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Etiqueta: Memoria

Micron usará la unión de obleas y la luz UVE de alta AN para sus futuros chips de DRAM

Micron usará la unión de obleas y la luz UVE de alta AN para sus futuros chips de DRAM
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Micron ha descartado las celdas 4F² para producir su próxima generación de chips de DRAM, la cual es una tecnología que Samsung y SK Hynix sí tienen en sus planes —por ahora—, así que necesita otras formas de seguir haciendo más densa su DRAM. Scott DeBoer, el director de tecnología y productos de Micron, explicó en un acto de la compañía cómo lo hará en los próximos años. Confía en tener todavía varias generaciones de DRAM plana antes de pasar a la 3D, pero se precisarán cambios.

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Micron descarta la DRAM con celdas 4F² tras dos décadas investigándolas

Micron descarta la DRAM con celdas 4F² tras dos décadas investigándolas
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Los fabricantes de DRAM llevan años investigando las celdas 4F², las cuales ocupan un tercio menos que las 6F² actuales cuando se compara su fabricación con la misma litografía. Lo curioso es que CXMT lanzará antes de final de año su primer módulo con ellas. Según TechInsights, Samsung y SK Hynix también las tienen en desarrollo, pero Micron ha decidido no usarlas tras dos décadas de investigación. Scott DeBoer, el director de tecnología y productos de Micron, ha dicho que «es en cierto modo un mito que la 4F² aporte una diferencia sustacial frente a la 6F²», porque «aumenta la complejidad y el coste de fabricación».

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La china CXMT lanzará antes de fin de año su primera DRAM con celdas 4F²

La china CXMT lanzará antes de fin de año su primera DRAM con celdas 4F²
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Las celdas de la DRAM actual ocupan 6F², es decir, 3F por 2F, siendo F la dimensión mínima de la litografía, y los fabricantes llevan años intentando bajar a 4F², de 2F por 2F, lo que reduce un tercio lo que ocupa con la misma litografía. Para conseguirlo hay que extender verticalmente los transistores de cada celda, lo cual es algo que ningún fabricante de chips de memoria ha hecho todavía. Ahora, Cao Kanyu, el presidente de CXMT, ha dicho que su primer producto con celdas 4F² será un módulo DDR5 RDIMM para servidores que llegará antes de final de año.

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NVIDIA acapara el 37 % de la producción de HBM de 2027 lo cual tiene un valor de 279 000 M$

NVIDIA acapara el 37 % de la producción de HBM de 2027 lo cual tiene un valor de 279 000 M$
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La crisis de la RAM tiene su origen en las aceleradoras, y específicamente las de entrenamiento de modelos de IA usan memoria de alto ancho de banda (HBM). Son chips que se encapsulan con la GPU, apilados en decenas de gigas, y ahora mismo una GPU se puede encapsular con más de 300 GB de HBM. Mucha memoria para una sola GPU. Así que, según los últimos estudios, NVIDIA ya tiene reservada el 37.3 % de la producción de HBM del próximo año.

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El director de Micron ya no cree que en 2028 mejore la situación de la RAM, sino que empeorará más

El director de Micron ya no cree que en 2028 mejore la situación de la RAM, sino que empeorará más
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Vuelvo a la carga con la noticia que llevo dando al menos seis veces al mes desde finales del año pasado como es que la escasez de chips de DRAM, o más bien un fuerte desequilibrio entre oferta y demanda, ya que ahora es cuando están intentando aumentar la producción cuando la situación es insostenible. Hemos vuelto a los portátiles de 800 euros con 8 GB de RAM como si estuviéramos en 2010. Así que el director ejecutivo de Micron ha vuelto a insistir en que la escasez de chips de memoria va a ser todavía peor en 2027 y 2028 que en 2026.

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Micron deja de producir chips de 2 GB de GDDR7 para centrarse en los de 3 GB

Micron deja de producir chips de 2 GB de GDDR7 para centrarse en los de 3 GB
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Las tarjetas gráficas GeForce que usan GDDR7 han empezado a aumentar de precio, y más las de NVIDIA que las de AMD porque, bueno, necesita toda la memoria posible para sus aceleradoras que le da un margen de beneficio del 80 % frente al 25 % que le dan los chips de las GeForce en la coyuntura actual. Así que en esta situación, no son buenas noticias que Micron, uno de los tres principales fabricantes de chips de GDDR7, haya dejado de producir los de 2 GB.

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La productividad de las obleas de HBM3E de CXMT podría ser de solo el 25 %

La productividad de las obleas de HBM3E de CXMT podría ser de solo el 25 %
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Los medios surcoreanos y taiwaneses no suelen ser los más fiables cuando hablan sobre la competencia de las principales empresas de sus países, que son Samsung y TSMC. Así que el que el medio surcoreano Chosun asegure que CXMT, la fuerte competencia china de Samsung en la producción de chips de memoria, pueda estar teniendo problemas con la productividad de los chips de HBM3E no es lo más fiable del mundo. Realmente, incluso aunque fuera tan baja daría igual en el contexto actual.

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Samsung Foundry ya destina la mitad de su producción a 4 nm a los chips base de la HBM

Samsung Foundry ya destina la mitad de su producción a 4 nm a los chips base de la HBM
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El principal productor de HBM hasta ahora es SK Hynix, y sigue siéndolo aunque ha empezado a tener problemas para aumentar su volumen de producción. Por eso se rumorea que va a usar a TSMC para producir los chips base —los que no son las celdas de memoria—, ganando un importante volumen de producción sin construir más fábricas. Pero quien sí que está reorganizando su producción interna es Samsung Foundry, porque ahora ya estaría destinando la mitad de su producción a 4 nm a los chips base de la HBM.

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Samsung muestra su HBM5 la cual duplicará el rendimiento de la HBM4E actual

Samsung muestra su HBM5 la cual duplicará el rendimiento de la HBM4E actual
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Samsung está aumentando su producción de HBM a marchas forzadas porque el sector de la inteligencia está acaparando todos los chips que produce a unos precios absurdos. Así que las expansiones de producción planeadas pueden ser amortizadas en poco tiempo tras ponerse en funcionamiento porque la IA lo está fagocitando todo. Así que NVIDIA ha presionado para el desarrollo de la HBM5, y Samsung está bastante avazada en ello, mostrando uno de estos chips en SEMICON Taiwan.

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CXMT inicia la producción de riesgo de su HBM3E para las aceleradoras de IA chinas

CXMT inicia la producción de riesgo de su HBM3E para las aceleradoras de IA chinas
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Un día más, una nueva noticia de una de las dos empresas más importantes de China ahora mismo. O sea, las relacionadas con la producción de chips de memoria. Otra noticia de CXMT, que es quien produce DRAM, y que tiene que ver con el inicio de la producción de riesgo de su HBM3E. Es un tipo de memoria con una fabricación más complicada que la DDR, y que la compañía todavía no domina, pero va de camino de ello.

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