Etiqueta: Micron

Los fabricantes de memoria DDR5 se preparan para el lanzamiento de sus chips que funciona a 9.6 Gb/s, lo cual será un empujón adicional al ancho de banda de memoria frente a la actual ampliamente disponible de 6400 Gb/s, o la más restringida de 8.6 Gb/s. Tanto Micron como SK Hynix están en la fase de ganar contratos con los fabricantes de móviles gracias al anuncio del Snapdragon 8 Gen 3 porque sus chips de memoria LPDDR5X son compatibles con este procesador. En el caso de SK Hynix, la ha llamado LPDDR5T, con la -T de «turbo» por el postureo publicitario.

Micron sigue avanzando en el desarrollo de sus chips de memoria DDR5 para aumentar la capacidad de los módulos para el sector consumo. Ahora la compañía ha anunciado que está inmersa en la prueba de módulos de DDR5 de 128 GB, los cuales hacen uso de sus chips de DDR5 de 32 Gb (4 GB) de capacidad. Ha indicado que las primeras unidades ya han sido enviadas a sus clientes para que hagan sus propias pruebas y ajustes a sus equipos.

Las autoridades francesas de competencia están investigando si NVIDIA ha incurrido en algún ilícito penal para conseguir su posición predominante en la computación en la nube. Mientras tanto, NVIDIA va a seguir desarrollando sus aceleradoras con los modelos que van a hacer uso de la HBM3 (memoria de alto ancho de banda) de segunda generación, la HBM3E, empezando por la anunciada GH200. Así lo ha indicado Micron en su presentación de resultados del segundo trimestre del año.

Hace unos días que Pat Gelsinger, el director ejecutivo de Intel, dijo públicamente que su compañía debería llevarse más dinero de la Ley CHIPS por ser estadounidense frente a Samsung o TSMC. Como no es la única estadounidense que va a acceder a estos fondos, Micron ha solicitado más dinero a su Gobierno para que financie la expansión de producción en sus centros de Boise (Idaho) y Clay (Nueva York) en base a esa Ley CHIPS.

Micron está realizando progresos en los nuevos tipos de chips de memoria que van a llegar al mercado en el próximo par de años. Por ejemplo, ha hablado de su nueva HBM3 que permite un ancho de banda de 1.2 TB/s por chip. Ahora ha actualizado su itinerario añadiendo información un poco más concreta de lo que va a poner en el mercado hasa 2026. De entrada, se puede esperar que este año ponga en manos de NVIDIA la GDDR6X a 24 Gb/s, lo cual dotará de un poco más de preciado ancho de banda a sus GPU.

El sector de la memoria gráfica ha dado un paso adelante con la presentación de la segunda generación de la HBM3 (memoria de alto ancho de banda) de Micron. La compañía ha dado diversos detalles de los cambios que introduce en su arquitectura, pero también ha dicho que va a ser producida con el proceso litográfico de 1β nm que es de los más avanzados del sector de los chips de memoria.

El sector de los chips de DRAM y NAND se ha descalabrado desde finales de 2022 con hundimientos de ingresos que han llevado a abultadas pérdidas. Micron ha seguido la misma senda en el segundo trimestre del año al anunciar unos ingresos de 3752 M$ con unas pérdidas de 668 M$. Por comparación, en el T2 2022 la compañía ingresó 8642 M$ con unos beneficios de 4035 M$. Está claro que no se van a arruinar por algunos trimestre malos, pero les perjudicar a la hora de invertir en su expansión de producción.

La memoria para tarjetas gráficas comienza a evolucionar a buen ritmo ya que los fabricantes se preparan para empezar a producirla tan pronto como principios de 2024. Al menos en el caso de Micron, porque la compañía lo ha confirmado en boca de Sanjay Mehrotra, su director ejecutivo. Desde marzo las empresas de tecnología que usan este tipo de memoria pueden validar sus chips de memoria gracias a las herramientas de Cadence. Por ejemplo, AMD y NVIDIA.

El almacenamiento UFS 4.0 lleva tiempo en el mercado en dispositivos como los Galaxy S23, pero no está generalizado su uso. Samsung y Kioxia tienen sus chips de este tipo de almacenamiento, y ahora llegan los de Micron para intentar que lleguen a más dispositivos en los próximos meses. Esta nueva UFS 4.0 utiliza los chips de NAND 3D de la compañía de 232 capas TLC y de 128 GB de capacidad.

Los módulos de memoria están avanzando notablemente en los últimos dos años tras la llegada de la DDR5, pero tanto en el terreno de la velocidad como en el de la capacidad. Esto último es más importante en servidores donde la creciente demanda de procesadores para inteligencia artificial precisan de analizar cada vez más cantidad de datos que deben estar en memoria. Micron ahora ha anunciado módulos de DDR5 a 4800 MHz pero que tienen una capacidad de 96 GB, el doble de lo que se puede comprar para el sector consumo.