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Los fabricantes de memoria DDR5 se preparan para el lanzamiento de sus chips que funciona a 9.6 Gb/s, lo cual será un empujón adicional al ancho de banda de memoria frente a la actual ampliamente disponible de 6400 Gb/s, o la más restringida de 8.6 Gb/s. Tanto Micron como SK Hynix están en la fase de ganar contratos con los fabricantes de móviles gracias al anuncio del Snapdragon 8 Gen 3 porque sus chips de memoria LPDDR5X son compatibles con este procesador. En el caso de SK Hynix, la ha llamado LPDDR5T, con la -T de «turbo» por el postureo publicitario.

La guerra tecnológica (y económica) en curso entre China y EUA ha levantado las suspicacias de aquellas empresas que los Estados Unidos de América intenta que abran nuevas fábricas en el país. Una de las medidas de los EUA más polémicas fue la prohibición de que las empresas que accedieran al fondo CHIPS estadounidense pudieran expandir sus fábricas de producción de chips en China. Todas las empresas importantes de semiconductores tienen alguna fábrica en suelo del gigante asiático, así que Samsung o SK Hynix presionaron para que hubiera un cambio de opinión del (des)gobierno de Biden. Y lo han conseguido.

La explosión en la demanda de procesadores para inteligencia artificial para el sector de los centros de datos está espoleando el desarrollo de los productos relacionados. Por ejemplo, la memoria de vídeo HBM usada en las principales aceleradoras del mercado, sobre todo las de NVIDIA, por lo cual SK Hynix ha anunciado que su HBM3E entrará en producción en masa en la primera mitad de 2024. Para entonces se espera que NVIDIA anuncie su nueva generación de tarjetas para cómputo, por lo que las fechas encajan bien con las necesidades del sector.

SK Hynix anunció en enero la memoria LPDDR5T, teniendo en cuenta que la T final significa 'turbo', y de ahí que diga que según la compañía sea la más rápida del sector, usada principalmente por dispositivos móviles —portátiles, tabletas, teléfonos, etc.—. Ahora ha sido validada a su velocidad de 9.6 Gb/s en dispositivos de Mediatek, por lo que parece que está casi lista para llegar al mercado de consumo a principios de 2024.

SK Hynix sigue evolucionando su memoria NAND 4D, que es como llama a la memoria NAND 3D que produce por mover los circuitos periféricos debajo de los chips de memoria. Eso es algo que hacen todos los fabricantes ahora mismo, pero no por ello han pasado a llamarla todos NAND 4D. Sea como sea, ahora la compañía ha anunciado el desarrollo de chips de memoria NAND 3D que incluyen 321 capas de memoria para una capacidad total por chip de 1 Tb (128 GB), que es la más avanzada por ahora presentada.

Los servidores actuales se están quedando pequeños para la cantidad de memoria y potencia de cómputo que necesita la ejecución de los grandes modelos de lenguaje (LLM) que usan las inteligencias artificiales generativas (IAG). Con la revolución iniciada por ChatGPT el pasado noviembre, todas las empresas están corriendo a hacerse con más y más potencia de cómputo, lo cual se traduce en más servidores vendidos y sus componentes como la DRAM. Esa demanda es lo que ha mantenido a flote a empresas como SK Hynix y ha evitado un desastre mayor por el deplome de demanda del sector consumo.

Con el sustancial aumento de potencia de los portátiles que han llegado este 2023, hay cada vez más gente que está prescindiendo del PC de sobremesa. Pero los que le den un uso más profesional necesitan más de los 64 GB que pueden instalar con los módulos SO-DIMM de DDR5 actuales. Para ellos, SK Hynix ha empezado a vender módulos de 24 GB y 48 GB de RAM en ese formato SO-DIMM, empezando por China.

SK Hynix ha anunciado su primera SSD externa para el sector consumo. Se trata de la Beetle X31, un modelo que se venderá en capacidades de 512 GB y 1 TB, con un diseño externo en aluminio dorado bastante bonito, con buenas líneas, y que según la compañía recuerda a un escarabajo. Se vende junto a una funda de protección transparente de silicona.

Aunque el sector de la memoria NAND 3D está patas arriba por el hundimiento de precios, SK Hynix continúa con sus planes de desarrollo de nuevos chips. Ahora ha anunciado el inicio de la producción en masa de lo que llama «NAND 4D» con 238 capas, que supone un 35 % más de bits por chip frente a la anterior NAND de 176 capas. Los chips alcanzan una velocidad de 2.4 Gb/s, un 50 % más que la generación anterior, con un aumento de velocidades de lectura y escritura de en torno a un 20 %.

SK Hynix es el principal productor de memoria de alto ancho de banda (HBM) y ahora ha dado un paso para mejorarla con unos nuevos chips que aumentarán la frecuencia de funcionamiento hasta los 8 Gb/s. Este tipo de memoria recibe el nombre por ahora de HBM3E, y va a ser producida utilizando el proceso litográfico de 1ß nm (o 1b nm) de la compañía, un proceso en torno a los 10 nm.