Etiqueta: Memoria

G.Skill sigue siendo uno de los principales fabricantes de módulos de RAM, y tiene suficiente diversidad en su catálogo. Por eso no es raro que anuncie kits para plataformas específicas de AMD e Intel, y en esta ocasión toca para las placas base X399 usadas por los procesadores Ryzen Threadripper. Estos kits llegan con la promesa de que funcionarán sin problemas a una velocidad mínima de 3466 MHz con unas latencias de 18-22-22-42.

ASRock quiere seguir metiendo la cabeza en otros mercados de componentes de PC, lejos de su habitual sector de las placas base en el que está muy cómodo, y para ello ha forjado una alianza con TeamGroup. La asociación se crea bajo la marca Phantom Gaming de ASRock y también bajo la T-Force de TeamGroup, que es la que usó para presentar sus primeras tarjetas gráficas Radeon.

Thermaltake va a pasar por agua su primera incursión al sector de los módulos de memoria, y lo hace con la serie WaterRam. Estos primeros módulos de la compañía están preparados para sistemas de refrigeración líquida personalizados de un PC, con las habituales bocas de entrada y salida de 6.35 mm (1/4'') estándar. Pero si alguien en algún momento no quiere pasarlas por agua tendrá la opción de usar estos módulos con los dispersores de calor integrados.

La llegada de la memoria GDDR6 ha supuesto un considerable aumento en el ancho de banda de las tarjetas gráficas presentadas por Nvidia, pero todo tiene un precio. Al ser tecnología más nueva tiene un mayor coste, y generalmente los precios de los chips de memoria gráfica no suelen airearse, pero de vez en cuando llega información al respecto a través de mayoristas. Con el precio privado de diversos mayoristas de componentes electrónicos se puede comparar la subida de precio entre generaciones GDDR5 y GDDR6.

La memoria de alto ancho de banda —HBM, por sus siglas en inglés— no ha tenido tanto uso como AMD pensó que tendría cuando empezó a colaborar con Samsung y SK Hynix en su desarrollo. Solo un puñado de dispositivos la usan, como las tarjetas gráficas con unidad gráfica de arquitectura Vega o los procesadores Kaby Lake G de Intel. En parte porque la GDDR ha seguido evolucionando y la GDDR6 tiene ventajas de coste respecto a ella. Aun así, la Asociación JEDEC de Tecnología de Estado Sólido ha realizado una revisión del estándar para mejorarlo de cara a los fabricantes.

Gigabyte ha ido poniendo a la venta un par de kits de módulos de memoria DDR4 después de anunciarlos en el pasado Computex de junio. La serie AORUS RGB de memoria llega ahora como un kit de dos módulos de 8 GB de DDR4 a 3200 MHz —sin los dos adicionales falsos que aportaban solo iluminación RGB—, con unas latencias de 16-18-18-38 y un voltaje de 1.35 V al activar su perfil de memoria. Gigabyte ha usado los habituales chips B de memoria de Samsung para su fabricación.

El siguiente paso en los módulos de memoria, más allá del RGB, parece que es darles un toque más real, a juzgar por los módulos Trident Z Royal que ha anunciado G.Skill. Estos módulos se venderán en kits de dos a ocho módulos e incluyen un dispersor en color oro o plata, además de la habitual zona superior con ocho ledes RGB de configuración diferenciada (ARGB).

Micron anunció en octubre que tenía casi lista su memoria DDR5 gracias a su colaboración con Cadence, y que llegarían los módulos a finales de 2019, inicialmente para el sector de los centros de datos. SK Hynix ahora ha anunciado que también tiene listos sus chips DRAM de tipo DDR5, en una capacidad de 16 Gb (2 GB), e indica que es el primero en cumplir con los estándares del JEDEC.

G.Skill ha anunciado nuevos kits de módulos de memoria que están pensados para las placas base con chipset X299 y los últimos procesadores de entusiasta disponibles para ellas, que son los que componen el refresco de Skylake X como el Core i9-9920X. Todos ellos incluyen chips de memoria DDR4 de tipo B de Samsung, que están pensados para frecuencias máximas.

Dentro de los desarrollos que está realizando SK Hynix relacionados con la capacidad de sus chips de DRAM y NAND, hace unos días anunció unos NAND 3D de 512 Gb y ahora ha anunciado unos nuevos de DRAM. Estos chips está fabricados con un proceso litográfico de 1Y nm, lo que quiere decir que es un proceso que puede ir desde los 14 nm hasta los 16 nm. Son de tipo DDR4, y es un avance teniendo en cuenta que la anterior generación de chips se situaba en los 1X nm, que es de 16 a 19 nm.