Los fabricantes de DRAM llevan años investigando las celdas 4F², las cuales ocupan un tercio menos que las 6F² actuales cuando se compara su fabricación con la misma litografía. Lo curioso es que CXMT lanzará antes de final de año su primer módulo con ellas. Según TechInsights, Samsung y SK Hynix también las tienen en desarrollo, pero Micron ha decidido no usarlas tras dos décadas de investigación. Scott DeBoer, el director de tecnología y productos de Micron, ha dicho que «es en cierto modo un mito que la 4F² aporte una diferencia sustacial frente a la 6F²», porque «aumenta la complejidad y el coste de fabricación».
Según DeBoer, lo que determina cuántas celdas caben en una oblea no es el tamaño del transistor sino el del condensador y la separación entre ellos. Tanto en las celdas 4F² como en las 6F², el transistor tiene que caber debajo del condensador, así que reducir el transistor no basta para hacer más pequeña la celda. Micron ha llegado a fabricar chips experimentales con celdas 4F², pero la física impide reducir esas celdas más allá de las litografías actuales.
Micron seguirá reduciendo las celdas 6F² con mejores litografías, nuevos materiales y con métodos de encapsulación avanzados como la unión de obleas. Su próximo proceso, el 1δ, entrará en producción en volumen en la segunda mitad de 2027 con un 25 % más de densidad que el que usa actualmente, el 1γ. Para generaciones posteriores prevé usar la luz UVE de alta apertura numérica, la más avanzada que existe. A más largo plazo apuesta por la DRAM 3D para mejorar el apilado de celdas durante la fabricación de la oblea frente a cómo se hace ahora durante le encapsulación, aunque no ha dicho cuándo empezará a producirla.
Vía: Tom's Hardware.
