Los fabricantes de memoria NAND tienen su mejor baza a la hora de reducir costes de producción en aumentar la cantidad de gigas que extraen de cada oblea. Lo necesitan porque los márgenes de beneficios han bajado sustancialmente desde hace algo más de un año, y por tanto es un sector cada vez menos lucrativo. Hasta que vuelva a haber un repunte de demanda, pero no parece que vaya a ocurrir pronto viendo la coyuntura económica internacional.

Sea como sea, todos los fabricantes van a ir pasando de chips NAND de 96 capas a 128 capas, y SK Hynix es la primera que ha anunciado la producción en masa de este tipo de NAND. Pero además, pasan del NAND 3D al NAND 4D.

Si la NAND 3D venía a ser un tipo de NAND en la que se apilan decenas de capas conectadas por vías a través del silicio frente a solo un puñado de ellas conectadas por nanocables, la NAND 4D da un paso más allá y mueve los circuitos periféricos (PUC) debajo del apilamiento de capas de memoria en sí. Con este movimiento, que no es fácil de realizar desde el punto de vista de la producción de las obleas, se consigue extraer un 20 % más de chips con respecto a la NAND 3D.

Además, con el paso de 96 a 128 capas también se consigue aumentar un 33 % adicional la cantidad de gigas de NAND 3D que se extraen por oblea, por lo que es un paso muy importante para SK Hynix de cara a reducir los costes de producción. Hay que tener en cuenta que la memoria NAND, como la DRAM, usan procesos litográficos maduros debido a la labor tan sensible que realizan y que en nodos punteros podrían inducir a problemas de integridad de la señal, entre otros.

SK Hynix va producir esta memoria NAND 4D de 128 capas con un tipo TLC o tres bits por celda para dotarle de mayor durabilidad respecto al tipo QLC o cuatro bits por celda. La compañía también usa en esta memoria una distribución de cuatro planos —compuestos cada uno de 1024 bloques de 256 páginas de 8 KB de capacidad—, lo que permite hacer un aumento sustancial del ancho de banda debido a que lo habitual es que la memoria NAND 3D tenga dos planos por chip. Con ello se mejora entre un 25 % y un 30 % la velocidad de esta memoria NAND 4D. Todo ventajas.

Los chips se producen en una capacidad de 1 Tb (128 GB), con una mejora de la capacidad total por oblea que se sitúa en el 40 %. La velocidad de esta memoria NAND se estima en torno a los 1400 Mb/s y funciona a 1.2 V, y también permitirá crear unidades de estado sólido de mayor capacidad en, por ejemplo, el habitual formato M.2 2280, y por tanto aún más capacidad en el tamaño M.2 2242 para portátiles, con el ahorro de espacio en la placa base.

SK Hynix tiene avanzado su desarrollo de memoria NAND 4D de 176 capas, que supondrá otra mejora del 37.5 % de la capacidad total producida por oblea, pero no ha indicado cuándo estará lista. También está desarrollando, para producirlo más avanzado el año, una SSD de consumo con un controlador propio con esta memoria y un tamaño de 2 TB, así como otras SSD de 16 TB y 32 TB para centros de datos planeado para el próximo año.

Vía: Guru3D.