Los fabricantes de memoria DDR5 se preparan para el lanzamiento de sus chips que funciona a 9.6 Gb/s, lo cual será un empujón adicional al ancho de banda de memoria frente a la actual ampliamente disponible de 6400 Gb/s, o la más restringida de 8.6 Gb/s. Tanto Micron como SK Hynix están en la fase de ganar contratos con los fabricantes de móviles gracias al anuncio del Snapdragon 8 Gen 3 porque sus chips de memoria LPDDR5X son compatibles con este procesador. En el caso de SK Hynix, la ha llamado LPDDR5T, con la -T de «turbo» por el postureo publicitario.
SK Hynix va algo más adelantada porque ya ha completado la validación de sus clientes con el Snapdragon 8 Gen 3 u otros dispositivos en los que vayan a usar su LPDDR5T, mientras que Micron está todavía en la fase de pruebas por parte de sus clientes. Micron está produciendo estos chips con su proceso de fabricación de 1β mientras que SK Hynix usa un proceso 1α nm, que siguen siendo uno del orden de los 10 nm. Los chips de LPDDR5X/T que se están proporcionando son de 16 GB con un ancho de banda de 77 GB/s.
Vía: TechPowerUp (1), TechPowerUp (2).
