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Por mucho que lo intente EUA, no se puede parar el desarrollo tecnológico de China. Es un país que nos saca varios años de ventaja en la tecnología que se usa en el día a día, aunque solo sea por una menor regulación en su desarrollo. Lo único que le faltaba a China era una o varias fuentes de producción local de HBM para sus propias aceleradoras, y Huawei ha anunciado que la suya propia la usará el próximo año en las aceleradoras Ascend 950.

Los chips de memoria de DDR6, y para el caso de LPDDR6, están al caer y eso significa que va a haber más movimientos en el precio de los chips de DDR4 y DDR5. Pero hay una serie de otros factores que se han conjurado para que la memoria DDR4 esté subiendo más de precio y que ahora mismo de media cueste más que los chips de DDR5. Todavía se venden procesadores que usan módulos de DDR4, tanto de Intel como de AMD, por lo que la memoria no es ya un factor que incentive comprarlos salvo que se recurra a la segunda mano.

La DDR6 se está tomando su tiempo en llegar al mercado, lo que está llevando a que la DDR5 ya lleve mucho en uso, y que la DDR4 se haya dejado atrás para la mayoría de las aplicaciones. Así que su precio va a seguir en aumento, aunque los fabricantes chinos de DDR4 haya jugado un papel clave en ello, echando de su producción a las empresas occidentales. Según TrendForce, el precio de los chips de DDR4 para el sector consumo van a aumentar un 85-90 % su precio al cierre de este trimestre.

La LPDDR6 no está muy lejos de llegar al mercado debido a que la JEDEC, el consorcio que estandariza todo lo relacionado con chips de memoria, ha publicado la versión final del estándar. Se trata del JESD209-6, y en esta ocasión pone la mirada en optimizaciones para ciertos casos de uso de esta memoria como son las aplicaciones de inteligencia artificial, dispositivos móviles y equipos en la frontera de las redes.

El desarrollo y producción de HBM se ha acelerado en los últimos años por los requisitos del sector de la computación por las inteligencias artificiales generativas, así que hay un plan conciso de desarrollo hasta la HBM9 en la próxima década. Por el momento la HBM4 ya está saliendo de las fábricas de SK Hynix, y las primeras entregas a NVIDIA han comenzado. Se adelanta en ello a Micron y Samsung.

La memoria de alto ancho de banda (HBM) está desarrollándose a pasos agigantados por las necesidades actuales de las aceleradoras para inteligencia artificial. Cuanta más memoria, con más parámetros de entrada pueden ser entrenadas las IA, y eso redunda en su precisión y capacidades. Así que el nuevo plan para la evolución de la HBM publicado por el Instituto Avanzado de Ciencia y Tecnología de Corea (KAIST), una universidad pública centrada en la investigación, sitúa el lanzamiento de la HBM7 para 2035, y la HBM8 para 2038.

El entrenamiento de inteligencias artificiales necesitan la mayor cantidad de memoria posible en las aceleradoras, por lo que el desarrollo de la HBM se ha acelerado muchísimo en el último lustro. Así que tras pasar rápidamente a la HBM3, el sector va a cambiar a finales de año o principios del que viene a la HBM4. Su desarrollo se completó hace meses, y ahora las principales marcas están en las pruebas de producción. Por su parte, la estadounidense Micron ha indicado que ya está enviando muestras de su HBM4 a «varios clientes clave».

Trump está poniendo el comercio internacional patas arriba en su propósito de reindustrializar los EUA. Los chips no son una excepción, aunque los posibles aranceles los ha estado postergando hasta tener claro el impacto que tendría. No será bueno, pero ante la amenaza los fabricantes de dispositivos han estado haciendo acopio de todo tipo de chips, y uno de los sectores más perjudicados es el de los chips de DRAM. En mayo, su precio ha subido un 27 % hasta los 2.10 dólares por los chips de 1 GB de DDR4

CXMT es el principal fabricante de chips de DRAM de China, y actualmente está produciendo tanto DDR5 como HBM2, aunque tiene en la mira el cambio a HBM3. Las sanciones estadounidenses afectaron al acceso de las compañías chinas a HBM3 por su uso con las aceleradoras, por lo que China redobló el desarrollo de los chips de DRAM. Con bastante éxito, como ocurre con los de NAND, ya que no se necesitan litografías punteras para producir estos chips. De hecho es lo contrario, hay que fabricarlos con litografías avanzadas para asegurar la máxima fiabilidad. Así que ahora CXMT se habría puesto como objetivo centrar la producción en la DRAM más solicitada.

Según lo previsto, Intel ha anunciado un «refuerzo de los 200S» para mejorar su rendimiento en juegos. Este refuerzo es una mejora a la capacidad de sobrefrecuencia de los Core Ultra 200S y que afecta solo a los modelos K (245K/KF, 265K/KF, y 285K). Esta mejora está cubierta por la garantía de Intel, en un intento de que sea lo más fácil y menos problemático de usar. No va a ganar a AMD y su Ryzen 7 9800X3D, pero al menos recortará la diferencia.