispositivos móviles —portátiles, tabletas, teléfonos, etc..

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SK Hynix desarrolla nuevos módulos de DDR5 con multiplexación para duplicar su velocidad

SK Hynix desarrolla nuevos módulos de DDR5 con multiplexación para duplicar su velocidad
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08 dic 2022

SK Hynix ha desarrollado junto a Intel y Renesas una nueva tecnología de acceso a módulos de memoria denominada multimplexación de filas combinadas (MCR, multiplexer combined ranks). Normalmente los módulos de memoria que tienen dos filas o hileras de chips accesibles de manera no simultánea debido a la conexión de 64 octetos con el procesador, o 72 con código de corrección de errores (ECC). MCR lo que permite es el acceso simultáneo a ambas filas, duplicando en la práctica la tasa de transferencia entre RAM y CPU.

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SK Hynix desarrolla su memoria LPDDR5X de 8.5 Gb/s con un proceso 1a nm HKMG

SK Hynix desarrolla su memoria LPDDR5X de 8.5 Gb/s con un proceso 1a nm HKMG
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10 nov 2022

SK Hynix ha anunciado la aplicación de sus técnicas de fabricación basadas en puertas metálicas de alta constante dieléctrica (HKMG) para producir memoria LPDDR5X de alta velocidad. Estas técnicas ya las aplicó para empezar a producir el año pasado su memoria LPDDR4X con un proceso litográfico de 1a nm. Los procesos de memoria no son los mismos que los que se usan en los chips lógicos, pero 1a nm vendría a ser en torno a los 10-12 nm.

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