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Etiqueta: Memoria

Samsung comienza a producir chips LPDDR4X a 10 nm de 2.ª generación

Samsung comienza a producir chips LPDDR4X a 10 nm de 2.ª generación
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26 jul 2018

Samsung continúa con sus avances en lo relativo a los procesos de fabricación anunciando la disponibilidad de los primeros chips de RAM fabricados a 10 nm con el proceso de segunda generación. Como ocurre con la forma de notificar que tienen Samsung y otras compañías, cuando dicen «10 nm» es algo entre 10 nm y 19 nm, como especifica claramente Samsung en la nota de prensa. Por lo que tampoco se puede saber qué proceso de fabricación ha usado la compañía exactamente.

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Samsung anuncia el primer chip LPDDR5 de 8 Gb

Samsung anuncia el primer chip LPDDR5 de 8 Gb
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17 jul 2018

La memoria DDR4 ya lleva unos años en el mercado, y por eso la llegada de su evolución se hace inminente. Tan inminente que Samsung ya la ha desarrollado con éxito, aunque de momento en su versión de menor consumo para dispositivos móviles, LPDDR5. Son chips con una capacidad de 8 Gb (1 GB), fabricados con un proceso litográfico de 10 nm.

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China está bajo sospecha de robar secretos industriales a Samsung y SK Hynix

China está bajo sospecha de robar secretos industriales a Samsung y SK Hynix
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06 jul 2018

El fabricante de memoria Micron ha visto vetada la producción y venta en China de sus chips de DRAM. Démosle las gracias a Trump por ello, aunque —solo en parte— lo que quiere hacer el presidente de los EUA es proteger a las empresas estadounidenses del robo de secretos industriales que están perpetrando agentes chinos y ante lo que Pekín no hace nada. Lo demuestra las distintas denuncias de Micron sobre robo de alto nivel que ha sufrido.

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Samsung habría duplicado la producción de HBM2, pero sigue sin cubrir la demanda

Samsung habría duplicado la producción de HBM2, pero sigue sin cubrir la demanda
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27 jun 2018

La segunda generación de la memoria de alto ancho de banda (HBM2) está actualmente en uso en distintas tarjetas gráficas generalistas y profesionales de AMD y Nvidia. En menor medida se está usando en equipos de red, computación de alto rendimiento o inteligencia artificial, pero el precio que tiene no fomenta su uso. Samsung habría duplicado en su producción de HBM2, según lo indicado en la ISC 2018 de Fráncfort por el analista Glenn K. Lockwood.

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Micron inicia la producción en masa de la memoria GDDR6 de alto rendimiento

Micron inicia la producción en masa de la memoria GDDR6 de alto rendimiento
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25 jun 2018

No se sabe cuándo llegará la próxima generación de tarjetas gráficas de Nvidia, pero al menos los principales productores de la memoria GDDR6 que se presupone que usarán ya la están produciendo en masa. Micron ha hecho un anuncio en este sentido hoy mismo, indicando que está produciéndola en chips de 8 Gb (1 GB). Ha recurrido a una colaboración con Rambus para agilizar su implementación en todo tipo de sistemas, ya que ambas compañías quieren llevarla a los sectores del automóvil, inteligencia artificial, redes y otros como los de las FPGA, los ASIC y las consolas, y que no se limite al de las tarjetas gráficas.

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Micron prepara la memoria NAND 3D de 96 capas y su DRAM a 15 nm

Micron prepara la memoria NAND 3D de 96 capas y su DRAM a 15 nm
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21 jun 2018

El terreno de la memoria NAND, las compañías llevan unos años luchando por ver quién crea los chips con más capas de memoria. Eso lleva a producir más cantidad de almacenamiento por oblea y a un menor coste para el comprador final. Actualmente se está asentando los chips NAND creados con 64 capas, y en el horizonte está la llegada de los de 96 capas. Micron, en su presentación de resultados, ha indicado que esta memoria NAND 3D sigue bien encaminada para empezar a enviarla a sus socios en la segunda mitad del año.

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Apacer anuncia los módulos Panther Rage RGB de memoria DDR4

Apacer anuncia los módulos Panther Rage RGB de memoria DDR4
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19 jun 2018

La compañía estadounidense Apacer ha anunciado nuevos módulos de memoria DDR4 con un diseño más agresivo que el de otras compañías. Con el nombre de Panther Rage RGB, esta serie aporta nuevos módulos con iluminación RGB en varias zonas separadas e independientes de iluminación en la parte superior, más un dispersor de color negro o dorado, con la imagen estilizada de una pantera, lo que le da un aspecto bastante más particular.

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Samsung empieza a producir RDIMM de 64 GB

Samsung empieza a producir RDIMM de 64 GB
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12 jun 2018

Samsung está llevando la capacidad de los módulos de memoria a nuevas cotas, y tras el anuncio de los SO-DIMM de 32 GB, en el sector empresarial tiene ahora RDIMM o módulos de memoria con registro de 64 GB de capacidad, lo que agradará a muchas empresas. Lo ha creado añadiendo dieciséis pastillas de 16 Gb (2 GB) a la placa de circuito impreso que conforma la base de los módulos.

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G.Skill muestra sus kits de memoria DDR4 que alcanza los 5066 MHz

G.Skill muestra sus kits de memoria DDR4 que alcanza los 5066 MHz
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07 jun 2018

G.Skill es uno de los principales productores de módulos de memoria, y ha demostrado en la Computex 2018 sus próximos módulos comerciales que alcanzarán la velocidad de 5066 MHz. Lo hace con unas latencias de 21-26-26-54, y son de la serie Trident Z RGB. La prueba de estos módulos se ha hecho en una placa base Z370I Gaming Pro Carbon AC de MSI con un Core i7-8700K.

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GeiL presenta la memoria Super Luce RGB SYNC

GeiL presenta la memoria Super Luce RGB SYNC
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06 jun 2018

La compañía taiwanesa GeiL, dedicada a la fabricación de módulos de memoria, ha llegado a la Computex 2018 con los Super Luce RGB SYNC. Como su nombre deja ver, disponen de iluminación RGB, y se engloban dentro de la TUF Gaming Alliance, como colaboración con ASUS y totalmente compatibles con Aura Sync, su sistema de personalización de iluminación. Esta serie cuenta con un amplio disipador de aluminio negro, con la zona superior de iluminación.

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