Tecnología y entretenimiento
Las actuales tarjetas gráficas de NVIDIA usan mayormente GDDR7, a una buena velocidad de 30 Gb/s. Son chips de 2 GB de capacidad, porque los iniciales de 3 GB se redirigieron a otros usos. Tras pasar 2025 y asentarse un poco las cosas en su producción —que no en su precio—, Micron ha anunciado la producción de chips de 3 GB de GDDR7 que van un paso más allá en velocidad, ya que alcanzan los 36 Gb/s.
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La situación actual de sobredemanda de chips de DRAM por la fiebre de la inteligencia artificial está haciendo evidente a los productores que necesitan aumentar el volumen de chips que ponen en el mercado. Al principio han sido reticentes porque venían de dos años de enormes pérdidas, sobre todo 2022 y 2023, y querían recuperar lo perdido evitando aumentar la producción. Pero que un módulo de 32 GB de RAM cueste 500 euros es insostenible para la electrónica mundial. Así que por fin están dando pasos para aumentar claramente la producción.
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Con la situación actual del sector de los chips de NAND y DRAM, Micron ha tomado una decisión curiosa como es la de salir del sector consumo para centrarse en sus ventas de módulos de RAM y SSD para centros de datos. Bueno, no necesariamente. Lo hace cancelando la marca Crucial, bastante reconocida porque hace 29 años que se creó y desde entonces ha tenido una buena fuente de ingresos a través de ella. Aunque, todo sea dicho, en los últimos años estaba intentando dejarla a un lado para que la marca Micron cobrara más relevancia entre el consumidor.
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Puede que actualmente el precio de los chips para la DDR del sector PC esté por las nubes, pero los fabricantes de memoria tienen la mirada puesta en la HBM utilizada en las aceleradoras de NVIDIA. Este tipo de memoria siempre ha tenido una producción no acorde con la demanda, lo cual ha hecho que siempre estuviera algo inflada de precio. Pero con la ultrademanda que tienen ahora las aceleradoras, su precio también se ha disparado. Por eso Micron planea una nueva fábrica en Japón ddedicada a la HBM.
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Micron ha presentado la serie 2600 de SSD en la que se incluye modelos en formatos M.2 2230, 2242 y 2280, así que es bastante variada, y además en capacidades de 512 GB, 1 TB y 2 TB. Hay donde elegir. Tienen una interfaz PCIe 4.0 ×4 y usan un protocolo NVMe 2.0d. La compañía usa memoria NAND 3D de tipo QLC, con cifrado AES-256 por hardware.
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El entrenamiento de inteligencias artificiales necesitan la mayor cantidad de memoria posible en las aceleradoras, por lo que el desarrollo de la HBM se ha acelerado muchísimo en el último lustro. Así que tras pasar rápidamente a la HBM3, el sector va a cambiar a finales de año o principios del que viene a la HBM4. Su desarrollo se completó hace meses, y ahora las principales marcas están en las pruebas de producción. Por su parte, la estadounidense Micron ha indicado que ya está enviando muestras de su HBM4 a «varios clientes clave».
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En los últimos meses los analistas han venido avisando de que el precio de los chips de NAND y DRAM iban a empezar a subir el precio a medida que se fuera acercando el ecuador del año. Micron ha venido a confirmar lo dicho por los analistas, porque ha avisado de que va a subir formalmente sus precios a lo largo del año a medida que aumenta la demanda de sus chips usados en SSD y módulos de RAM para centros de datos.
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En el entorno doméstico las unidades SSD de tipo PCIe 5.0 aportan ahora mismo poca o ninguna mejora real frente a las PCIe 4.0, pero cuestan bastante más. Es en centros de datos donde tienen bastante más utilidad y por lo que se pisó el acelerador para desarrollar las PCIe 5.0, y por la misma razón se están desarrollando a la vez los estándar PCIe 6.0 y PCIe 7.0. Con la ingente cantidad de información que hay que transferir entre equipos en un centro de datos, se precisan conexiones mucho más rápidas. Pero mientras el estándar se publica, Micron ya tiene funcionando su primera SSD para este tipo de conexión.
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La producción de memoria se centra en procesos litográficos que den los menores problemas posibles, y como se basa mayormente en condensadores que en transistores, la forma de medir las litografías de chips lógicos es de poca utilidad. Las compañías de DRAM están en procesos litográficos del orden de 10 nm, pero siguen evolucionándolos con diversas tecnologías, sin perder de vista que necesitan extrema fiabilidad para el buen funcionamiento de la DRAM. Así que Micron ha anunciado un nuevo proceso del orden de 10 nm, el 1γ (nm), pero en el que ha usado en esta ocasión maquinaria de luz ultravioleta extrema (UVE).
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Micron ha anunciado la serie 4600 de unidades de estado sólido que se venderá con modelos en formato M.2 2280. Usan una interfaz PCIe 5.0 ×4 con protocolo NVMe 2.0c, y es la primera generalista sin DRAM para búfer. El controlador incluido tiene cifrado por hardware de tipo AES-256. Se venderá en capacidades de 512 GB, 1 TB, 2 TB y 4 TB. Integra chips G9 de Micron de NAND 3D de tipo TLC de 232 capas.
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