Etiqueta: Memoria

Samsung está avanzando en el desarrollo de la memoria GDDR6 aunque en esta ocasión no lo hace en el plano de las frecuencias sino del encapsulado. Ha anunciado su GDDR6W, que se basa en un sistema denominado encapsulado ramificado a nivel de oblea (FWOLP, del inglés fan-out wafer-level packaging) con el cual crea una doble hilera de chips de DRAM para duplicar en la práctica el bus de los chips de GDDR6, pasando de ser de 32 bits a ser de 64 bits.

Apple necesita más chips de NAND pero el Congreso de los EUA le ha cerrado la puerta a un proveedor chino por temor a depender más del país asiático con el que está en una guerra económica. Por eso a Apple no le ha quedado más remedio que hacer nuevamente negocios con Samsung, una empresa que ha evitado como la peste desde la guerra judicial que inició Steve Jobs hace más de una década y que finalizó en tablas hace unos años.

Dell empezó a usar un nuevo formato para la memoria DDR5 que incluye en sus portátiles denominado CAMM. La principal ventaja que tiene es que son módulos más finos, hasta un 57 % en la habitual disposición de dos SO-DIMM apilados, y más compactos, lo cual beneficia a los portátiles en general, desde ultraportátiles hasta los de mayor rendimiento. No estaba claro si Dell iba a mantener este formato privado, pero finalmente ha indicado que lo licenciará de manera gratuita con la ayuda de la JEDEC, la organización que regula los estándares relacionados con la DRAM.

Los fabricantes de chips de DRAM y NAND están cortando la producción en un intento de detener el desplome de precios. La coyuntura económica con un desplome del consumo doméstico tras los dos primeros años de pandemia de enormes aumentos de venta y la actual inflación ha dejado al consumidor sin dinero ni necesidad de invertir en electrónica. Por eso el sector de la DRAM ha visto reducir un 28.9 % sus ingresos en el tercer trimestre del año.

La coyuntura económica ha impactado mucho en los productores de ciertos chips, principalmente los de memoria como la DRAM o NAND 3D. Micron, que es uno de los principales actores del sector, ha estado frenando la ampliación de producción pero también la producción en sí. La lucha por el aumento de densidad de bits por oblea en el que están enfrascadas la compañías del sector ha provocado que los precios hayan caído aún más. Por eso Micron va a recortar de una manera más decidida la producción tras asegurar que no estaba en sus planes.

SK Hynix ha anunciado la aplicación de sus técnicas de fabricación basadas en puertas metálicas de alta constante dieléctrica (HKMG) para producir memoria LPDDR5X de alta velocidad. Estas técnicas ya las aplicó para empezar a producir el año pasado su memoria LPDDR4X con un proceso litográfico de 1a nm. Los procesos de memoria no son los mismos que los que se usan en los chips lógicos, pero 1a nm vendría a ser en torno a los 10-12 nm.

Intel va un paso por delante de AMD en el terreno de la DDR5 porque básicamente lleva una generación más de procesadores que usan este tipo de RAM. Los módulos que van a ir llegando en las próximas semanas y meses al mercado alcanzarán los 8000 MHz, aunque de momento se ha quedado todo en anuncios de presentación. La validación de los módulos está llevando su tiempo, pero de momento Gigabyte ha validado los módulos de DDR5 a 8000 MHz de TEAMGROUP.

Con la llegada de los Ryzen 7000 se ha abierto una necesidad de crear módulos de memoria DDR5 específicos para la plataforma de AMD. Aunque los actuales pensados para los perfiles de memoria extrema de Intel van a funcionar, solo con los que integran perfiles de memoria específicos para AMD van a aportar el rendimiento adecuado. Dentro de los primeros que llegan está la serie VULCANα de TEAMGROUP que analizo en este artículo.

G.Skill está anunciando nuevos módulos de DDR5 para adaptarse a las posibilidades de frecuencias que se pueden alcanzar en las placas base con chipset Z790 de Intel. Las frecuencias máximas son muy superiores a los más o menos 6400 MHz en las Z690, al menos con los últimos módulos Trident Z5 RGB con los que está consiguiendo alcanzar los 7800 MHz y 8000 MHz en una placa base ROG Maximus Z790 Apex de ASUS. En este caso, sin necesidad de refrigeración adicional por lo que es una subida que debería poder alcanzar cualquiera en sus equipos.

La estadounidense Micron ha anunciado que ha puesto chips de memoria fabricados con su proceso de 1ß nm en manos de sus socios, que trasladándolo a términos de transistores sería un proceso en el rango de los 10-14 nm. La producción en masa del proceso 1α comenzó en enero de 2021, por lo que la compañía va bien para empezar la producción en masa con el proceso 1ß nm en 2023. El proceso de 1ɣ nm no llegará hasta al menos 2025. No hace uso de luz ultravioleta extrema, sino un sistema de patrones múltiples con luz ultravioleta profunda.