Múltiples defectos en los procesos de fabricación a 5 nm retrasarán su implantación
12 abr 2018
Los procesos litográficos con los que se crean obleas de las que posteriormente se recortan los chips, como la mostrada en la imagen de cabecera, son cada vez más difíciles de que creen transistores a menor tamaño. Actualmente los procesos a 10, 12 o 14 nm usan patrones múltiples para crear las zonas en las que tienen que ir las líneas de conexión de los transistores o los propios transistores, tras un proceso que requiere exposición a luz de determinadas longitudes de onda y productos químicos.
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