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SK Hynix sigue mejorando los nodos de producción de memoria, que por temas de fiabilidad no están tan evolucionados los de chips lógicos que los de memoria. Ahora la compañía ha anunciado el desarrollo de su primer chip de memoria usando un nodo de 1c nm, que es algo así como 10 nm si se tradujera al término en función del tamaño de los transistores.

Las próximas generaciones de tarjetas gráficas de NVIDIA, AMD e Intel van a usar previsiblemente memoria GDDR7 para alguno de los modelos, empezando sobre todo por NVIDIA y su serie RTX 50. Es probable que no lleguen hasta principios de 2025, al menos según los últimos rumores, a lo cual apunta también los plazos de producción en masa de Samsung, Micron y SK Hynix. Esta última ha indicado que empezará con su producción en este tercer trimestre del año.

SK Hynix sigue con el desarrollo de sus chips de GDDR7, los cuales han entrado en producción en masa en las instalaciones de Micron, mientras que Samsung está a punto de meterla en producción. Va con un poco de retraso, pero tampoco demasiado porque llegarán inicialmente un poco más avanzados que los de Micron. Ahora la compañía sitúa la producción en masa de sus chips de GDDR7 en el primer trimestre de 2025, por lo que a partir de mediados del año se podrán encontrar tarjetas gráficas que los usen, aunque no estará limitado a ellas.

La produción de la memoria DDR3 empezó en 2007, y a pesar de que la DDR4 llegó en 2014 se sigue vendiendo para proyectos de larga duración. Pero esos proyectos tendran que transicionar a la DDR4 porque Samsung y SK Hynix van a dejar de producirla, al menos según se indican en las últimas informaciones procedentes de China.

SK Hynix está bastante avanzada en el desarrollo de la HBM4, que debería de estar en el mercado el próximo año. Le reportará pingües beneficios si sigue la locura de la inteligencia artificial, porque se usa principalmente para cómputo. Ahora ha anunciado el inicio del desarrollo de la HBM4e, una mejora incremental y que por tanto requiere menos desarrollo que la de la HBM4. Lo ha indicado Kim Gwi-Wook, director de la tecnología HBM en SK Hynix, aunque ha dado muy escasa información sobre ella.

La locura por la inteligencia artificial sigue tirando de las ventas del sector tecnológico y es lo que evitó que el año pasado los fabricantes de chips de NAND y DRAM experimentaran un desastre mayor del que vivieron. Pero ahora los fabricantes de memoria de alto ancho de banda (HBM) están haciendo el agosto por la sobredemanda, lo cual está haciendo que ya tengan toda la producción futura de chips hasta la de mediados de 2025.

La memoria de alto ancho de banda (HBM) es una necesaria para el sector de los centros de datos debido a, precisamente, el alto ancho de banda que permite en la comunicación entre procesadores y la propia memoria. Es muy superior a la que permite la GDDR6, y próximamente GDDR7, usada en tarjetas gráficas. La mejora del estándar es cada vez más complicada de llevar a la práctica, y en el caso de SK Hynix ha preferido buscar ayuda en TSMC para el desarrollo de parte de los chips de HBM4.

La producción actual de chips punteros está fuertemente limitada por las técnicas avanzadas de encapsulado que necesitan. No tanto en el sector consumo como en el sector empresarial, ya que NVIDIA se enfrenta a esa limitación de TSMC para vender más aceleradoras como la recientemente anunciada B200. Pero los fabricantes de memoria también precisan de procesos avanzados de encapsulado, que principalmente son para la muy rentable HBM. SK Hynix invertiría para crear una nueva fábrica de encapsulado más de 4000 M$, según el Wall Street Journal.

SK Hynix ha aprovechado la actual GTC, de las que NVIDIA celebra varias todos los años, para mostrar la serie Platinum P51 de SSD. Se venderá en formato M.2 2280, y es una de las más rápidas presentadas hasta el momento ya que dispone de una interfaz PCIe 5.0 ×4 con un protocolo NVMe 2.0. El controlador es propio de SK Hynix, dispone de SLC de caché y una DRAM de búfer.

SK Hynix ha anunciado el inicio de la producción en masa de sus chips de memoria de alto ancho de banda de tercera generación mejorada (HBM3E), lo cual ayudará a que aumenten sus ingresos debido a la alta demanda que tiene toda la HBM en general. La compañía destaca que su entrada en producción llega siete meses después de terminar el desarrollo de estos chips de memoria, pero teniendo en cuenta que es una mejora incremental tampoco es que sea un récord.