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Los fabricantes de memoria han ido avisando en los últimos meses de que la memoria GDDR6 iba a estar lista para finales de 2017 o principios de 2018. Tanto Micron como Samsung la van a tener, y ahora se suma SK Hynix, que en el anuncio que ha realizado sobre la disponibilidad de este tipo de memoria ha dejado también otra información de interés.

Los fabricantes de memoria están ampliando sus fábricas y construyendo nuevas a marchas forzadas para cubrir la fuerte demanda de memoria RAM y NAND. Pero eso no evita que sigan con su ritmo de investigación habitual, que indirectamente también ayuda a cubrir la demanda al aumentar la densidad de información por chip. SK Hynix acaba de anunciar su memoria NAND 3D de 72 capas.

El catálogo de una de las tres compañías más importantes en fabricación de memoria para tarjetas gráficas ha sido actualizado. SK Hynix ha modificado la entrada relativa a la memoria HBM2, que será incluida en las tarjetas gráficas de arquitectura Vega, para indicar una disponibilidad más precisa de la que venía anunciando.

Siguiendo la estela de Samsung, la también coreana SK Hynix ha anunciado que ya tiene listo un paquete de 8 GB de memoria LPDDR4X. La fabricación de este tipo de chips es fundamental ya que la memoria en teléfonos suele ir sobre el procesador creando un único paquete, o por debajo de él, para ahorrar espacio, consumo y acelerar la comunicación entre procesador y memoria.