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Dos de los principales productores de memoria NAND y DRAM, Samsung y SK Hynix, han ido estableciendo en el último año y medio unos planes de expansión de producción con la creación de nuevas fábricas. Pero en los últimos meses la memoria NAND ha bajado notablemente de precio, y la memoria DRAM empieza a bajar, por lo que ya empiezan a oírse rumores de que ambas compañías estarían analizando detener sus planes de expansión.

SK Hynix es una de las cuatro grandes productoras de memoria NAND, y en un sector tan competitivo hay que estar innovando continuamente. La NAND 3D fue introducida por Samsung hace unos años con el nombre de V-NAND, y después de ello llegaron las de otras compañías. Con respecto a la NAND tradicional, aumentaba el número de capas apiladas de memoria de menos de una decena a una treintena —ahora llegan a 96—, aumentando la densidad de información por chip y abaratando los costes de producción por giga.

Una vez que los precios de la memoria flash vuelve a estar a precios normales, y bajando, es el de la DRAM el que preocupa a los consumidores. Hay aviso de que en 2019 podría haber una sobreproducción de este tipo de memoria debido a dos nuevos fabricantes chinos, pero de momento no está evitando que las compañías de RAM sigan planeando expandir sus operaciones. Más vale tarde que nunca.

El fabricante de memoria Micron ha visto vetada la producción y venta en China de sus chips de DRAM. Démosle las gracias a Trump por ello, aunque —solo en parte— lo que quiere hacer el presidente de los EUA es proteger a las empresas estadounidenses del robo de secretos industriales que están perpetrando agentes chinos y ante lo que Pekín no hace nada. Lo demuestra las distintas denuncias de Micron sobre robo de alto nivel que ha sufrido.

Las leyes de competencia de los distintos países del mundo aseguran que las empresas no formen trust —pronunciado tal cual en español, por eso no lo pongo en cursiva— o grupos de empresas que se ponen de acuerdo en monopolizar un sector. Dentro de esas leyes antitrust, China ha sido la única que ha tenido el buen hacer de poner en el punto de mira a los fabricantes de DRAM por la más que sospechosa situación de que la producción de DRAM no ha aumentado más que lo normal, pero sin embargo los precios se han ido disparando desde hace dos años, manteniéndose altos.

Más y más rumores apuntan a que Nvidia está a punto de presentar nuevas tarjetas gráficas, y lo haría durante el Computex que empezará en unos días en Taiwán. La conferencia de Nvidia tendrá lugar el 30 de mayo, y será el momento en el que se saldrá de dudas. Mientras tanto, aparentemente llegarán con memoria GDDR6, que era ya lo que se venía diciendo ya que está en producción desde hace tiempo, y específicamente con la de SK Hynix.

SK Hynix es uno de los principales productores de memoria NAND, y su maquinaria de investigación es imparable. Ahora ha anunciado que ha puesto a buen uso la memoria NAND 3D de 72 capas que anunciara el año pasado en una nueva serie de SSD para el entorno empresarial. Aunque en vez de usar chips de 256 Gb los ha conseguido fabricar con una densidad de 512 Gb.

Desde hace meses los fabricantes de chips de memoria han ido dando los últimos retoques a la producción de la memoria GDDR6, que ya indicaron que sería utilizada en algunas tarjetas gráficas que llegarían a principios de 2018. Samsung ya ha iniciado la producción de su memoria GDDR6, pero SK Hynix va un paso más allá al indicar en su catálogo que este tipo de memoria ya está disponible para sus clientes.

Los fabricantes de memorias NAND están enfrascadas en ver quién puede crear los chips con más capas para reducir sus costes de producción y proporcionar más capacidad en menos espacio. Este último punto es importante para el sector que más las está demandando, el de los smartphones. SK Hynix ha empezado la producción en masa de los chips de memoria NAND 3D de 72 capas y 256 Gb.

Los fabricantes de memoria para tarjetas gráficas están ocupados preparándose para la producción de los chips que se usarán en los próximos modelos de gama alta. Eso incluye por un lado la memoria HBM2, utilizada en la tarjeta Tesla V100 de arquitectura Volta de Nvidia a 1.6 GHz, pero también la más común GDDR6 que llegará a finales de año o principios de 2018.