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En los últimos meses los analistas han venido avisando de que el precio de los chips de NAND y DRAM iban a empezar a subir el precio a medida que se fuera acercando el ecuador del año. Micron ha venido a confirmar lo dicho por los analistas, porque ha avisado de que va a subir formalmente sus precios a lo largo del año a medida que aumenta la demanda de sus chips usados en SSD y módulos de RAM para centros de datos.

En el entorno doméstico las unidades SSD de tipo PCIe 5.0 aportan ahora mismo poca o ninguna mejora real frente a las PCIe 4.0, pero cuestan bastante más. Es en centros de datos donde tienen bastante más utilidad y por lo que se pisó el acelerador para desarrollar las PCIe 5.0, y por la misma razón se están desarrollando a la vez los estándar PCIe 6.0 y PCIe 7.0. Con la ingente cantidad de información que hay que transferir entre equipos en un centro de datos, se precisan conexiones mucho más rápidas. Pero mientras el estándar se publica, Micron ya tiene funcionando su primera SSD para este tipo de conexión.

La producción de memoria se centra en procesos litográficos que den los menores problemas posibles, y como se basa mayormente en condensadores que en transistores, la forma de medir las litografías de chips lógicos es de poca utilidad. Las compañías de DRAM están en procesos litográficos del orden de 10 nm, pero siguen evolucionándolos con diversas tecnologías, sin perder de vista que necesitan extrema fiabilidad para el buen funcionamiento de la DRAM. Así que Micron ha anunciado un nuevo proceso del orden de 10 nm, el 1γ (nm), pero en el que ha usado en esta ocasión maquinaria de luz ultravioleta extrema (UVE).

Micron ha anunciado la serie 4600 de unidades de estado sólido que se venderá con modelos en formato M.2 2280. Usan una interfaz PCIe 5.0 ×4 con protocolo NVMe 2.0c, y es la primera generalista sin DRAM para búfer. El controlador incluido tiene cifrado por hardware de tipo AES-256. Se venderá en capacidades de 512 GB, 1 TB, 2 TB y 4 TB. Integra chips G9 de Micron de NAND 3D de tipo TLC de 232 capas.

NVIDIA podría presentar este mismo año su primer procesador para el sector consumo de la mano de MediaTek, pero también estaría explorando mejorar otros apartados de los PC. Entre ellos, los de la memoria que usan. Por si no hubiera suficiente con DIMM, SO-DIMM o LPCAMM, NVIDIA habría desarrollado un nuevo estándar llamado SOCAMM, porque no hay tres sin cuatro. Obviamente es un rumor, pero teniendo en cuenta el músculo financiero de la compañía, si el estándar le permite mejorar el rendimiento de los PC, sin duda se lanzará a ello como una baza para apelar al consumidor.

Micron ha presentado el 6550 ION, la primera SSD de la industria con una capacidad de 60 TB y una interfaz PCIe 5.0 × 4. Este dispositivo es ideal para cargas de trabajo de inteligencia artificial donde prima la velocidad y es necesaria una alta capacidad de almacenamiento. Ofrece velocidades de lectura y escritura secuencial de hasta 12 GB/s con un consumo de energía de solo 20 W, lo que lo hace un 20 % más eficiente que las SSD de su competencia.

El sector de las aceleradoras necesita memoria superrápida, y eso implica que los fabricantes de chips de memoria evolucionen lo más rápido posible la HBM. Entre ellos está Micron, la cual ha anunciado ahora su chip de HBM3E que da una vuelta de tuerca al sector ya que se compone de doce capas apiladas de memoria, un 50 % más que el actual chip que tenía disponible. La capacidad total del chip es de 36 GB, y gracias a la mejora en su frecuencia de funcionamiento, 9.2 Gb/s, alcanza los 1.2 TB/s de ancho de banda.

Micron ha hecho un par de anuncios nuevos en el terreno de las unidades de estado sólido (SSD). Por un lado, ha anunciado la memoria NAND 3D de novena generación G9, la cual es de tipo TLC de 232 capas. Tiene una velocidad máxima de 3.6 GB/s por chip, en un encapsulado de 11.5 mm × 13.5 mm, lo cual es un 28 % más pequeño que el chip de la generación anterior.

Micron está en el proceso de promocionar su memoria GDDR7 para aceleradoras porque es un sector en el que puede aumentar enormemente sus ventas. Por eso su material promocional está centrado en las ventajas para inteligencia artificial, aunque sin perder de vista su mercado principal que es el de las tarjetas gráficas. En ese terreno, en un documento reciente de la compañía se asegura que este tipo de memoria, por su mayor velocidad, mejora «al menos un 30 % el rendimiento en fotogramas por segundo (FPS) en cargas de trabajo tanto de trazado de rayos como de rasterización».

Micron es uno de los tres principales fabricantes de chips de memoria, tanto de DRAM como de NAND 3D, y pese a su buen hacer en este terreno no es un gigante de bolsillos profundos como lo pueda ser Samsung. Así que durante los dos últimos años de desplome de ventas ha tenido que ir retrasando la puesta en marcha de nuevas fábricas, al menos hasta asegurarse la inversión gubernamental de los EUA en base a la Ley CHIPS. Una vez conseguido, y con la recuperación de la senda de los beneficios, la compañía ha dado alguna fecha más concreta de apertura de sus dos próximas fábricas.