China es el país del mundo que más invierte en investigación aunque solo sea porque tiene más de 1400 millones de habitantes. Así que están investigando en todos los sectores, aunque el de los semiconductores es en el que más por su vital importancia para cualquier país. Entre ellos la memoria flash, que se usa para almacenamiento no volátil de todo tipo, ya sean micro-SD o SSD. Investigadores de Shanghái han desarrollado un nuevo chip usando grafeno que reduce enormemente la latencia de escritura.
A este chip lo llaman PoX (óxido de cambio de fase) que reduce a solo los 400 picosegundos el tiempo de escritura. Por comparación, una DRAM actual tienen una velocidad de escritura de uno a diez nanosegundos. La de la memoria flash típica puede irse a los 30 microsegundos, que es por lo que la memoria flash sigue sin poderse utilizar adecuadamente como sustituto de la DRAM.
Esta nueva memoria no volátil tendría un tiempo de acceso de menos de la mitad de la DRAM. El logro se debe a una reestructuración total de la memoria flash, aumentando la «longitud gausiana del canal de memoria», que es la extensión efectiva del canal de conducción de carga el cual no está nunca perfectamente definido y la corriente sigue una campana gaussiana. Al aumentar el canal controlándolo con el grafeno se consigue aumentar la velocidad y reducir el tiempo de escritura. La universidad está colaborando con productores chinos de chips de memoria flash para llevar este diseño a producción.
Vía: TechSpot.
