A pesar de que la prensa taiwanesa dice que la litografía 18A de Intel apunta a ser muy mala frente a los 2 nm de TSMC —no sé, Rick—, fuera de allí lo que se está diciendo de la litografía es que su desarrollo va bien. Aunque no empezará la producción en masa hasta finales de año, la productividad apunta a ser suficientemente alta como para ser rentable y que los clientes lleven más diseños a su fundición. Ahora la compañía ha dado más detalles de esta litografía, y en la práctica son buenas noticias porque apunta a ser una buena litografía.
Los detalles principales dados por Intel es que el 18A, frente al de 3 nm, permite un aumento del 25 % de la frecuencia a mismo consumo, un 36 % menos de consumo a misma frecuencia, y hay un aumento del 30 % de la densidad de los transistores gracias a la nueva configuración que tienen.
Esa configuración son los RibbonFET, o nanoláminas apiladas a las que envuelve la una puerta común. Las nanoláminas se podrán configurar a distintos tamaños, lo cual aumenta o diminuye el paso de energía, con optimizaciones realizadas para las celdas de SRAM.
Entre la información proporcionada por Intel también se encuentra la de PowerVia, el sistema de entrega trasera de energía que permitirá mejorar la estabilidad de la señal pero que complica el diseño de los chips. Este diseño de PowerVia también permite reducir las capas dedicadas a la distribución de energía, lo que lleva a chips más compactos. En algunos bloques de diseño la mejora de la densidad se va al 39 %, aunque la media se situará sobre el 30 %.
Vía: WCCFTech.
