Samsung trabaja en un chip de V-NAND de 900 capas usando encapsulado avanzado
Cada vez es más complicado para los fabricantes de memoria NAND 3D lograr encapsular más capas en un único chip. Hay limitaciones físicas de interconexión y de gestión de los circuitos periféricos necesarios para que funcionen. Así que Samsung lleva tiempo trabajando en un encapsulado avanzado que permite combinar dos chips de su V-NAND de alta cantidad de capas en un único chip, lo cual es necesario para aumentar la densidad de bits en las SSD y almacenamiento en general de teléfonos y otros productos en los que van estos chips sueltos. El siguiente paso para Samsung sería un chip de 900 capas combinando dos chips de V-NAND de 450 capas.
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