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La LPDDR6 no está muy lejos de llegar al mercado debido a que la JEDEC, el consorcio que estandariza todo lo relacionado con chips de memoria, ha publicado la versión final del estándar. Se trata del JESD209-6, y en esta ocasión pone la mirada en optimizaciones para ciertos casos de uso de esta memoria como son las aplicaciones de inteligencia artificial, dispositivos móviles y equipos en la frontera de las redes.

El desarrollo y producción de HBM se ha acelerado en los últimos años por los requisitos del sector de la computación por las inteligencias artificiales generativas, así que hay un plan conciso de desarrollo hasta la HBM9 en la próxima década. Por el momento la HBM4 ya está saliendo de las fábricas de SK Hynix, y las primeras entregas a NVIDIA han comenzado. Se adelanta en ello a Micron y Samsung.

La memoria de alto ancho de banda (HBM) está desarrollándose a pasos agigantados por las necesidades actuales de las aceleradoras para inteligencia artificial. Cuanta más memoria, con más parámetros de entrada pueden ser entrenadas las IA, y eso redunda en su precisión y capacidades. Así que el nuevo plan para la evolución de la HBM publicado por el Instituto Avanzado de Ciencia y Tecnología de Corea (KAIST), una universidad pública centrada en la investigación, sitúa el lanzamiento de la HBM7 para 2035, y la HBM8 para 2038.

El entrenamiento de inteligencias artificiales necesitan la mayor cantidad de memoria posible en las aceleradoras, por lo que el desarrollo de la HBM se ha acelerado muchísimo en el último lustro. Así que tras pasar rápidamente a la HBM3, el sector va a cambiar a finales de año o principios del que viene a la HBM4. Su desarrollo se completó hace meses, y ahora las principales marcas están en las pruebas de producción. Por su parte, la estadounidense Micron ha indicado que ya está enviando muestras de su HBM4 a «varios clientes clave».

Trump está poniendo el comercio internacional patas arriba en su propósito de reindustrializar los EUA. Los chips no son una excepción, aunque los posibles aranceles los ha estado postergando hasta tener claro el impacto que tendría. No será bueno, pero ante la amenaza los fabricantes de dispositivos han estado haciendo acopio de todo tipo de chips, y uno de los sectores más perjudicados es el de los chips de DRAM. En mayo, su precio ha subido un 27 % hasta los 2.10 dólares por los chips de 1 GB de DDR4

CXMT es el principal fabricante de chips de DRAM de China, y actualmente está produciendo tanto DDR5 como HBM2, aunque tiene en la mira el cambio a HBM3. Las sanciones estadounidenses afectaron al acceso de las compañías chinas a HBM3 por su uso con las aceleradoras, por lo que China redobló el desarrollo de los chips de DRAM. Con bastante éxito, como ocurre con los de NAND, ya que no se necesitan litografías punteras para producir estos chips. De hecho es lo contrario, hay que fabricarlos con litografías avanzadas para asegurar la máxima fiabilidad. Así que ahora CXMT se habría puesto como objetivo centrar la producción en la DRAM más solicitada.

Según lo previsto, Intel ha anunciado un «refuerzo de los 200S» para mejorar su rendimiento en juegos. Este refuerzo es una mejora a la capacidad de sobrefrecuencia de los Core Ultra 200S y que afecta solo a los modelos K (245K/KF, 265K/KF, y 285K). Esta mejora está cubierta por la garantía de Intel, en un intento de que sea lo más fácil y menos problemático de usar. No va a ganar a AMD y su Ryzen 7 9800X3D, pero al menos recortará la diferencia.

G.Skill sigue expandiendo su catálogo de módulos de 64 GB con un kit para aquellos que necesitan la máxima cantidad de RAM en sus equipos. Este kit incluye cuatro módulos de 64 GB para un total de 256 GB de RAM, pero además son de alta velocidad con 6000 MT/s. Normalmente los controladores de memoria de los procesadores con DDR5 alcanzan mayores velocidades con solo dos módulos puestos, y limitan bastante más con cuatro por el estrés que tiene que soportar el controlador.

El sector de la memoria no volátil ha tenido varios intentos por crear alternativas que al menos se acerquen a la baja latencia de la DRAM. Una de ellas es la memoria 3D XPoint de Intel y Micron, que está muerta después de que Intel abandonara su uso comercial como Optane en 2022, y Micron lo abandonara antes. Otra alternativa es la FRAM, o RAM ferroeléctrica, pero tiene el problema de que como se venía creando escala mal con los procesos litográficos más avanzados. Las soluciones comunes son de 4 MB u 8 MB. Ferroelectric Memory Co. (FMC) y Neumonda se han aliado para darle una vuelta de tuerca y que pueda competir con la DRAM.

G.Skill ha anunciado un atípico módulo de memoria DDR5 con una capacidad de 64 GB, dentro de la serie Trident Z5 Royal NEO. Lo atípico es que tiene una velocidad de 8000 MT/s, que suele ser más complicado de conseguir en módulos de alta capacidad y que en este caso tiene unos subtiempos altos pero dentro de lo razonable para su velocidad, 44-58-58. Se venderá en kits de dos módulos para un total de 128 GB.