Samsung es uno de los desarrolladores de la memoria de alto ancho de banda (HBM) junto con AMD y SK Hynix, y a pesar de la llegada de la memoria GDDR6 están evolucionando el estándar. Por eso ahora ha anunciado los chips HBM2E que mejoran sustancialmente su velocidad respecto a los últimos chips HBM2 desarrollados, que era de 2.4 GHz y fueron anunciado a principios de 2018.
Si aquellos se llamaban Aquabolt, estos se llaman Flashbolt y alcanzan una velocidad de 3.2 GHz, manteniendo el bus de 1024 bits y por tanto alcanzan un ancho de banda de 410 GB/s por cada chip de memoria HBM2 que se incluya en un sistema. Samsung ofrecerá esta memoria HBM2E en una capacidad de 16 GB por chip, que es el doble que la generación anterior Aquabolt. No se menciona una reducción de voltajes, por lo que probablemente se mantenga en los 1.2 V. Potencialmente se tendría un ancho de banda de 1.64 TB/s al combinar cuatro de estos chips en un procesador gráfico.
Aunque el anuncio se ha realizado en la GPU Technology Conference (GTC) de Nvidia, empresa que ha usado la memoria HBM2 en su arquitectura Volta para centros de datos, el principal beneficiario de esta mejora es AMD. En ambos casos no se tiene información sobre el uso de la HBM2 en futuros chips gráficos.
Vía: TechPowerUp.
