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Kioxia y Western Digital son un tándem en el sector de la memoria flash que acapra el 30 % de la producción mundial en lo referente a capacidad total. Ahora han aprovechado el ISSCC para anunciar que han desarrolla nueva memoria NAND 3D de 162 capas, pero con algunas ventajas adicionales que reducirán el coste por bit. Al final lo que hacen las compañías de memoria flash es crear procesos litográficos y de fabricación que les permitan mejorar esa densidad, ya sea reduciendo el tamaño de los transistores y otros componentes como reubicándolos.

Western Digital ha anunciado una nueva serie económica de unidades de estado sólido (SSD) en formato M.2 2280 de tipo PCIe 3.0 ×4. Se venderá en capacidades de 240 GB, 480 GB y 960 GB, y hacen uso de memoria NAND 3D de tipo TLC. A pesar de esa interfaz PCIe 3.0 ×4, no son unidades especialmente rápidas, o al menos no si se miran las que no son el modelo de 960 GB, y por tanto operarán bien en una conexión PCIe 3.0 ×2.

Western Digital ha anunciado una nueva unidad de estado sólido en el poco habitual formato de tarjetas PCIe, aunque en esta ocasión a la WD_BLACK AN1500 la anuncia como «velocidad PCIe 4.0 siendo PCIe 3.0». Hace referencia al hecho de que la tarjeta tiene una conexión PCIe 3.0 ×8, que en la práctica otorga el ancho de banda máximo de PCIe 4.0 ×4.

Western Digital ha anunciado una nueva serie de unidades de estado sólido (SSD) en formato M.2 2280 que serán de las más rápidas del mercado al incluir una conexión PCIe 4.0 ×4 y un protocolo de comunicación NVMe 1.3. Esta serie se vende en modelos de 500 GB, 1 TB y 2 TB de capacidad, con la opción de que se pueden comprar estos modelos con o sin un dispersor térmico integrado el cual tiene iluminación RGB personalizable. El sobrecoste de ese dispersor es de unos 20 dólares.

Los móviles que disponen de almacenamiento tipo UFS están tan solo un paso de las velocidades de las unidades de estado sólido. En los dispositivos móviles se puede notar una sustancial mejora de fluidez, al abrir aplicaciones o en su uso, frente al más tradicional almacenamiento eMMC. La última especificación aprobada en este terreno es la UFS 3.1, y Kioxia / Western Digital ya tienen listos los primeros chips.

Los productos de memoria NAND están atareados aumentando la capacidad de almacenamiento por oblea producida y eso pasa irremediablemente por aumentar el número de capas de los chips. Western Digital y Kioxia, antigua Toshiba Memory, han anunciado una nueva memoria BiCS5—un acrónimo del inglés bit column stacked, o columna de bits apilada—, la cual cuenta con 112 capas frente a las 96 de la BiCS4.

Kioxia, la antigua sección de Toshiba para producción de memoria NAND, mantiene una fábrica junto a Western Digital, la cual ha sufrido un incendio de origen desconocido en una de las salas blancas de la fábrica 6 del complejo industrail de Yokkaichi (Japón). La compañía indica que empezó a las 6:10 a. m. del 7 de enero, y afectó a una de las herramientas de producción, la cual se vio dañada parcialmente.

Western Digital ha anunciado una nueva serie de unidades de estado sólido llamada WD Blue SN550 que estará compuesta por modelos de 250 GB, 500 GB y 1000 GB en tamaño M.2 2280. La interfaz empleada es la PCIe 3.0 ×4 y el protocolo un NVMe 1.3, haciendo uso la compañía de un nuevo controlador propio y memoria NAND 3D de tipo TLC de 96 capas.

Western Digital ha puesto a la venta una nueva serie de unidades de estado sólido externas que se conectan a un puerto USB, aunque en este caso la interfaz es USB 3.2 (USB 3.2 gen. 2×2). Estas SSD tienen un puerto USB tipo C en ella, aunque se proporcionan dos cables con ellas: tipo C a tipo A, así como tipo C a tipo C.

A finales de junio un apagón en la ciudad en la que tiene situada Toshiba su centro de investigación y producción de memoria NAND echó al traste con la mayor parte de las obleas que estaban en producción en ese momento. El apagón afectó a cinco plantas de producción y a su centro de investigación, por lo que solo se podría haber zafado del apagón si hubiera tenido una central eléctrica propia en el campus.