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SK Hynix está bastante avanzada en el desarrollo de la HBM4, que debería de estar en el mercado el próximo año. Le reportará pingües beneficios si sigue la locura de la inteligencia artificial, porque se usa principalmente para cómputo. Ahora ha anunciado el inicio del desarrollo de la HBM4e, una mejora incremental y que por tanto requiere menos desarrollo que la de la HBM4. Lo ha indicado Kim Gwi-Wook, director de la tecnología HBM en SK Hynix, aunque ha dado muy escasa información sobre ella.

La locura por la inteligencia artificial sigue tirando de las ventas del sector tecnológico y es lo que evitó que el año pasado los fabricantes de chips de NAND y DRAM experimentaran un desastre mayor del que vivieron. Pero ahora los fabricantes de memoria de alto ancho de banda (HBM) están haciendo el agosto por la sobredemanda, lo cual está haciendo que ya tengan toda la producción futura de chips hasta la de mediados de 2025.

La memoria de alto ancho de banda (HBM) es una necesaria para el sector de los centros de datos debido a, precisamente, el alto ancho de banda que permite en la comunicación entre procesadores y la propia memoria. Es muy superior a la que permite la GDDR6, y próximamente GDDR7, usada en tarjetas gráficas. La mejora del estándar es cada vez más complicada de llevar a la práctica, y en el caso de SK Hynix ha preferido buscar ayuda en TSMC para el desarrollo de parte de los chips de HBM4.

La producción actual de chips punteros está fuertemente limitada por las técnicas avanzadas de encapsulado que necesitan. No tanto en el sector consumo como en el sector empresarial, ya que NVIDIA se enfrenta a esa limitación de TSMC para vender más aceleradoras como la recientemente anunciada B200. Pero los fabricantes de memoria también precisan de procesos avanzados de encapsulado, que principalmente son para la muy rentable HBM. SK Hynix invertiría para crear una nueva fábrica de encapsulado más de 4000 M$, según el Wall Street Journal.

SK Hynix ha aprovechado la actual GTC, de las que NVIDIA celebra varias todos los años, para mostrar la serie Platinum P51 de SSD. Se venderá en formato M.2 2280, y es una de las más rápidas presentadas hasta el momento ya que dispone de una interfaz PCIe 5.0 ×4 con un protocolo NVMe 2.0. El controlador es propio de SK Hynix, dispone de SLC de caché y una DRAM de búfer.

SK Hynix ha anunciado el inicio de la producción en masa de sus chips de memoria de alto ancho de banda de tercera generación mejorada (HBM3E), lo cual ayudará a que aumenten sus ingresos debido a la alta demanda que tiene toda la HBM en general. La compañía destaca que su entrada en producción llega siete meses después de terminar el desarrollo de estos chips de memoria, pero teniendo en cuenta que es una mejora incremental tampoco es que sea un récord.

La memoria de alto ancho de banda (HBM) es la que se está usando principalmente en las mejores aceleradoras de computación y en otros procesadores para centros de datos. SK Hynix y Samsung han mantenido el control de su producción, aunque también debido a que la GDDR6 es más barata de producir y de incluir en tarjetas gráficas y aceleradoras menos potentes. La HBM debe ir encapsulada junto al procesador, y la capacidad de encapsulamiento avanzado también es limitada. Sea como Sea, entre unas cosas y otras, SK Hynix ha dicho que tiene ya vendida toda la HBM que va a producir en 2024.

El fabricante surcoreano SK Hynix, uno de los principales productores de chips de memoria junto con Samsung y Micron Technology, ha seleccionado Indiana como la ubicación para su nueva planta de encapsulado 3D. Se especializará en apilar pastillas de DRAM para crear chips de memoria de alto ancho de banda (HBM) que luego se integrarán con las GPU de Nvidia para el sector HPC.

Las próximas jornadas de la Conferencia de Circuitos de Estado Sólido (SSCC) del IEEE va a ser bastante movido en cuanto a novedades. Si Samsung va a mostrar su segunda generación de GDDR7, SK Hynix, el otro gran producto de chips de memoria, va a mostrar una novedades importantes. La primera es su propia GDDR7, aunque en este caso es un chip de 2 GB (16 Gb) funcionando a 35.4 Gb/s, que es un poco menos que lo que Samsung va a mostrar.

SK Hynix es uno de los principales productores de chips de NAND y DRAM, y como tal se vio fuertemente impactado por el desplome del consumo que se produjo a mediados de 2022. Ha perdido miles de millones de dólares desde entonces, pero tras un gran recorte de producción, dando salida a todo el inventario no vendido, se ha corregido el rumbo en el último trimestre de 2023. La compañía ha informado de unos ingresos de 8490 millonres de dólares, un 47 % más que en el T4 2022, y un 25 % más intertrimestral.