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La memoria de alto ancho de banda (HBM) llegó al mercado como un codesarrollo de SK Hynix y AMD, llegándola a usar en algunas Radeon. Pero las ventajas que tiene de latencia en ciertos escenarios no compensa respecto a usar una GDDR6 mucho más barata de producir y sobre todo de integrar en las tarjetas gráficas. Al menos en las orientadas a jugones, porque para el sector empresarial y centros de datos su demanda está en aumento gracias a las aceleradoras de NVIDIA. SK Hynix es la única que produce HBM3 actualmente, y ahora intenta hacer frente a la explosión de demanda que se avecina.

Los fabricantes de memoria NAND 3D, la usada en las unidades de estado sólido, han pegado un frenazo en el desarrollo y producción de los chips de mayor densidad de bits. Es un sector que ha visto desplomarse sus ingresos en los últimos meses y no se espera que vuelvan a un crecimiento en este terreno hasta la segunda mitad del año. Por eso aunque SK Hynix ha hablado de su memoria NAND 3D de 300 capas no se espera que esté en el mercado hasta 2025, o con suerte finales de 2024.

Se ha llegado a un punto en el que las compañías de chips de memoria desarrollan sus invenciones y luego ya llegará la JEDEC para validarlas. Un clásico dentro del sector. Pero ahora están surgiendo cada vez más estándares de memoria específicos de ciertas compañías, y la LPDDR5T de SK Hynix es uno de ellos. La te final del nombre significa 'turbo', y de ahí que asegura que es la más rápida del sector, usada principalmente por dispositivos móviles —portátiles, tabletas, teléfonos, etc.—.

SK Hynix ha desarrollado junto a Intel y Renesas una nueva tecnología de acceso a módulos de memoria denominada multimplexación de filas combinadas (MCR, multiplexer combined ranks). Normalmente los módulos de memoria que tienen dos filas o hileras de chips accesibles de manera no simultánea debido a la conexión de 64 octetos con el procesador, o 72 con código de corrección de errores (ECC). MCR lo que permite es el acceso simultáneo a ambas filas, duplicando en la práctica la tasa de transferencia entre RAM y CPU.

SK Hynix ha anunciado la aplicación de sus técnicas de fabricación basadas en puertas metálicas de alta constante dieléctrica (HKMG) para producir memoria LPDDR5X de alta velocidad. Estas técnicas ya las aplicó para empezar a producir el año pasado su memoria LPDDR4X con un proceso litográfico de 1a nm. Los procesos de memoria no son los mismos que los que se usan en los chips lógicos, pero 1a nm vendría a ser en torno a los 10-12 nm.

Los fabricantes de memoria están preparando nuevas generaciones de módulos para el entorno empresarial lo cual ha llevado a desarrollar chips de 24 Gb que permite configurar módulos de alta capacidad. Son módulos RDIMM, con registro, que permite mayor estabilidad al poner más módulos en una misma placa base, frente a la UDIMM, sin registro, vendida al sector consumo. SK Hynix ha estado mostrando su s módulos UDIMM de hasta 256 GB durante el Innovation 2022 que ha celebrado Intel esta semana.

SK Hynix es uno de los principales productores de DRAM y NAND del mundo, y como el resto de compañía tiene planes de expandir su producción. Eso sí, ahora ya no tienen tanta prisa para crearlas debido al bajón de precios de ambos sectores, aunque de cara al futuro siguen opinando estas empresas que tienen que expandir su producción. Sea como sea, la compañía ha indicado que la expansión de producción tendrá lugar en su fábrica de Cheongju (Corea del Su).

Micron anunció hace unos días su memoria NAND 3D de 232 capas, la de mayor capacidad hasta el momento, pero SK Hynix le ha arrebatado el título con el anuncio de su NAND 3D de 238 capas tipo TLC. La compañía la llama «NAND 4D», pero son ganas de liar la nomenclatura. La llama así porque mueve los circuitos periféricos bajo las celdas, en lugar de ponerlas al lado de la pila de celdas de memoria, pero es lo que están haciendo todas las compañías del sector.

La tercera generación de la memoria de alto ancho de banda (HBM3) tiene un gran uso en centros de datos, y es la que va a incluir la aceleradora H100 que NVIDIA empezará a enviar a sus clientes hacia finales de año. El proveedor de esa memoria va a ser SK Hynix, la cual ha indicado que ya ha entrado en producción en masa siete meses después de terminar su desarrollo, en octubre del año pasado, y tras completar recientemente la evaluación de rendimiento de la HBM3.

SK Hynix anunció a principios de año la mejor serie hasta ahora de unidades de estado sólido (SSD), la Platinum P41, siguiendo la estela de la P31. Ahora la pone a la venta, dando precios. Son unidades que utilizan memoria NAND 3D de 176 capas de la compañía. Habrá disponibles modelos con capacidades de 500 GB, 1 TB y 2 TB en formato M.2 2280, con interfaz PCIe 4.0 ×4 y protocolo NVMe 1.3. El controlador es propio de la compañía, uno llamado Aries.