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Toshiba es el segundo mayor productos de memoria NAND, la usada en las unidades de estado sólido, y todo lo que ocurra en sus fábricas tiene un impacto en el precio a nivel mundial. Un apagón que ha afectado a la ciudad de Yokkaichi donde tiene la mayoría de sus instalaciones de producción y desarrollo ha provocado que la compañía pierda la mitad de su producción trimestral de chips de NAND, o en torno a los 6 exabytes de capacidad total.

Toshiba y Western Digital han colaborado sustancialmente en el desarrollo de la memoria NAND 3D, y si bien se está a la espera de que anuncien los primeros BiCS-5 de 128 capas, ahora mismo siguen centradas en aumentar la capacidad de producción de NAND 3D de 96 capas. Resulta cuanto menos curioso debido a que la mayoría de empresas han cancelado sus planes de expansión de sus fundiciones y la construcción de nuevas instalaciones.

La bajada de precio de la memoria NAND que conforma las unidades de estado sólido (SSD) ha permitido que los modelos de mayor rendimiento con interfaz PCIe hayan bajado mucho más de precio que las versiones SATA3. De hecho, hay varios modelos como el P1 o el 660P que tienen un precio por giga similar a los SATA3, y para ese terreno ha presentado Western Digital el SN500.

Western Digital y Toshiba están a la cabeza en términos de densidad de bits en sus chips de memoria NAND que son usados en las unidades de estado sólido (las SSD). Ahora están ultimando sus chips de memoria NAND 3D de 128 capas que recibirá el nombre de BiCS-5 —un acrónimo del inglés bit column stacked, o columna de bits apilados—.

Desde hace unos cuantos años se llevan vendiendo móviles que tienen lectores de tarjetas micro-SD de hasta 1 TB, pero lo que no había en el mercado eran tarjetas micro-SD de esa capacidad. Hace unos meses apareció un modelo de 512 GB, y eso allanaba el terreno para que apareciera la primera de 1 TB, que ha llegado en realidad a la vez con modelos de Micron y SanDisk (Western Digital).

Western Digital ha renovado su gama alta de unidades de estado sólido (SSD) con un modelo que sigue los pasos del SN700 presentado el año pasado. Es de alto rendimiento, y se venderá en formato M.2 2280 con una interfaz PCIe 3.0 ×4, en modelos con y sin disipador integrado, el cual tiene un buen tamaño y que permitirá mantener las temperaturas a raya ante un uso intensivo de estas SSD. Hay modelos de 250 GB, 500 GB, 1 TB y 2 TB.

Western Digital mantiene el codesarrollo de memoria NAND 3D con Toshiba, y por tanto está en una buena posición en el sector de este tipo de chips de almacenamiento. Ahora ha anunciado la producción de la primera NAND 3D de 96 capas orientada al sector móvil de gama alta ya que se trata de memoria UFS 2.1, que es un tipo de memoria en auge y que cualquier tecnología que ayude a abaratar su coste será bienvenida para poder hallarla en dispositivos de gama media.

Los precios de la memoria NAND han estado bajando desde principios de año, y esas bajadas han hecho que varias empresas se hayan replanteado la expansión de su producción. Al menos los proyectos de expansión que ya estaban en marcha van a continuar su curso, y Western Digital y Toshiba han anunciado la apertura de una nueva fábrica orientada a la producción de obleas de memoria NAND denominada Fab 6.

El sector del almacenamiento para computadores ha cambiado mucho desde el inicio de esta década, haciendo una lenta transición hacia el almacenamiento flash y más específicamente el tipo de almacenamiento NAND usado en las unidades de almacenamiento sólido o SSD. Todos los fabricantes tradicionales de discos duros se han tenido que buscar la forma de entrar en el mundo de las SSD, y Western Digital lo hizo comprando SanDisk.

Los fabricantes de chips de memoria NAND 3D están avanzando en dos frentes para las siguientes generaciones. Por un lado, cambiando el tipo de memoria del tipo de TLC a QLC —almacenan tres y cuatro bits por celda respectivamente, duplicando en esencia su capacidad—. Por otro lado, aumentando el número de capas apiladas que tiene un chip, lo que implica mejoras en los procesos de fabricación y en la realización de las vías a través de silicio para conectarlas.