Samsung detalla su proceso de fabricación a 3 nm que reemplazará FinFET por GAA, llegará en 2021
Samsung y TSMC están en un mano a mano a ver quién avanza más rápido en las tecnologías de procesos litográficos, y de momento Samsung está haciendo valer los miles de millones que se gasta anualmente en I+D+i. Por eso ahora ha hablado sobre su proceso de 3 nm, para el cual ya tiene una versión alfa para sus clientes del paquete de diseño de producto con el que pueden empezar a valorar sus futuros diseños de chips.
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