SK Hynix ha anunciado el inicio de la producción en masa de sus chips de memoria de alto ancho de banda de tercera generación mejorada (HBM3E), lo cual ayudará a que aumenten sus ingresos debido a la alta demanda que tiene toda la HBM en general. La compañía destaca que su entrada en producción llega siete meses después de terminar el desarrollo de estos chips de memoria, pero teniendo en cuenta que es una mejora incremental tampoco es que sea un récord.
La HBM3E lleva el ancho de banda total a 1.15 TB/s por chip de memoria, y normalmente se incluyen cuatro encapsulados junto a la GPU, por lo que próximamente llegarán procesadores de cómputo que tendrán un ancho de banda de hasta 4.6 TB/s. Las mejores tarjetas gráficas para jugar y las generalistas de cómputo tienen un ancho de banda de memoria en torno a 1 TB/s. La nueva B200 de NVIDIA, que incluye dos GPU unidas funcionando como una, tiene ocho chips HBM3E para 8 TB/s de ancho de banda, aunque usa los chips de Micron.
SK Hynix también destaca de estos chips que mejoran un 10 % la disipación de calor respecto a los de HBM3 gracias a una mejora en el proceso de relleno inferior moldeado por reflujo en masa (MR-MUF), una segunda generación usando la misma maquinaria. Se dice que Samsung está cambiando de maquinaria a esta MR-MUF porque su productividad de chips HBM es muy baja.
