El sector de la memoria no volátil ha tenido varios intentos por crear alternativas que al menos se acerquen a la baja latencia de la DRAM. Una de ellas es la memoria 3D XPoint de Intel y Micron, que está muerta después de que Intel abandonara su uso comercial como Optane en 2022, y Micron lo abandonara antes. Otra alternativa es la FRAM, o RAM ferroeléctrica, pero tiene el problema de que como se venía creando escala mal con los procesos litográficos más avanzados. Las soluciones comunes son de 4 MB u 8 MB. Ferroelectric Memory Co. (FMC) y Neumonda se han aliado para darle una vuelta de tuerca y que pueda competir con la DRAM.
FMC ha creado lo que denomina DRAM+, que son celdas de FRAM pero usando óxido de hafnio (HfO₂). Al cambiar al hafnio se puede escalar mucho mejor el tamaño de las celdas con la reducción de las litografías en torno a los 10 nm, eliminando la limitación de capacidad de los módulos de FRAM pudiendo crear chips de gigabytes en lugar de megabytes. Las propiedades ferroeléctricas son las que permiten que el estado de las celdas no se pierda cuando no tienen energía, como las SSD. Pero con la ventaja de que su acceso es de mucha menor latencia.
FMC aporta la tecnología para crear esta DRAM+ y Neumonda se encarga de aportar sus avanzadas herramientas de prueba de la DRAM con un coste menor que otras soluciones existentes en el mercado. La producción sería dentro de la Unión Europea, un hecho por el cual ambas compañías se felicitan.
Vía: Tom's Hardware.
