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Etiqueta: SK Hynix

SK Hynix recorta la producción de NAND 3D y frena sus planes de expansión

SK Hynix recorta la producción de NAND 3D y frena sus planes de expansión
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29 jul 2019

Los fabricantes de memoria NAND 3D para las unidades de estado sólido están ajustando su producción en un intento de evitar que siga cayendo su precio. La próxima llegada de métodos más avanzados de producción, como la creación de chips de 128 capas o las memorias NAND 4D que aumentan la cantidad de memoria obtenida por oblea, afectarán a la baja su precio.

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SK Hynix empieza la producción en masa de su NAND 4D de 128 capas

SK Hynix empieza la producción en masa de su NAND 4D de 128 capas
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26 jun 2019

Los fabricantes de memoria NAND tienen su mejor baza a la hora de reducir costes de producción en aumentar la cantidad de gigas que extraen de cada oblea. Lo necesitan porque los márgenes de beneficios han bajado sustancialmente desde hace algo más de un año, y por tanto es un sector cada vez menos lucrativo. Hasta que vuelva a haber un repunte de demanda, pero no parece que vaya a ocurrir pronto viendo la coyuntura económica internacional.

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SK Hynix da detalles de su memoria DDR5 de 6400 MHz

SK Hynix da detalles de su memoria DDR5 de 6400 MHz
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26 feb 2019

SK Hynix está preparada para poner en el mercado módulos de DDR5 de diversas velocidades, empezando por la de 5200 MHz. Si bien no es un estándar que varíe mucho de la memoria DDR4, las frecuencias de partida son sustancialmente mayores, y tiene el potencial de llegar a velocidad de 6400 MHz en un corto espacio de tiempo. De hecho, SK Hynix ha anunciado algunos detalles de la memoria DDR5-6400 que tiene también en preparación.

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SK Hynix tendrá lista la memoria DDR5 para 2020, y tiene en desarrollo la DDR6

SK Hynix tendrá lista la memoria DDR5 para 2020, y tiene en desarrollo la DDR6
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28 ene 2019

La novedad de este año en el sector de los PC van a ser los componentes que usen una interfaz PCIe 4.0, como los procesadores Ryzen 3000 de sobremesa, alguna tarjeta gráfica de AMD, y las placas base relacionadas. Pero en 2020, en algo más de un año, llegarán nuevos módulos de RAM a las tiendas, de tipo DDR5. Estos módulos contarán de partida con 5200 MHz, frente al mínimo de 2133 MHz de la DDR4, por lo que la mejora será más que sustancial, si bien no se notará esa velocidad extra en todos los escenarios. Probablemente sí se note con las tarjetas gráficas más caras y en entornos profesionales que hagan un uso intenso de la memoria.

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China dice tener evidencias de que SK Hynix, Micron y Samsung han pactado los precios de la DRAM

China dice tener evidencias de que SK Hynix, Micron y Samsung han pactado los precios de la DRAM
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20 nov 2018

Los chips de DRAM se han mantenido extremadamente altos durante los últimos dos años, y solo es ahora cuando parece que están bajando el precio de los módulos y de los chips que van a otros productos como teléfonos y tabletas. China ha estado investigando esta situación en la que los precios de DRAM se podrían haber mantenido artificialmente altos, o lo que comúnmente se llama pactar precios.

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SK Hynix tiene lista su memoria DDR5 de 5200 MHz en chips de 16 Gb a 1Y nm

SK Hynix tiene lista su memoria DDR5 de 5200 MHz en chips de 16 Gb a 1Y nm
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15 nov 2018

Micron anunció en octubre que tenía casi lista su memoria DDR5 gracias a su colaboración con Cadence, y que llegarían los módulos a finales de 2019, inicialmente para el sector de los centros de datos. SK Hynix ahora ha anunciado que también tiene listos sus chips DRAM de tipo DDR5, en una capacidad de 16 Gb (2 GB), e indica que es el primero en cumplir con los estándares del JEDEC.

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SK Hynix desarrolla chips DRAM de 8 Gb con un proceso de 1Y nm

SK Hynix desarrolla chips DRAM de 8 Gb con un proceso de 1Y nm
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12 nov 2018

Dentro de los desarrollos que está realizando SK Hynix relacionados con la capacidad de sus chips de DRAM y NAND, hace unos días anunció unos NAND 3D de 512 Gb y ahora ha anunciado unos nuevos de DRAM. Estos chips está fabricados con un proceso litográfico de 1Y nm, lo que quiere decir que es un proceso que puede ir desde los 14 nm hasta los 16 nm. Son de tipo DDR4, y es un avance teniendo en cuenta que la anterior generación de chips se situaba en los 1X nm, que es de 16 a 19 nm.

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SK Hynix introduce sus chips NAND 3D de tipo TLC con 96 capas y 512 Gb

SK Hynix introduce sus chips NAND 3D de tipo TLC con 96 capas y 512 Gb
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06 nov 2018

SK Hynix anunció en agosto el desarrollo de un nuevo tipo de memoria NAND 3D al que denominó de manera desafortunada como NAND 4D. «NAND 3D» hace referencia a que se usan las tres dimensiones para estos chips en lugar de hacerse eminentemente en los ejes x-y, y «4D» no significa que tenga que ver nada con el tiempo, la cuarta dimensión en física. Tiene que ver con un pequeño pero gran movimiento a la hora de construir las celdas de que se componen los chips de NAND para hacerlos más compactos.

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Samsung y SK Hynix podrían aplazar la expansión de producción de NAND y DRAM

Samsung y SK Hynix podrían aplazar la expansión de producción de NAND y DRAM
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06 sep 2018

Dos de los principales productores de memoria NAND y DRAM, Samsung y SK Hynix, han ido estableciendo en el último año y medio unos planes de expansión de producción con la creación de nuevas fábricas. Pero en los últimos meses la memoria NAND ha bajado notablemente de precio, y la memoria DRAM empieza a bajar, por lo que ya empiezan a oírse rumores de que ambas compañías estarían analizando detener sus planes de expansión.

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