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Dentro de la producción de chips hay que distinguir entre aquellos que incluyen estructuras eminentemente lógicas (procesadores) y los que son para memoria. Los primeros usan sobre todo estructuras de transistores mientras que los segundos son sobre todo condensadores para almacenar la carga que indica el valor de cada celda. Las segundas son más complejas de crear a nanoescala y por tanto hay que ir sobre seguro. La mayor parte de la producción sigue haciéndose con maquinaria de luz ultravioleta profunda (UVP) y Micron ha indicado que dará el paso próximamente a la ultravioleta extrema (UVE).

Aunque los precios de la NAND 3D estén bajando debido a la caída de la demanda los fabricantes de chips siguen evolucionando sus arquitecturas para aumentar la densidad de bits por oblea, lo cual reduce el coste de producción. La forma más sencilla ahora mismo es seguir aumentando el número de capas apiladas de NAND en los chips, y por eso Micron ha anunciado sus nuevos chips de NAND 3D de 232 capas, «los más avanzados del mundo».

Micron colaboró con NVIDIA para desarrollar la GDDR6X para alcanzar mayores velocidades que usando la GDDR6. Inicialmente estaba disponible en chips de 1 GB (8 Gb) funcionando a 21 GHz —o gigabits por segundo, como se prefiera decir—, y ahora la compañía ha anunciado que ha entrado en producción en masa los chips de 2 GB (16 Gb) a 21 Gb/s usados en la RTX 3090 Ti. Si hay baja disponibilidad de estas tarjetas gráficas, ya sabéis el porqué.

Micron ha anunciado la serie 2400 de unidades de estado sólido (SSD) de consumo, las cuales estarán disponibles en capacidades de 512 GB, 1 TB y 2 TB. En este caso la compañía usa su memoria NAND 3D de tipo QLC de 176 capas, por lo que la permite ofertar esta serie en los formato M.2 2230, M.2 2242 y el más común M.2 2280.

La adopción de los procesadores Alder Lake S de Intel va a buen ritmo, aunque una gran parte de los usuarios están optando por combinarlos con DDR4 por la falta de DDR5 o su elevado precio aunque su demanda es muy alta. El problema procede del cambio de fabricación de los módulos de DDR5 y la sobredemanda de chips, que ha dejado a los productores de módulos de DRAM faltos de chips de gestión de energía (PMIC) y para los módulos de regulación de voltaje (VRM). Micron ha confirmado este extremo.

Las empresas del sector de los semiconductores están desarrollando planes ambiciosos para expandir su producción porque hoy en día todo producto de electrónica lleva de algunos a decenas de chips según su tamaño. Pero lo que se va a necesitar siempre es memoria, tanto DRAM como NAND, y en ello uno de los grandes actores en la producción de estos chips, Micron, ha anunciado otro ambicioso proyecto de expansión de sus operaciones: 150 000 millones de dólares hasta 2030.

Micron es uno de los principales fabricantes de memoria NAND 3D y DRAM y como el resto de empresas fabricantes de chips ha experimentado en el último año un importante aumento de ingresos. Es un aumento que empieza a desinflarse en su sector específico como demuestran los resultados de su tercer trimestre fiscal que terminaba el 2 de septiembre, coincidiendo también con el cierre de su año 2021 fiscal.

El tema del espionaje industrial deja de vez en cuando grandes titulares cuando implica a grandes empresas como Samsung y LG Display, pero puede pasar más desapercibido cuando afecta a empresas tecnológicas más discretas. En este caso Micron no es una desconocida para el tecnófilo pero probablemente sí para el público general, aunque Hefei Zhiju seguramente no le suene a nadie. Es una compañía china dedicada a la fabricación de chips implicada en un caso de espionaje industrial a Micron.

Micron ha abandonado totalmente el desarrollo y producción de memoria 3D XPoint codesarrollada junto a Intel. Aunque esta última empresa seguirá desarrollándola, Micron no le ha encontrado utilidad para lanzarla al mercado en productos comerciales. Finalmente tomó en marzo la decisión de poner a la venta su fábrica en Lehi (Utah), que finalmente será vendida a Texas Instruments.

Micron es uno de los principales fabricantes de memoria, tanto DRAM como NAND 3D, y en la Computex 2021 ha anunciado sus primeros modelos de unidades de estado sólido (SSD) de consumo que implementan una interfaz PCIe 4.0 ×4 con protocolo NVMe 1.4. Además, todos los modelos utilizan su memoria NAND 3D de tipo TLC de 176 capas, lo que permite que lo venda en formatos más atípicos como el 2230 y el 2242 además del mucho más habitual 2280.