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Etiqueta: SK Hynix

SK Hynix desarrolla la primera HBM3, hasta 24 GB a 6.4 GHz

SK Hynix desarrolla la primera HBM3, hasta 24 GB a 6.4 GHz
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20 oct 2021

SK Hynix ha conseguido desarrollar los primeros chips de la cuarta generación de la memoria de alto ancho de banda (HBM3). Las anteriores fueron HBM, HBM2 y la actualización HBM2E de esta última. Estos chips estarán disponibles en capacidades de 16 GB y 24 GB y hace un uso extenso de las vías a través de silicio para encapsular doce chips de unos 30 μm de altura en un solo chip de HBM3.

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SK Hynix añade un modelo de 2 TB a la serie Gold P31 de SSD

SK Hynix añade un modelo de 2 TB a la serie Gold P31 de SSD
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18 ago 2021

SK Hynix no es la típica compañía de productos de consumo pero en la serie de unidades de estado sólido (SSD) Gold P31 tiene una baza para hacerse un hueco en el mercado. Al menos si estuviera disponible en más países. Ahora la compañía ha añadido un muy necesario modelo de 2 TB a la serie que por lo demás mantiene la construcción y velocidades del modelo de 1 TB.

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SK Hynix empieza a producir DRAM con su proceso de 1α nm

SK Hynix empieza a producir DRAM con su proceso de 1α nm
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12 jul 2021

Los fabricantes de chips de memoria van con otros ritmos en el terreno de las litografías ya que están adaptadas a las necesidades específicas de cada compañía. Hace unos meses que Micron empezó la producción en masa de DRAM en su nodo de 1α nm mientras que SK Hynix ha sido ahora cuando ha anunciado que ha hecho lo propio. Estos chips son de DRAM de bajo consumo orientado a móviles, siendo LPDDR4.

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SK Hynix tiene en desarrollo una HBM3 que alcanzará un ancho de banda de 665 GB/s por chip

SK Hynix tiene en desarrollo una HBM3 que alcanzará un ancho de banda de 665 GB/s por chip
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10 jun 2021

SK Hynix y Samsung son los principales productores de la HBM (memoria de alto ancho de banda) y codesarrolladores junto a AMD, y no se ha llegado a imponer por el coste de producción y porque la memoria GDDR ha evolucionado hasta ofrecer anchos de banda igual de buenos. Eso sí, al menos hasta que llegue la HBM3 que está en desarrollo según lo indicado por SK Hynix, y que llegará al menos hasta los 665 GB/s de ancho de banda por chip.

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SK Hynix minimiza el problema de un lote de obleas defectuosas de DRAM

SK Hynix minimiza el problema de un lote de obleas defectuosas de DRAM
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09 jun 2021

De vez en cuando se dan problemas en la producción de obleas que afectan a grandes lotes, pero no es lo mismo que afecte a unos cientos que a varias decenas de miles. Un problema que ha salido a la luz relacionado con una partida de obleas de SK Hynix ha suscitado preguntas sobre el impacto que tendrá. La compañía no ha indicado cuántas ha producido de manera defectuosa, pero se rumorea que podría ascender hasta las 240 000 obleas. SK Hynix ha indicado que «los rumores son totalmente exagerados».

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SK Hynix quiere duplicar su capacidad de producción de chips y abrirse a terceros

SK Hynix quiere duplicar su capacidad de producción de chips y abrirse a terceros
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13 may 2021

La alta demanda de chips del último año no solo se debe a la coyuntura sanitaria sino que continúa un proceso en ascenso en los últimos años. Por eso, pandemia o no, las compañías de semiconductores tenían planes de aumentar sus capacidades de producción. Pero ahora son unos planes mucho más ambiciosos para cubrir una demanda que se ha disparado y que se estima que está al menos un 30 % por encima de la oferta. En algunos sectores, aún más. Por eso que SK Hynix anuncie planes de expandirse no suena raro, si bien que el que busque duplicar su producción sí puede resultar más llamativo.

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SK Hynix invertirá 106 000 M$ en un enorme parque industrial para fabricar DRAM

SK Hynix invertirá 106 000 M$ en un enorme parque industrial para fabricar DRAM
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04 abr 2021

La actual demanda de chips de todo tipo, desde procesadores hasta sensores, ha hecho que las compañías establezcan planes agresivos de expansión de producción. La demanda va a seguir muy alta en los próximos años habida cuenta de que incluso el electrodoméstico más simple incluye alguno. Pero en el sector la demanda de DRAM y NAND va a aumentar mucho más en un momento en el que ya se está desterrando los discos duros en el sector consumo y además se precisan de equipos con más memoria, tanto PC como móviles y tabletas. Por eso SK Hynix ha anunciado una agresiva inversión de 106 000 millones de dólares —120 billones de wones surcoreanos— para esta década.

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SK Hynix ve viable crear DRAM así como NAND 3D de 600 capas usando luz UVE

SK Hynix ve viable crear DRAM así como NAND 3D de 600 capas usando luz UVE
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24 mar 2021

SK Hynix es de las principales productoras de memoria de todo tipo, DRAM y NAND 3D principalmente, y ha celebrado una charla del IEEE en el que ha dado un repaso al futuro de su negocio. Es bastante interesante y dejo más abajo el vídeo de la presentación, pero entra en aspectos muy técnicos como buena conferencia del IEEE, la mayor asociación multinacional de electrónica. La idea detrás del vídeo es que hay muchos problemas que resolver para producir chips de DRAM y NAND 3D en litografías cada vez de menor tamaño, pero se irán resolviendo.

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SK Hynix anuncia la producción de chips de LPDDR5 de 18 GB

SK Hynix anuncia la producción de chips de LPDDR5 de 18 GB
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08 mar 2021

SK Hynix sigue siendo uno de los referentes de la industria de producción de chips de DRAM, y aunque las ventas de móviles hayan bajado durante 2020 hay empresas que buscan dotarles de la máxima memoria posible. Y no solo los fabricantes de móviles, sino también los que desarrollan ciertos proyectos de procesamiento en la frontera de las redes, de IA, comunicaciones móviles, y otros donde se precisa de mucha memoria. Para ellos, SK Hynix ha anunciado que tendrán a su disposición los nuevos chips de 18 GB de LPDDR5, los de mayor capacidad en la industria.

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SK Hynix anuncia la primera memoria NAND de 176 capas

SK Hynix anuncia la primera memoria NAND de 176 capas
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07 dic 2020

SK Hynix ha anunciado un nuevo avance en la densidad de bits por milímetro cuadrado en su memoria NAND con el anuncio de los primeros chips NAND 4D de 176 capas. Tienen una capacidad de 512 Gb (64 GB) y son de tipo TCL (tres bits por celda), por lo que se podrán crear unidades de estado sólido de mayor capacidad en el mismo espacio como las de tipo M.2. De hecho la compañía habla de que aumenta un 35 % la cantidad de bits por oblea respecto a la generación anterior, lo que reduce los costes.

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