Etiqueta: Memoria

Dell anunció el año pasado el formato de módulos de memoria combinada comprimida (CAMM) que viene a sustituir a los bastante más conocidos SO-DIMM en algunos de sus portátiles. La idea detrás de este formato es tener más memoria en menos espacio, sobre todo en menor grosor que es más importante en portátiles. Este formato lo reduce un 57 %, pudiéndose crear módulos de 128 GB. Ahora la especificación ha sido aprobada por la JEDEC, la organización dedicada a estandarizar las especificaciones de RAM en el sector PC.

TEAMGROUP ha hecho un curioso anuncio referente a su memoria DDR5 pero sin elaborarlo en su nota de prensa, y realmente no es que sea un gran anuncio. Según la compañía, va a usar nuevos amplificadores de reloj (clock driver) en los UDIMM de DDR5 a 6400 MHz, el formato habitual en los PC de sobremesa, para alcanzar con ellos en un futuro próximo velocidades de 9000 MHz. La cuestión está en que esos amplificadores ya se usan en los módulos DDR5, por lo que tampoco es que sea una gran hazaña.

Los productores de memoria han sido arrastrados por el desplome del consumo por la coyuntura económica. Han visto llenarse sus almacenes de chips de DRAM y NAND 3D a los que no dan salida, lo cual ha llevado a reducir la producción y los precios de los contratos para intentar darles salida. Según los datos de TrendForce, eso llevará a una nueva caída de precio en este primer trimestre de 2023, que podría ser de en torno al 13-18 % frente al 20-25 % experimentado en el T4 2022.

Cuando se habla de litografías se hace siempre referencia a nanómetros como unidad de medida del tamaño de los transistores. Realmente los transistores no miden eso, sino que es una equivalencia que se hace para dar sensación de que se avanza en las litografías. Algunas veces se avanza poco en su tamaño pero se mejoran otros aspectos y las compañías venden las litografías con un número menor de nanómetros. Para valorar las litografías con las que se producen los chips de memoria, que no usan transistores principalmente sino condensadores, se vuelve a hacer una equivalencia, por lo que al hablar de la litografía de los chips de DRAM se está haciendo una equivalencia de una equivalencia.

El sector de la memoria está probando un nuevo tipo de memoria que permite el procesamiento de ciertos tipos de datos con la idea de descargar a la CPU de trabajo. Se trata de la PIM o procesamiento en memoria, nombre que es autoexplicativo. Acercar el procesamiento de la información al lugar donde se almacena reduce la latencia, y si se almacena y procesa en el mismo chip los resultados pueden ser extraordinarios. Ahora Samsung ha demostrado las bondades de su HBM-PIM al cambiarle a 96 tarjetas MI100 un chip HBM por otro HBM-PIM.

TEAMGROUP ha anunciado una nueva serie de módulos de DDR5, que en este caso tienen la particularidad de incluir perfiles de memoria para los procesadores Ryzen 7000 (EXPO). Son compatibles también con los procesadores de Intel, pero específicamente estos aseguran un funcionamiento perfecto en las placas base con chipset de AMD.

SK Hynix ha desarrollado junto a Intel y Renesas una nueva tecnología de acceso a módulos de memoria denominada multimplexación de filas combinadas (MCR, multiplexer combined ranks). Normalmente los módulos de memoria que tienen dos filas o hileras de chips accesibles de manera no simultánea debido a la conexión de 64 octetos con el procesador, o 72 con código de corrección de errores (ECC). MCR lo que permite es el acceso simultáneo a ambas filas, duplicando en la práctica la tasa de transferencia entre RAM y CPU.

Samsung está haciendo progresos en la memoria de vídeo con la GDDR6W, pero el futuro próximo traerá una GDDR7 en la que habrá que cambiar la modulación de la información para aumentar el ancho de banda de la memoria. La compañía ha indicado recientemente algunas novedades de esta memoria, como por ejemplo que usará la codificación PAM3 lo cual habilitará un importante aumento de la velocidad de transferencia.

XPG, la marca jugona de ADATA, cuenta con la serie básica Gammix D20 de módulos de RAM, aunque llega hasta velocidades de 4133 MHz que no son precisamente algo básico. Voy a analizar un kit de 16 GB de esta serie de DDR4 funcionando a 3200 MHz, de los más baratos del mercado.

Samsung está avanzando en el desarrollo de la memoria GDDR6 aunque en esta ocasión no lo hace en el plano de las frecuencias sino del encapsulado. Ha anunciado su GDDR6W, que se basa en un sistema denominado encapsulado ramificado a nivel de oblea (FWOLP, del inglés fan-out wafer-level packaging) con el cual crea una doble hilera de chips de DRAM para duplicar en la práctica el bus de los chips de GDDR6, pasando de ser de 32 bits a ser de 64 bits.