Etiqueta: Litografías

Aunque las noticias más comunes sobre procesos litográficos tienen que ver con el nivel de integración de los transistores y otros componentes de las obleas, es igual o más de importante los materiales que se utilizan para crearlos. No todos los materiales utilizados siguen siendo válidos cuando se quiere pasar de procesos litográficos de 10 nm a 5 nm o cuando se pasa de crear las obleas con patrones múltiples a luz ultravioleta extrema. Samsung aparentemente ha hecho un gran avance en este apartado de los materiales al hacer viable el uso de nitruro de boro amorfo en la creación de los chips.

TSMC tiene un itinerario bastante apretado para los próximos años con diversos nodos y subnodos litográficos, y lo que hasta ahora era un rumor de que desarrollaba un nodo de 4 nm ha sido confirmado por el presidente del Consejo de Dirección, Liu Deyin. Ese nodo se trata de un subnodo del nodo principal de 5 nm (N5), y específicamente una versión de la versión de por sí mejorada N5P.

Uno de los problemas a los que se han enfrentado las compañías para llevar los procesos litográficos por debajo de los 7 nm es a la aparición de defectos por causas que no siempre son conocidas. En el proceso de producción suelen incluirse aparatos de medición para detectar posibles defectos en las obleas (metrología), pero hasta ahora no había una herramienta para los procesos más modernos con luz ultravioleta extrema y a 5 nm hacia abajo. ASML, el mayor fabricante de escáneres litográficos, ha anunciado la eScan1000, una herramienta para detectar defectos a esos niveles.

Fujitsu ha soltado lastre en el apartado de la producción de semiconductores al deshacerse de su participación en una empresa conjunta con UMC iniciada en 2014, finalizando la producción de semiconductores que llevaba realizando Fujitsu desde 1956. Tenía el 84.1 % de la empresa vendida, Mie Fujitsu Semiconductor (MIFS), de la que el 15.9 % restante pertenecía a UMC. La venta se ha realizado por unos 520 millones de dólares.