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Samsung va a continuar con el desarrollo de sus procesadores con unidad gráfica de arquitectura RDNA como ha querido dejar claro en el System LSI Tech Day 2023 que ha celebrado en la sede de Samsung Electronics de EUA. Aunque el Exynos 2200 con una Xclipse 920 no era mal procesador, no ha tenido el éxito oportuno debido a cuestiones coyunturales. Pero Samsung ha indicado que el Exynos 2400 está de camino, y que incluirá una unidad gráfica integrada Xclipse 940.

Samsung ha anunciado el Galaxy S23 FE, un nuevo añadido a la serie que tendrá un precio de partida más asequible aunque con algunos cambios. Este modelo mide 158 mm × 76.5 mm × 8.2 mm y pesa 209 g, y cuenta con protección frente a agua y polvo con certificado IP68. La pantalla es de 16.3 cm (6.4 in) tipo AMOLED con una resolución de 2340 × 1080 píxeles protegida por Gorilla Glass 5, refresco de 120 Hz y reproduce contenido de alto rango dinámico.

Samsung ha anunciado la serie T9 de SSD portátiles, que se venderá en capacidades de 1 TB, 2 TB y 4 TB. Estas unidades tienen un tamaño de 88 mm × 60 mm × 14 mm y pesan 122 g, y cuentan con una interfaz USB 3.2 (siempre es USB tipo C) por lo que no serán especialmente caros aunque tampoco alcanzarán el rendimiento de las unidades Thunderbolt o USB4. Se incluye un cable corto USB tipo A a USB tipo C y otro USB tipo C a USB tipo C.

Dell desarrolló un formato para reducir sustancialmente el tamaño de los módulos SO-DIMM dentro de los portátiles o cualquier otro tipo de equipo, como tabletas, mini-PC o incluso placas base mini-ITX para equipos de sobremesa. Ese formato CAMM fue aprobado por la JEDEC, y ahora Samsung ha mostrado su primer módulo LPCAMM, o CAMM de bajo consumo, que ocupa el 40 % de un módulo SO-DIMM normal.

En los tiempos que corren, con los precios de las SSD por los suelos —y puede que bajen algo más hasta el próximo año—, la gente ya no busca simplemente una SSD para el sistema operativo y algún juego sino que busca unidades de alta capacidad. Era extraño que la serie 990 Pro de alto rendimiento no tuviera un modelo de 4 TB, pero Samsung ha corregido el error inicial anunciando ese modelo.

Samsung ha dado un paso más en la carrera por aumentar la densidad de memoria por módulo de DDR5, y tras anunciar hace unos meses el desarrollo de chips de 16 Gb (2 GB) que permiten crear módulos de 64 GB, la compañía ahora ha dado un buen salto adelante con sus nuevos chips de 32 Gb (4 GB). Esto habilitará la fabricación de módulos de DDR5 con una capacidad de 128 GB por módulos. Actualmente en el sector consumo están disponibles módulos de 48 GB de capacidad.

Samsung sigue reforzando sus monitores curvos panorámicos, un sector cada vez con más adeptos, y en esta ocasión con uno bastante especial. El nuevo Odyssey Neo G9 (LS57CG952NUXEN) incluye un panel de 1.45 m de diagonal (57 in) de tipo VA, el cual tiene una resolución de 8192 × 2160 píxeles con un refresco de 240 Hz. O sea, es como dos paneles UHD juntos, por lo que no se puede decir que le falta espacio de trabajo, aunque en el terreno del ocio va a ser casi imposible aprovecharlo al máximo.

Los fabricantes de chips de NAND 3D están en un pozo negro en el que se están dejando miles de millones de pérdidas trimestre a trimestre, aunque poco a poco empiezan a salir de él. En el caso de Samsung no ha sido distinto, pero el desarrollo de nuevas tecnologías debe continuar porque ya vendrán tiempos mejores. Eso pasa por los chips de V-NAND, como llama a su NAND 3D, de más de trescientas capas. Estaría preparando iniciar su producción en la segunda mitad de 2024.

Los productores de chips están invirtiendo decenas de miles de millones de dóares en expandir su producción, teniendo en cuenta que Occidente va a subvencionarles para aumentar la producción de chip autóctona. Aunque claro está, eso implique subvencionar a empresas extranjeras, y es algo en lo que Pat Gelsinger ha querido incidir, aunque de manera bastante diplomática. Pero en esencia, lo que ha dicho es que Intel debería llevarse más dinero de la Ley CHIPS que Samsung o TSMC.

El sector de la producción puntera de chips tiene entre manos varias formas de mejorar su rendimiento y consumo porque ya no sirve solamente con reducir el tamaño de los transistores. No sirve desde hace bastante, pero ahora se precisa aplicar ciertas técnicas de las que se viene hablando a nivel universitario desde hace unos años. Una de ellas es la entrega trasera de energía (backside power delivery) y que Samsung podría usar en una futura revisión de su proceso de 3 nm o dejarla para los 2 nm.