Tecnología y entretenimiento
Intel y Micron han venido colaborando en los últimos años para el desarrollo de la memoria 3D XPoint, la cual es no volátil y con una latencia a solo un paso del de la RAM. El año pasado decidieron separar sus destinos porque tenían visiones distintas de hacia qué público orientar su venta, y en octubre Intel traspasó su parte de la fábrica que producía la 3D XPoint a Micron.
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Debido a las limitaciones de espacio en las placas base de los móviles, la memoria y el almacenamiento suele ir lo más pegado posible a los sistemas en chip, y siempre que es posible van apiladas. Esto tiene la ventaja de reducir al mínimo la distancia con un interconexiado lo más directo posible. También se suele poner memoria y almacenamiento en un solo chip, en lo que se llama paquete multichip (MCP). Micron ha desarrollado el primero que integra LPDDR5 y UFS, un uMCP (MCP basado en UFS).
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Micron es uno de los principales fabricantes de memoria, y estando en 2020 las noticias del sector se van a centrar en la memoria DDR5 y su vertiente de bajo consumo LPDDR5. La compañía ha anunciado la producción en masa y entrega de la primera memoria de este tipo que llegará en los móviles de primera línea que se anunciarán en el Mobile World Congress que se celebrará en España a finales de febrero.
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La guerra comercial entre China y Estados Unidos está en un receso, y se está notando en diversas decisiones de posponer la entrada en vigor de nuevos aranceles y en que el Departamento de Comercio estadounidense está más receptiva a dar permisos temporales para comerciar con ciertas compañías que están en la lista de prohibidas, y eso incluye a Huawei.
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Intel y Micron codesarrollaron la tecnología de almacenamiento 3D XPoint pero solo la primera de ellas ha puesto dispositivos en el mercado que la utilizan. Micron quería centrar sus productos a otro sector, pero sus desavenencias hicieron que cada compañía se separa en el desarrollo de 3D XPoint. Ahora, y después de unos cuantos años, Micron finalmente ha anunciado la serie X100 de unidades de estado sólido que hacen uso de esta memoria.
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Micron es la siguiente compañía productora de memoria NAND en anunciar que inicia la producción en masa de una nueva generación de NAND 3D que alcanza las 128 capas. Este tipo de memoria permitirá reducir los costes de producción al fabricar más capacidad por oblea, aunque ha indicado que estará disponible incialmente para algunos productos e irá usándolo en más a medida que progrese 2020.
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Micron es uno de los principales fabricantes de todo tipo de chips de memoria del mundo, y ahora ha dado un paso más en la mejora de la cantidad producida y reducción del consumo de los chips de DDR4 y LPDDR4X. La compañía ha anunciado la producción en masa de chips creados con un proceso de 1z nm, que es un proceso que se sitúa entre los 12 y 14 nm.
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Micron es uno de los fabricantes de DRAM y memoria NAND del mundo, y en su última conferencia de accionistas y analistas financieras habló de los próximos hitos que van a completar. Entre ellos se encuentran el desarrollo de nuevos procesos litográficos y la creación de módulos de 64 GB, pero también un aumento de la producción.
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Lo que ahora se ve como velocidad muy altas para la memoria DDR4 lo cierto es que el próximo año van a ser el pan nuestro de cada día con la DDR5. Pero eso no evita que los overclockers intenten sacarle el mayor partido posible a los módulos que hay actualmente en el mercado, y han usado los Ballistix Elite de 3600 MHz para subirlos hasta los 5726 MHz, poniendo un nuevo récord.
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Intel y Micron separaron hace unos meses sus destinos en el terreno de la memoria 3D XPoint que en el caso de Intel la puso comercialmente a la venta en productos de la serie Optane. Todavía quedan ciertos asuntos del divorcio por resolver, como es el de la propiedad en sí de IM Flash, que es la compañía conjunta que crearon para el desarrollo de 3D XPoint.
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