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Micron anunció en octubre que tenía casi lista su memoria DDR5 gracias a su colaboración con Cadence, y que llegarían los módulos a finales de 2019, inicialmente para el sector de los centros de datos. SK Hynix ahora ha anunciado que también tiene listos sus chips DRAM de tipo DDR5, en una capacidad de 16 Gb (2 GB), e indica que es el primero en cumplir con los estándares del JEDEC.

G.Skill ha anunciado nuevos kits de módulos de memoria que están pensados para las placas base con chipset X299 y los últimos procesadores de entusiasta disponibles para ellas, que son los que componen el refresco de Skylake X como el Core i9-9920X. Todos ellos incluyen chips de memoria DDR4 de tipo B de Samsung, que están pensados para frecuencias máximas.

Dentro de los desarrollos que está realizando SK Hynix relacionados con la capacidad de sus chips de DRAM y NAND, hace unos días anunció unos NAND 3D de 512 Gb y ahora ha anunciado unos nuevos de DRAM. Estos chips está fabricados con un proceso litográfico de 1Y nm, lo que quiere decir que es un proceso que puede ir desde los 14 nm hasta los 16 nm. Son de tipo DDR4, y es un avance teniendo en cuenta que la anterior generación de chips se situaba en los 1X nm, que es de 16 a 19 nm.

Micron ha presentado un nuevo chip de memoria para aumentar su densidad en los teléfonos inteligentes y ahorrar espacio. Son chips de memoria monolítica LPDDR4X que tienen una capacidad de 12 Gb (1.5 GB), con mejoras de consumo y velocidad. Esas mejoras proceden de que son chips monolíticos, o dicho de otra forma, que son producidos usando una única pieza de silicio en lugar de apilar varios chips como suele ocurrir para aumentar su capacidad y reducir la complejidad de fabricación.

Los precios de los módulos de RAM han estado bajando durante los últimos meses, para alivio de los que se quieran cambiar de PC o añadir más memoria al que tienen. Se debe al parón de demanda de chips de DRAM para teléfonos inteligentes y a un aumento de la misma, lo que se ha conjurado en contra de los fabricantes de RAM y en beneficio del consumidor.

El Gobierno chino ha querido imprimir fuerza a la producción de chips diseñados en China ya que la mayoría del desarrollo de chips de memoria y almacenamiento se hace fuera del país, aunque se produzcan en él. Por ello ha estado invirtiendo miles de millones de dólares en empresas del país para que diseñen chips y eliminar la dependencia externa de, sobre todo, Estados Unidos. Pero debido a que China no dispone de las patentes tecnológicas de la memoria, hay diversas empresas como Samsung, SK Hynix o Micron que estaban denunciado a empresas chinas de espionaje industrial.

El estándar definitivo de memoria DDR5 todavía no se ha aprobado pero las compañías de chips de DRAM están ya dando las últimas pinceladas a su diseño y producción. En su posición como mayor productor de semiconductores del mundo, Samsung también la tiene en desarrollo, y sobre todo la versión par móviles LPDDR5. En el Encuentro 4G/5G de Qualcomm en Hong Kong, la compañía coreana ha indicado que la tendrá lista para 2020.

Cadence y Micron están colaborando para llevar al mercado los primeros chips de memoria DDR5 que los fabricantes de módulos de memoria usen para los equipos generalistas. En mayo indicaron que tendrían en 2019 listos los chips, y se han reafirmado en sus intenciones adelantándose a la aprobación del estándar de memoria por parte del JEDEC y colaborando en la producción de este tipo de chips de memoria.

Los módulos de memoria habituales en el sector consumo tienen hasta 16 GB de RAM, o al menos hasta que Samsung anunció nuevos chips de RAM que doblaban la capacidad. Estos permiten crear módulos de 32 GB de RAM para el sector consumo, si bien en el sector empresarial hay módulos de memoria de bastante más capacidad. Esto abre la puerta a equipar las placas base que tienen dos bancos de memoria con hasta 64 GB de RAM, y los de cuatro bancos con hasta 128 GB. El doble que hasta ahora.

Con la llegada de las placas base con chipset Z390, G.Skill ha aprovechado la ocasión para anunciar sus nuevos kits de memoria DDR4 para los usuarios más exigentes. Son parte de la serie Trident Z RGB, con unas velocidad de 4500 MHz y 4800 MHz, utilizando para su creación los habituales chips de memoria B de Samsung, ajustando las características de los módulos para que los expriman al máximo.