La presión de EUA sobre China a cuenta de los semiconductores se ha saldado en una catástrofe en el terreno de los chips de memoria. Con una buena financiación gubernamental y un trabajo discreto pero constante, la compañía ya tiene una empresa líder en el sector de la NAND 3D como es YMTC, que apunta a ser el mayor productor de NAND en tres años. Ya es el segundo. Pero también en el de la DRAM, con CXMT produciendo buena parte de los chips de memoria usados en China actualmente, y que además se ha adelantado a las empresas occidentales en la producción en masa de la LPDDR6.
Este tipo de memoria cambia a un código de línea PAM3 para conseguir codificar tres bits en dos símbolos transmitidos, siendo básicamente un símbolo igual a un bit en una codificación normal, frente a la que se usa ahora mismo, la codificación NRZ (sin retorno a cero) en la LPDDR5. Aunque el tiempo por símbolo suele aumentar un poco, la codificación permite enviar tres bits efectivos en lugar de dos en un tiempo menor, ganando velocidad de transmisión.
El primer dispositivo anunciado con LPDDR6 de CXMT es un móvil plegable de Xiaomi, aunque para ello necesita un procesador que pueda usar este tipo de memoria, que será el XRING O3 de la propia Xiaomi. Esta memoria parte de los 12 800 MHz efectivos, que es algo más de 2 GHz por encima de lo que ofrece la LPDDR5, pero se consigue reducir el consumo. La especificación tiene otros cambios en cuanto a buses, conexión o validación, por lo que no son sustituibles los diseños con LPDDR5 por LPDDR6.
Vía: Tom's Hardware.
