La densidad de defectos de la litografía N2 de TSMC es menor que la que tuvo el N3 en el mismo punto de desarrollo
TSMC ha dado detalles esta semana de varios de sus procesos litográficos, y ha tenido tiempo para hablar del desarrollo de su litografía de 2 nm (N2). Es el primer proceso en el que usa los transistores de efecto de campo de puerta envolvente (GAAFET), lo cual va a proporcionar una mejora sustancial de rendimiento. Pero más allá de eso, de cara a sus clientes es más importante la tasa de defectos o densidad de defectos por oblea, de cual ha sido que en el N2 es menor que en el proceso de 3 nm (N3) en su punto actual de desarrollo.
Sigue leyendo