Etiqueta: Memoria

SK Hynix ha desarrollado junto a Intel y Renesas una nueva tecnología de acceso a módulos de memoria denominada multimplexación de filas combinadas (MCR, multiplexer combined ranks). Normalmente los módulos de memoria que tienen dos filas o hileras de chips accesibles de manera no simultánea debido a la conexión de 64 octetos con el procesador, o 72 con código de corrección de errores (ECC). MCR lo que permite es el acceso simultáneo a ambas filas, duplicando en la práctica la tasa de transferencia entre RAM y CPU.

Samsung está haciendo progresos en la memoria de vídeo con la GDDR6W, pero el futuro próximo traerá una GDDR7 en la que habrá que cambiar la modulación de la información para aumentar el ancho de banda de la memoria. La compañía ha indicado recientemente algunas novedades de esta memoria, como por ejemplo que usará la codificación PAM3 lo cual habilitará un importante aumento de la velocidad de transferencia.

XPG, la marca jugona de ADATA, cuenta con la serie básica Gammix D20 de módulos de RAM, aunque llega hasta velocidades de 4133 MHz que no son precisamente algo básico. Voy a analizar un kit de 16 GB de esta serie de DDR4 funcionando a 3200 MHz, de los más baratos del mercado.

Samsung está avanzando en el desarrollo de la memoria GDDR6 aunque en esta ocasión no lo hace en el plano de las frecuencias sino del encapsulado. Ha anunciado su GDDR6W, que se basa en un sistema denominado encapsulado ramificado a nivel de oblea (FWOLP, del inglés fan-out wafer-level packaging) con el cual crea una doble hilera de chips de DRAM para duplicar en la práctica el bus de los chips de GDDR6, pasando de ser de 32 bits a ser de 64 bits.

Apple necesita más chips de NAND pero el Congreso de los EUA le ha cerrado la puerta a un proveedor chino por temor a depender más del país asiático con el que está en una guerra económica. Por eso a Apple no le ha quedado más remedio que hacer nuevamente negocios con Samsung, una empresa que ha evitado como la peste desde la guerra judicial que inició Steve Jobs hace más de una década y que finalizó en tablas hace unos años.

Dell empezó a usar un nuevo formato para la memoria DDR5 que incluye en sus portátiles denominado CAMM. La principal ventaja que tiene es que son módulos más finos, hasta un 57 % en la habitual disposición de dos SO-DIMM apilados, y más compactos, lo cual beneficia a los portátiles en general, desde ultraportátiles hasta los de mayor rendimiento. No estaba claro si Dell iba a mantener este formato privado, pero finalmente ha indicado que lo licenciará de manera gratuita con la ayuda de la JEDEC, la organización que regula los estándares relacionados con la DRAM.

Los fabricantes de chips de DRAM y NAND están cortando la producción en un intento de detener el desplome de precios. La coyuntura económica con un desplome del consumo doméstico tras los dos primeros años de pandemia de enormes aumentos de venta y la actual inflación ha dejado al consumidor sin dinero ni necesidad de invertir en electrónica. Por eso el sector de la DRAM ha visto reducir un 28.9 % sus ingresos en el tercer trimestre del año.

La coyuntura económica ha impactado mucho en los productores de ciertos chips, principalmente los de memoria como la DRAM o NAND 3D. Micron, que es uno de los principales actores del sector, ha estado frenando la ampliación de producción pero también la producción en sí. La lucha por el aumento de densidad de bits por oblea en el que están enfrascadas la compañías del sector ha provocado que los precios hayan caído aún más. Por eso Micron va a recortar de una manera más decidida la producción tras asegurar que no estaba en sus planes.

SK Hynix ha anunciado la aplicación de sus técnicas de fabricación basadas en puertas metálicas de alta constante dieléctrica (HKMG) para producir memoria LPDDR5X de alta velocidad. Estas técnicas ya las aplicó para empezar a producir el año pasado su memoria LPDDR4X con un proceso litográfico de 1a nm. Los procesos de memoria no son los mismos que los que se usan en los chips lógicos, pero 1a nm vendría a ser en torno a los 10-12 nm.

Intel va un paso por delante de AMD en el terreno de la DDR5 porque básicamente lleva una generación más de procesadores que usan este tipo de RAM. Los módulos que van a ir llegando en las próximas semanas y meses al mercado alcanzarán los 8000 MHz, aunque de momento se ha quedado todo en anuncios de presentación. La validación de los módulos está llevando su tiempo, pero de momento Gigabyte ha validado los módulos de DDR5 a 8000 MHz de TEAMGROUP.