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Etiqueta: Samsung

Samsung estaría desarrollando chips de HBM4 personalizados para Meta y Microsoft

Samsung estaría desarrollando chips de HBM4 personalizados para Meta y Microsoft
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El mercado de la memoria de alto ancho de banda (HBM) ha cobrado especial relevancia debido a la creciente demanda de procesamiento intensivo en aplicaciones de inteligencia artificial y servicios en la nube. Empresas tecnológicas como Meta y Microsoft necesitan soluciones cada vez más avanzadas para optimizar sus infraestructuras y mantenerse competitivas en este entorno de rápida evolución. En este contexto, Samsung estaría trabajando en el desarrollo de soluciones personalizadas de HBM4 para ambas compañías.

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Samsung estaría enfrentándose a graves problemas con la segunda generación de su litografía de 3 nm

Samsung estaría enfrentándose a graves problemas con la segunda generación de su litografía de 3 nm
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Samsung lleva unos años un poco perdida en el sector de la producción de chips, y no será porque no invierta miles de millones de dólares cada año en mejorar. Si embargo, la productividad de su segunda generación de chips de 3 nm con arquitectura de puerta envolvente (GAA) estaría siendo muy baja. Los rumores apuntan a que sería de aproximadamente un 20 %, lo cual estaría muy por debajo del objetivo inicial del 70 %.

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Samsung espera que la memoria PIM se generalice y vaya más allá de la HBM cuando se use para IA

Samsung espera que la memoria PIM se generalice y vaya más allá de la HBM cuando se use para IA
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En el reciente Foro de IA de Samsung, celebrado los días 4 y 5 de noviembre en Seúl, la compañía destacó su apuesta por la tecnología de procesamiento en memoria (PIM) como una evolución de la memoria de alto ancho de banda (HBM) en aplicaciones de inteligencia artificial (IA). El director ejecutivo de Samsung Electronics, Han Jong-hee, enfatizó la importancia de utilizar la IA de manera responsable y eficiente, subrayando el compromiso de la empresa con un ecosistema de IA más sostenible.

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Samsung anuncia sus resultados del T3 2024

Samsung anuncia sus resultados del T3 2024
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Samsung Electronics reportó sus resultados financieros para el tercer trimestre de 2024, mostrando una leve recuperación en sus ingresos tras varios trimestres de caída. En este periodo, la compañía surcoreana obtuvo ingresos de aproximadamente 67 billones de wones (50 000 M$), un incremento interanual del 4 %. Sin embargo, las ganancias operativas cayeron un 20 % respecto al año anterior, situándose en torno a los 5.6 billones de wones (42000 M$), lo cual refleja las dificultades que tiene en sectores como el de los semiconductores, en el que Samsung se ha enfrentado a una baja demanda.

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Samsung planea producir en 2026 su V-NAND de 400 capas para SSD de alta densidad

Samsung planea producir en 2026 su V-NAND de 400 capas para SSD de alta densidad
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Samsung fue la compañía que dio inicio a la era de las chips de NAND 3D con su V-NAND, y el resto de compañías tardaron un poco en copiarle pero es la norma ahora mismo. En un momento en el que la compañía está produciendo chips de NAND 3D de 286 capas, ahora tiene puesta la mirada en una futura generación de V-NAND con la que alcanzará las 400 capas de memoria por chip. La producción de esta V-NAND comenzaría en 2026 de acuerdo a la compañía, y sería la undécima generación frente a la novena generación actual.

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Samsung anuncia el Exynos 1580

Samsung anuncia el Exynos 1580
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Samsung ha anunciado un nuevo sistema en chip, el Exynos 1580, para quitar el mal sabor de boca que dejó el Exynos 1480. La parte de CPU es bastante más potente sobre el papel, ya que cuenta con un núcleo principal Cortex-A720 a 2.9 GHz, un clúster de tres Cortex-A720 a 2.6 GHz, y un clúster de cuatro Cortex-A520 a 1.95 GHz. Utiliza solo memoria LPDDR5X, y está fabricado a 4 nm por Samsung Foundry con su proceso de tercera generación.

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Samsung anuncia el desarrollo de chips de 3 GB de GDDR7 y abre la puerta a una RTX 5060 de 12 GB

Samsung anuncia el desarrollo de chips de 3 GB de GDDR7 y abre la puerta a una RTX 5060 de 12 GB
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Algunas de las próximas tarjetas gráficas que están preparando AMD y NVIDIA van a llegar con GDDR7 para dotarlas de un mayor ancho de banda, pero la mirada está puesta en la gama media y baja. Debido a la arquitectura, se presupone que podrían llegar con 8 GB de VRAM debido a que eso son 128 bits de bus y que los chips de GDDR actuales son de 2 GB. Así que Samsung ha anunciado nuevos chips de memoria GDDR7 de 3 GB (24 Gb) que abre la puerta a que algunos modelos futuros de gama media lleguen con 12 GB.

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Samsung iniciaría la producción a 2 nm en el T1 2025 con 7000 obleas al mes

Samsung iniciaría la producción a 2 nm en el T1 2025 con 7000 obleas al mes
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Samsung no está cumpliendo con las expectativas de producción con su proceso de 3 nm pero tiene que seguir adelante desarrollando procesos litográficos. El principal problema que tiene es la productividad del proceso de 3 nm, que es especialmente bajo o poco fiable como para atraer clientes, y más le vale que lo resuelta para el de 2 nm, cuya producción en masa estaría planeada para comenzar en el primer trimestre de 2025. Teniendo en cuenta que Samsung ha pedido disculpas esta semana por el bajo rendimiento de esta división, en la dirección deberían ponerse las pilas cuanto antes.

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