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SK Hynix no es la empresa de la que más se oiga hablar en el sector de las unidades de estado sólido, aunque sí lo sea en la producción de la memoria NAND que se usa en ellos. Aunque ha vendido en el pasado algunas SSD para empresas y consumidores, ahora ha vuelto a este último sector con la serie Gold S31, que aporta unas unidades de 2.5 pulgadas con interfaz SATA3 a este mercado.

La memoria de alto ancho de banda (HBM) ha tenido poco uso en el mundo de la tecnología, y sobre todo se ha centrado en algunas tarjetas gráficas de consumo y de alto rendimiento de AMD, alguna de Nvidia para computación, y algunos proyectos sueltos. La evolución de la sexta generación de la memoria gráfica de doble tasa de transferencia (GDDR6) ha sacado del mercado la HBM por coste y por temas operativos —solo precisa para usarla de pequeños cambios a proyectos con GDDR5—.

Los fabricantes de memoria NAND 3D para las unidades de estado sólido están ajustando su producción en un intento de evitar que siga cayendo su precio. La próxima llegada de métodos más avanzados de producción, como la creación de chips de 128 capas o las memorias NAND 4D que aumentan la cantidad de memoria obtenida por oblea, afectarán a la baja su precio.

Los fabricantes de memoria NAND tienen su mejor baza a la hora de reducir costes de producción en aumentar la cantidad de gigas que extraen de cada oblea. Lo necesitan porque los márgenes de beneficios han bajado sustancialmente desde hace algo más de un año, y por tanto es un sector cada vez menos lucrativo. Hasta que vuelva a haber un repunte de demanda, pero no parece que vaya a ocurrir pronto viendo la coyuntura económica internacional.

SK Hynix ha tenido un pequeño descalabro de ingresos en el primer trimestre de 2019 debido a la menor demanda de memoria, dejándose en torno a un 22 % de sus ingresos respecto al primer trimestre de 2018. Dejando ese tema a un lado, el futuro de la compañía pasa por la memoria NAND 4D, la cual ha empezado a ultimar su desarrollo y ha entrado en producción de prueba.

SK Hynix está preparada para poner en el mercado módulos de DDR5 de diversas velocidades, empezando por la de 5200 MHz. Si bien no es un estándar que varíe mucho de la memoria DDR4, las frecuencias de partida son sustancialmente mayores, y tiene el potencial de llegar a velocidad de 6400 MHz en un corto espacio de tiempo. De hecho, SK Hynix ha anunciado algunos detalles de la memoria DDR5-6400 que tiene también en preparación.

La novedad de este año en el sector de los PC van a ser los componentes que usen una interfaz PCIe 4.0, como los procesadores Ryzen 3000 de sobremesa, alguna tarjeta gráfica de AMD, y las placas base relacionadas. Pero en 2020, en algo más de un año, llegarán nuevos módulos de RAM a las tiendas, de tipo DDR5. Estos módulos contarán de partida con 5200 MHz, frente al mínimo de 2133 MHz de la DDR4, por lo que la mejora será más que sustancial, si bien no se notará esa velocidad extra en todos los escenarios. Probablemente sí se note con las tarjetas gráficas más caras y en entornos profesionales que hagan un uso intenso de la memoria.

Los chips de DRAM se han mantenido extremadamente altos durante los últimos dos años, y solo es ahora cuando parece que están bajando el precio de los módulos y de los chips que van a otros productos como teléfonos y tabletas. China ha estado investigando esta situación en la que los precios de DRAM se podrían haber mantenido artificialmente altos, o lo que comúnmente se llama pactar precios.

Micron anunció en octubre que tenía casi lista su memoria DDR5 gracias a su colaboración con Cadence, y que llegarían los módulos a finales de 2019, inicialmente para el sector de los centros de datos. SK Hynix ahora ha anunciado que también tiene listos sus chips DRAM de tipo DDR5, en una capacidad de 16 Gb (2 GB), e indica que es el primero en cumplir con los estándares del JEDEC.

Dentro de los desarrollos que está realizando SK Hynix relacionados con la capacidad de sus chips de DRAM y NAND, hace unos días anunció unos NAND 3D de 512 Gb y ahora ha anunciado unos nuevos de DRAM. Estos chips está fabricados con un proceso litográfico de 1Y nm, lo que quiere decir que es un proceso que puede ir desde los 14 nm hasta los 16 nm. Son de tipo DDR4, y es un avance teniendo en cuenta que la anterior generación de chips se situaba en los 1X nm, que es de 16 a 19 nm.