Samsung planea V-NAND de 1000 capas para 2030 usando unión de obleas

Samsung sigue evolucionando su memoria V-NAND, que es como llama a su NAND 3D para las SSD y otras soluciones de almacenamiento. Actualmente anda por debajo de las 300 capas por chip de V-NAND, pero hay limitaciones a la forma actual de desarrollar estos chips. La industria movió los circuitos periféricos de estos chips de un lado a debajo de las capas de memoria, lo cual supuso un ahorro considerable de espacio en las obleas. Pero para seguir evolucionando la V-NAND, la compañía planea mover los circuitos periféricos, que hacen el control de lo que se lee y escribe en las capas de memoria, a otra oblea.
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