Samsung sigue manteniendo la delantera en lo que a producción de memoria NAND se refiere respecto a sus competidores, en parte por ser la primera en desarrollar la memoria NAND 3D, a la que la compañía llama V-NAND. Esta memoria flash, usada en las SSD y almacenamiento de dispositivos móviles, llevó las menos de una decena de capas de memoria apilada en los chips convencionales a varias decenas. Ahora ya van las compañías por las 96 capas de memoria apilada en un mismo chips, como ocurre con la nueva V-NAND de Samsung.

Esta quinta generación es de tipo TLC o tres bits por celda, si bien tiene en desarrollo la QLC o cuatro bits por celda, lo que lleva a que cada celda puede contener uno de dieciséis valores posibles, lo que duplica la capacidad de la memoria TLC. Con una mayor densidad de información por chip, los costes de producción por megabyte descienden, y con el sector con precios a la baja, salvo desgracias, podría descender en los próximos mese aún más.

El voltaje de operación de esta nueva generación ha descendido de los 1.8 voltios a los 1.2 V, mejorando la velocidad de escritura a los 500 μs o un 30 % más. Aunque es memoria V-NAND de 96 capas, oficialmente se queda en «más de 90 capas» por alguna razón. Samsung va un paso más allá indicando que, gracias a una nueva técnica de deposición de las capas de memoria, se ha conseguido aumentar el rendimiento de producción un 30 %, con la altura de cada capa siendo reducida un 20 %, evitando la diafonía entre celdas.

Samsung ya está produciendo en masa esta V-NAND de 96 capas TLC en chips de 256 Gb (32 GB), con otros en preparación de mayor capacidad y usando QLC, lo que llevará en unos meses a anunciar un chip de 1 Tb (128 GB) de tipo QLC.

Vía: Samsung.