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Se ha llegado a un punto en el que las compañías de chips de memoria desarrollan sus invenciones y luego ya llegará la JEDEC para validarlas. Un clásico dentro del sector. Pero ahora están surgiendo cada vez más estándares de memoria específicos de ciertas compañías, y la LPDDR5T de SK Hynix es uno de ellos. La te final del nombre significa 'turbo', y de ahí que asegura que es la más rápida del sector, usada principalmente por dispositivos móviles —portátiles, tabletas, teléfonos, etc.—.

SK Hynix ha desarrollado junto a Intel y Renesas una nueva tecnología de acceso a módulos de memoria denominada multimplexación de filas combinadas (MCR, multiplexer combined ranks). Normalmente los módulos de memoria que tienen dos filas o hileras de chips accesibles de manera no simultánea debido a la conexión de 64 octetos con el procesador, o 72 con código de corrección de errores (ECC). MCR lo que permite es el acceso simultáneo a ambas filas, duplicando en la práctica la tasa de transferencia entre RAM y CPU.

SK Hynix ha anunciado la aplicación de sus técnicas de fabricación basadas en puertas metálicas de alta constante dieléctrica (HKMG) para producir memoria LPDDR5X de alta velocidad. Estas técnicas ya las aplicó para empezar a producir el año pasado su memoria LPDDR4X con un proceso litográfico de 1a nm. Los procesos de memoria no son los mismos que los que se usan en los chips lógicos, pero 1a nm vendría a ser en torno a los 10-12 nm.

Los fabricantes de memoria están preparando nuevas generaciones de módulos para el entorno empresarial lo cual ha llevado a desarrollar chips de 24 Gb que permite configurar módulos de alta capacidad. Son módulos RDIMM, con registro, que permite mayor estabilidad al poner más módulos en una misma placa base, frente a la UDIMM, sin registro, vendida al sector consumo. SK Hynix ha estado mostrando su s módulos UDIMM de hasta 256 GB durante el Innovation 2022 que ha celebrado Intel esta semana.

SK Hynix es uno de los principales productores de DRAM y NAND del mundo, y como el resto de compañía tiene planes de expandir su producción. Eso sí, ahora ya no tienen tanta prisa para crearlas debido al bajón de precios de ambos sectores, aunque de cara al futuro siguen opinando estas empresas que tienen que expandir su producción. Sea como sea, la compañía ha indicado que la expansión de producción tendrá lugar en su fábrica de Cheongju (Corea del Su).

Micron anunció hace unos días su memoria NAND 3D de 232 capas, la de mayor capacidad hasta el momento, pero SK Hynix le ha arrebatado el título con el anuncio de su NAND 3D de 238 capas tipo TLC. La compañía la llama «NAND 4D», pero son ganas de liar la nomenclatura. La llama así porque mueve los circuitos periféricos bajo las celdas, en lugar de ponerlas al lado de la pila de celdas de memoria, pero es lo que están haciendo todas las compañías del sector.

La tercera generación de la memoria de alto ancho de banda (HBM3) tiene un gran uso en centros de datos, y es la que va a incluir la aceleradora H100 que NVIDIA empezará a enviar a sus clientes hacia finales de año. El proveedor de esa memoria va a ser SK Hynix, la cual ha indicado que ya ha entrado en producción en masa siete meses después de terminar su desarrollo, en octubre del año pasado, y tras completar recientemente la evaluación de rendimiento de la HBM3.

SK Hynix anunció a principios de año la mejor serie hasta ahora de unidades de estado sólido (SSD), la Platinum P41, siguiendo la estela de la P31. Ahora la pone a la venta, dando precios. Son unidades que utilizan memoria NAND 3D de 176 capas de la compañía. Habrá disponibles modelos con capacidades de 500 GB, 1 TB y 2 TB en formato M.2 2280, con interfaz PCIe 4.0 ×4 y protocolo NVMe 1.3. El controlador es propio de la compañía, uno llamado Aries.

SK Hynix es uno de los principales productores de RAM y VRAM, y eso significa que es uno de los grandes beneficiados de la sobredemanda de chips. Se está notando en sus resultados trimestrales, los cuales volvieron a aumentar con fuerza en el primer trimestre de 2022 un 43 % hasta unos 9770 millones de dólares frente a los 6704 M$ del T1 2021.

SK Hynix ha empezado a dar más detalles de su HBM3 (tercera versión de memoria de alto ancho de banda) y son datos muy interesantes para las compañías dedicadas a la computación. Se centra en el modelo que funciona a 6.4 Gb/s aunque tiene otros modelos de 7 Gb/s. La memoria está conformada por pastillas (chips en bruto) compuestos de varios capas de memoria unidas por vías a través de silicio, y en este caso alcanza las 8000 vías para unirlas por chip de HBM3.