TSMC ha hablado sobre cómo va su desarrollo de procesos litográficos, mencionando las varias generaciones a 2 nm que ofrecerá a partir de 2025. En el caso de los 3 nm (N3), ha querido asegura que su evolución N3E va según lo esperado y que estará disponible en algún momento de 2024. Dejando a un lado el hecho de que el N3 ha llegado a producción en masa más tarde de lo esperado, eso ha forzado hacia delante el resto de sus procesos litográficos.
El proceso N3E aportará, frente al N5, un 18 % más de rendimiento a mismo consumo, un 32 % menos de consumo a mismo rendimiento, aumentará la densidad del chip un 30 % pero la densidad de los circuitos lógicos aumentará en un 60 %. Es solo una pequeña mejora comparando el N3 con el N5 TSMC ha tenido problemas en tiempos recientes para que sus procesos litográficos permitan reducciones sustanciales de circuitos de memoria.
TSMC menciona que el proceso N3 entró en producción en masa en el segundo semestre de 2022, pero en realidad lo hizo casi el último día del año, y no con tanta producción en masa. Eso ha empezado en realidad en este trimestre, y previsiblemente para chips de Apple, por lo que acarrea unos seis meses de retraso respecto al plan revisado, por lo que lleva en torno a un año de retraso. Tiempo que Samsung ha aprovechado para ponerse por delante.
La siguiente generación será el proceso N3P (3 nm rendimiento), para 2025, que aportaría una reducción del consumo del 5-10 % respecto al proceso N3E un aumento del rendimiento del 5 % con un aumento de la densidad en torno al 4 % para diseños mixtos de estructuras lógicas y SRAM. Le seguirá el N3X, que frente al N3P ofrecerá una mejora adicional del 5 % de rendimiento a mismo consumo o una reducción sustancial de la corriente del fugar (en torno a un 80 %), con una densidad similar al N3P. Estos dos procesadores N3P y N3X llegarán en 2025, si todo va según lo planeado. Habrá un proceso N3A para automoción en algún momento de 2026, sucesor del N3AE (3 nm automoción temprano) que estará disponible este año.
Vía: AnandTech.
