SK Hynix ha enviado a sus principales clientes las primeras muestras de HBM4E, la siguiente generación de la memoria que más se necesita para entrenamiento de inteligencias artificiales. La producción en masa llegará hacia finales de año. Es un chip de 48 GB de capacidad en el que van apiladas doce capas de memoria, con una velocidad de 16 Gb/s por pin, y con una eficiencia energética un 20 % mayor que la de la generación anterior.
También mejora un 17 % la resistencia térmica frente a la HBM4, lo cual mejora su comportamiento ante altas temperaturas. Eso lo ha conseguido mediante la técnica MR-MUF (mass reflow molded underfill, o «relleno moldeado por refusión»).
Esta memoria va a las aceleradoras de IA de los centros de datos, donde se encapsula junto con la GPU para evitar problemas de ruido debido al alto ancho de banda que tiene. SK Hynix ahora mismo es el principal fabricante de HBM, y junto a Samsung proporcionan HBM4 para las Vera Rubin de NVIDIA. Esta HBM4E es para la siguiente generación de aceleradoras.
A los fabricantes les sale mucho más rentable dedicar sus obleas a la HBM para IA que a la DRAM corriente, así que la memoria de consumo queda en segundo plano y los precios se ven igualmente afectados, junto con la altísima demanda que hay también de DDR5. La propia SK Hynix prevé que la escasez dure hasta 2028.
Vía: TechPowerUp.
