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NVIDIA no consiguió cerrar la compra de Arm debido a la oposición de multitud de compañías del sector de la electrónica y por tanto Softbank se ha tenido que quedar con ella. Pero ha salido un comprador interesado inesperado como es SK Hynix, la compañía surcoreana dedicada principalmente a la producción de chips de DRAM y NAND. Eso sí, no haría la compra por sí sola sino a través de un consorcio con más compañías del sector.

En los últimos tiempos hay una creciente tendencia a desarrollar memoria con capacidad de procesamiento de la información que se almacena en ella sin necesidad de hacerlo en el procesador principal del equipo. A ello se denomina procesamiento en memoria (PIM) y Samsung ha mostrado varias soluciones con HBM. Ahora SK Hynix ha anunciado su memoria con PIM a la cual ha denominado GDDR6-AiM, y dará más detalles de ella durante el ISSCC (Conferencia Internacional de Circuitos de Estado Sólido) que se celebra del 20 al 24 de febrero.

SK Hynix sigue avanzando en las tecnologías de memoria del futuro cercano, y hablará de ellas en la próxima Conferencia Internacional de Circuitos de Estado Sólido (ISSCC) que se celebrará a finales de febrero. La primera de ellas será la HBM3 (memoria de alto ancho de banda versión 3) que está desarrollando y que alcanza los 896 GB/s de ancho de banda.

SK Hynix ha anunciado la nueva serie de unidades de estado sólido (SSD) Platinum P41, la cual usa la memoria NAND 3D de 176 capas de la compañía. Habrá disponibles modelos con capacidades de 500 GB, 1 TB y 2 TB en formato M.2 2280, con interfaz PCIe 4.0 ×4 y protocolo NVMe 1.3. El controlador es propio de la compañía, uno llamado Aries.

SK Hynix recibió hace unos días el visto bueno de China para la adquisición del negocio de NAND 3D de Intel, lo cual no incluye la memoria 3D XPoint. Esta división refuerza el catálogo de SK Hynix pero también recibirá las patentes de Intel sobre diseño y fabricación de obleas de NAND. Sea como sea, como parte del acuerdo con los distintos gobiernos, el negocio de NAND adquirido a Intel funcionará como una compañía aparte que ya tiene nombre: Solidigm.

SK Hynix negoció con Intel la compra de su negocio de memoria NAND por 9000 millones de dólares, pero ese tipo de compras precisa del visto bueno de los reguladores de los principales países en los que operan. Tras ir recibiendo el visto bueno de los países, tras más de un año del inicio de la adquisición ha recibido finalmente el visto bueno de China, aunque con condiciones.

SK Hynix es uno de los principales productos de chips de memoria y sigue realizando avances en cuanto a la DRAM destinada a módulos de DDR5. La compañía ha anunciado el desarrollo de nuevos chips de 24 Gb (3 GB), los de mayor densidad que hay por el momento en el mercado. Están fabricados con un proceso litográfico de 1α nanómetros para celdas de memoria, un proceso equivalente a uno de entre 10 y 14 nm usada para fabricar transistores.

SK Hynix acapara gran parte de la producción de DRAM y NAND del mundo y eso se suele notar en lo que ingresa. Pero en la situación actual de sobredemanda de chips, lo cual ha llevado a subidas de precios por parte de los fabricantes, los ingresos del tercer trimestre de este año han mejorado un 45 % respecto al mismo periodo de 2020. Eso sí, la mejora intertrimestral ha sido de solo un 14 % hasta situarse en los 8700 millones de euros.

SK Hynix ha conseguido desarrollar los primeros chips de la cuarta generación de la memoria de alto ancho de banda (HBM3). Las anteriores fueron HBM, HBM2 y la actualización HBM2E de esta última. Estos chips estarán disponibles en capacidades de 16 GB y 24 GB y hace un uso extenso de las vías a través de silicio para encapsular doce chips de unos 30 μm de altura en un solo chip de HBM3.

SK Hynix no es la típica compañía de productos de consumo pero en la serie de unidades de estado sólido (SSD) Gold P31 tiene una baza para hacerse un hueco en el mercado. Al menos si estuviera disponible en más países. Ahora la compañía ha añadido un muy necesario modelo de 2 TB a la serie que por lo demás mantiene la construcción y velocidades del modelo de 1 TB.